説明

国際特許分類[G01L1/18]の内容

物理学 (1,541,580) | 測定;試験 (294,940) | 力,応力,トルク,仕事,機械的動力,機械的効率,または流体圧力の測定 (8,098) | 力または応力の測定一般 (1,407) | 圧抵抗物質,すなわち加えられた力の大きさまたは方向の変化に応じてオーム抵抗が変化する物質,の特性を利用するもの (99)

国際特許分類[G01L1/18]に分類される特許

81 - 90 / 99


【課題】センサを構成する感歪抵抗体の抵抗値が所定範囲内に入らなかった場合、ブリッジ回路を構成できないという課題があった。
【解決手段】基板51上に、ガラス絶縁層を介して形成された複数の感歪抵抗体52が、配線によってブリッジ回路を形成されてなる歪センサにおいて、前記感歪抵抗体52の少なくとも一側面に接続される配線がトリミング配線21である歪センサであり、感歪抵抗体にダメージを与えることなく、抵抗値を所定値に調整できるため、製品の歩留りや生産性を上げられセンサの低コスト化を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】 ピエゾ抵抗効果を有する半導体多結晶の圧力センサ材料において、電気抵抗率の圧力依存性が大きく、400℃程度の高温まで、200MPa以上の高圧まで測定可能な材料及び圧力センサを提供する。
【解決手段】 ピエゾ抵抗効果を有する半導体多結晶材料を主成分とする母材中に、母材のヤング率の1/2以下、1/50以上のヤング率を有する材料を分散させることにより、母材の一部に平均圧力以上の圧力が印加される構造にすることで特性向上を図る。 (もっと読む)


【課題】 観察用カンチレバーその他の押圧部材により出力される力を精度よく測定することができ、また、広いダイナミックレンジにわたって、出力信号の直線性を維持する。
【解決手段】 片持ち梁状に形成された測定用カンチレバー3と、該測定用カンチレバー3の歪みを検出する歪みセンサ5と、測定用カンチレバー3に設けられ、力点位置を検出する力点検出センサ6とを備える微小力測定装置1を提供する。 (もっと読む)


【課題】 部品点数を減らして小型化を図ることができ、しかも複数の端子電極と実装用回路基板上の接続用電極との間に偏った力が発生するのを防止して正確な力検出を行うことができる半導体力センサ及び半導体力センサモジュールを提供する。
【解決手段】 センサ素子3の表面上に、変換部13の回路15に形成された複数の端子電極17の他に、表面実装用回路基板上にセンサ素子3を表面実装する際に利用される複数の実装用電極19A,19Bを設ける。複数の実装用電極19A,19Bは、球体5を通してダイアフラム部9に力が加わった際に、複数の端子電極17と実装用回路基板C上の複数の接続用電極C1との間に加わる力が軽減される位置に設ける。 (もっと読む)


【課題】 従来の触覚センサとは全く異なる新規な構造を有する触覚センサ、およびそれを用いた触覚センサユニットを提供する。
【解決手段】 基板101と基板101の上に配置された被膜104とを含み、被膜104に加えられた力を検出する触覚センサである。基板101の上に基板101側から順に配置された第1および第2の層122および123を含む積層部102と、層122および123を層123側に曲げることによって形成された起立部103と、起立部103の変形を検出するための検出手段とを含む。積層部102および起立部103は、それぞれ、互いに格子定数が異なる複数の層を含む。層122および123は、上記複数の層における格子定数の差によって生じた力によって曲げられている。起立部103と被膜104とが接触しており、被膜104に力が加えられることによって起立部103が変形する。 (もっと読む)


【課題】耐酸化性、耐薬品性、および耐水性に乏しい感圧材料であるイッテルビウムに適する構造を持つ圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力センサ1は、導電性基板10と、導電性基板10上に設けられたポリイミド膜20と、ポリイミド膜20によって導電性基板10と電気的に絶縁されたイッテルビウム膜33を含む感圧部30と、を有する。ポリイミド膜20上には、酸化防止膜34が設けられている。 (もっと読む)


【課題】 MOSFET構造を用いた、小型で、検出感度が高いMEMS素子と、CMOS製造プロセスによる安価なMEMS素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 MEMS素子10は、Si基板20にMOSFETを形成する工程を用いて製造されるMEMS素子であって、MOSFETを構成するソース領域32とドレイン領域31とゲート酸化膜65とゲート酸化膜65の表面に形成されるゲート電極50と、を備え、ゲート酸化膜65をエッチング工程により除去し、ゲート電極50とSi基板20との間に第1の空隙を開設し、ゲート電極50が外力によって変形し、第1の空隙70の大きさが変化することで発生するゲート容量の変化をドレイン電流の変化として検出する。また、このMEMS素子10は、CMOS製造プロセスによって製造される。 (もっと読む)


【課題】 広い温度範囲において検出精度に優れた荷重センサを提供すること。
【解決手段】 Y23が添加されたZrO2よりなるマトリックスと、マトリックス中に分散したLa1-xSrxTiO3+y(0.03≦x≦0.40、−0.2≦y≦1.0)よりなるピエゾ抵抗効果材料と、からなるピエゾ抵抗素子を有する。本発明の荷重センサは、広い温度範囲において検出精度に優れた荷重センサとなっている。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも1つのセンサユニット、例えばカンチレバーを備えるセンサに関する。当該センサユニットは、捕獲表面領域、およびピエゾ抵抗素子にわたって電界が印加されたときのセンサユニットの応力変化を直接検出するピエゾ抵抗式検出システムを含む。ピエゾ抵抗素子は、電流方向の縦方向および該方向に対し垂直な横方向を有する。縦方向および横方向はそれぞれ、応力成分および電流成分を有する。ピエゾ抵抗素子は、異方性材料をでできており、該ピエゾ抵抗素子の長さの少なくとも25%に沿った縦方向のピエゾ抵抗係数πと横方向のピエゾ抵抗係数πの和の数値が少なくとも10−10Pa−1×P、例えば2×10−10Pa−1×P、例えば3×10−10Pa−1×P、例えば4×10−10Pa−1×Pであるように配列され、式中、Pは、ピエゾ抵抗ファクタであり、ピエゾ抵抗係数πおよびπは、縦方向を判定するのに用いられる座標系の成分として求められる。
(もっと読む)


【課題】 検出感度が高く、かつ広範囲にわたる触圧を検出することができる触覚センサ素子を提供する。
【解決手段】 触覚センサ素子13は、コイル状炭素繊維をマトリックス樹脂に分散させて形成される複数の層が積層して構成されている。複数の層を形成するマトリックス樹脂は、硬度が異なるように構成することが好ましく、また各層に分散されるコイル状炭素繊維の含有量が異なるように構成することが好ましい。例えば、触覚センサ素子13が2層で構成され、触圧を受ける上層24を形成するマトリックス樹脂の硬度がJIS A硬度で10〜30であって軟らかく、下層23を形成するマトリックス樹脂の硬度がJIS A硬度で30〜100であって硬くなるように構成される。 (もっと読む)


81 - 90 / 99