【課題】感度の低下を防止しながらタンパク分子等の生体分子を正確に測定して、構造解析等の力学的性質を高精度に観察すること。
【解決手段】互いに向かい合うように対向配置され、それぞれ先端が自由端となるように片持ち状に形成されて主面２ａ、３ａに生体分子Ｐを固定可能な第１のプローブ２及び第２のプローブ３と、該第１のプローブと第２のプローブとを、それぞれ主面を向かい合わせにした状態を維持しながら相対的に接近又は離間させて、互いの距離を可変させる可変手段４と、第１のプローブ及び第２のプローブの撓みをそれぞれ測定する測定手段５と、該測定手段による測定結果に基づいて、生体分子の解析を行う解析手段６とを備え、測定手段が、第１のプローブ及び第２のプローブにそれぞれ生体分子を固定させた状態で、可変手段４により互いの距離を可変させている間の撓み変化を測定する微小力測定装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをウェハレベルで積層して３次元半導体装置を製造する場合、加圧及び加熱を伴う電極接合工程がある。この工程では、ウェハ上の電極を所定の加圧・加熱条件により処理する必要があるが、ウェハ全体の圧力分布を加圧時間の関数として、また温度分布を加熱時間の関数として測定する手段がなく、加熱装置、加圧装置の機械的な動作パラメータの設定が正確に出来なかった。その結果、電極接合処理の歩留まりの低下を招いていた。
【解決手段】半導体ウェハ上にアツリョクセンサとしてピエゾ抵抗素子を集積化し、同時に測温素子を一体的に作りつけることにより、圧力分布及び温度分布を処理時間の関数として測定が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 テスタでのテスト結果を用いて製造段階でのばらつきを補償することが可能な微小構造体を有する半導体装置、その製造方法およびその製造方法プログラムおよび半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 テスタ１において、テスト音波を入力して、テスト音波の入力に応答したデバイスの出力電圧を検出する。ボンダー６０は、テスタ１のテスト結果を受けて、デバイスの分類分けを実行する。そして、分類分けされたグループに対応する増幅器の増幅率となるようにボンディングを実行して調整する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた圧力感度を有する新しい原理に基づく圧力検出素子を提供することを第１の目的とし、さらに、高温・高圧下でも使用可能な圧力検出素子を提供することを第２の目的としている。
【解決手段】本発明に係る圧力検出素子は、圧力が作用する一面と該一面に相対する他面を備えた第１導電体と、圧力が作用する一面と該一面に相対するとともに前記第１導電体の他面に密着する他面を備えた第２導電体と、前記第１導電体と第２導電体の他面の夫々に設けられた電極と、前記電極に接続された導線とで構成されている。 （もっと読む）

二重測定スケールを有する圧力センサ（１５）において、半導体材料のモノリシック体（１６）は、第１主表面（１６ａ）、バルク領域（１７）、および圧力（Ｐ）が作用する感知部分（３３）を有し、キャビティ（１８）を、モノリシック体（１６）に形成し、かつ可撓性を有して圧力（Ｐ）に応じて変形可能な薄膜（１９）によって第１主表面（１６ａ）から分離し、また感知部分（３３）の内側に配置し、バルク領域（１７）によって包囲し、圧力（Ｐ）の第１の値を感知可能な圧電抵抗型の低圧検出素子（２８）を、薄膜（１９）に集積化し、この低圧検出素子（２８）は薄膜（１９）の変形の関数として可変抵抗を有するものとする。さらに、同様に圧電抵抗型の高圧検出素子（２９）を、感知部分（３３）の内側のバルク領域（１７）に形成し、この高圧検出素子（２９）は圧力（Ｐ）の関数として可変抵抗を有する。高圧検出素子（２９）は圧力（Ｐ）の第２の値を感知可能とする。
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【課題】 測定対象に対して探針の成す角度が常に一定に保たれるようにし、生体細胞等に微小な探針を押し込んだ際の貫通力を正確に計測できるようにした歪センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の歪センサは、ダイアフラム３の一方の面の中央部に針状突起４が設けられたセンサ基板１と、センサ基板１のダイアフラム３中央部の変移を検出する検出手段である第一電極６と第二電極１０とからなる静電容量を有する。この歪センサは、基板の一面に、所定の点を取り囲む帯状の窓を設けたパターンを形成するパターニング工程と、このパターニング工程の後に帯状窓に沿って基板を所定量エッチングし、基板に帯状の窓の外形に倣ったダイアフラムとダイアフラムの中央に支持された針状突起とを一体に形成する工程によって製造される。 （もっと読む）

本発明は、ダイアフラム１２の変形を検出するための手段１６を備えるほぼ平坦な変形可能ダイアフラム１２に接合された剛性ステム１０を有する力測定デバイスに関する。ステム１０の一部が、力Ｆの作用を受けることができる要素２０と接触する。ステム１０は、要素２０と相互作用するためのアンカ手段１７を形成するスロットを有する。本発明は、具体的には、変形可能ダイアフラムへの負荷の伝達を向上させるために使用される。
【その他】 本願に係る特許出願人の国際段階での記載住所は「フランス国、７５７５２・パリ・セデクス・１５、リユ・ドウ・ラ・フエデラシオン、３１／３３」ですが、識別番号５９６０４８５６９を付与された国内書面に記載の住所が適正な住所表記であります。
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【課題】 下部電極と上部電極の熱膨張係数の違いによるドリフトの影響を受けず、また外来磁場からの影響を受けにくく、汎用性を有するトンネル効果素子を提供する。
【解決手段】 開示されるトンネル効果素子１は、トンネル障壁を形成する絶縁層１１と、導電性を有し、絶縁層１１の下面に形成される下部電極１２と、導電性を有し、絶縁層１１の上面に形成される上部電極１３と、絶縁層１１、下部電極１２及び上部電極１３の周囲に形成され、検知対象物の挙動を絶縁層１１に伝達する伝達部材５とを具備している。 （もっと読む）

【課題】温度検出回路を必要とせず、かつ、温度検定もすることなく高精度な出力値が得られるセンサ装置を提供する。
【解決手段】一定の電圧レベルとなる第１基準信号Ｓａ１、および、第２基準信号Ｓａ２を発生する基準電圧発生回路３と、リングゲート遅延回路７を備えて構成され、センサ回路１からの荷重信号Ｓｄ、および、第１、第２基準信号Ｓａ１、Ｓａ２がリングゲート遅延回路７に電源電圧として与えられた状態でそのリングゲート遅延回路７にパルス信号が入力されたときのパルス信号周回数に基づいて、信号Ｓｄ、Ｓａ１、Ｓａ２を、それぞれ、二進数のデジタルデータである荷重情報Ｄｄ、第１基準情報Ｄａ１および第２基準情報Ｄａ２に変換するＡ／Ｄ変換回路６とを含んだセンサ装置において、補正演算回路１１において、下記式から比Ｒを算出して、それを出力値として用いる。
Ｒ＝（Ｄｄ−Ｄａ１）／（Ｄａ１−Ｄａ２） （もっと読む）

【課題】半導体センサにおいて、梁と金属配線との熱膨張係数の違いによって梁に生じる熱応力を緩和させ、梁の変形を防ぐことができる半導体センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】作動板１６と、作動板１６と所定間隔をおいて外側に設けられたシリコン枠２１とを連結するように設けられ、その一部がピエゾ抵抗素子３０ａ、３０ｂ、３０ｃとなる複数の可撓性の梁１９ａ、１９ｂと、ピエゾ抵抗素子３０ａ、３０ｂ、３０ｃをそれぞれ接続するように梁１９ａ、１９ｂの上主面に形成されたアルミ配線３３とを有する半導体センサ１において、アルミ配線３３と梁１９ａ、１９ｂとの熱膨張係数の違いおよび使用環境の温度によって梁１９ａ、１９ｂに生じる熱応力を緩和する熱応力緩和部７１を梁１９ａ、１９ｂの下主面側に有する。 （もっと読む）