【課題】半導体の歪みゲージのチャネル発生を防止するもので、拡散抵抗領域の周囲に不純物や電荷が付着した場合、あるいは半導体基板の不純物濃度が低い場合に電極パッド間に発生しやすくなるチャネルの発生を防止して、出力の抵抗値を安定させることのできる、各種加速センサ、圧力センサ等に利用できる半導体歪みゲージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定の導電型の半導体基板の表面に形成され、該半導体基板とは反対導電型の拡散抵抗領域を備え、その拡散抵抗領域の両端に電極を備えた半導体歪みゲージにおいて、拡散抵抗領域の周囲にその半導体基板よりも高濃度に不純物がドープされた半導体基板と同一導電型の高濃度不純物拡散層を備え、上記電極の一方がその高濃度不純物拡散層まで伸びて形成されてその拡散抵抗領域と該高濃度不純物拡散層とが接続される。 （もっと読む）

本発明は、固体アクチュエータ上に配置されると共にピエゾ抵抗特性を有するアモルファスカーボン層を含む力測定デバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】小型化を図るとともに、２軸応力の検出精度を向上させることが可能な応力検出センサを提供すること。
【解決手段】少なくとも主面１ａが絶縁体層１Ｂにより形成されている基板１と、主面１ａ上に形成された１対の帯状の抵抗体２Ａ，２Ｂと、を備えており、１対の抵抗体２Ａ，２Ｂが、互いに直交し、かつこれらの中央部２Ａａ，２Ｂａどうしが重なり合う構成とされた、応力検出センサＡ１であって、１対の抵抗体２Ａ，２Ｂのうち少なくともこれらの両端縁２Ａｄ，２Ｂｄは、いずれも主面１ａに接している一方、それぞれの中央部２Ａａ，２Ｂａの間には、絶縁体層３ａが介在しており、１対の抵抗体２Ａ，２Ｂのうち少なくとも一方は、中央部２Ｂａと両端縁２Ｂｄとの間に段差部２Ｂｃを有する。 （もっと読む）

本発明によって、圧力もしくは力を検出するためのセンサ装置の特に廉価な変化形が提案される。このセンサ装置は、極めて単純で、頑丈でかつ簡単に使用され得る構造の点で優れていると同時に、大衆消費電子装置における使用のために必要となる精度を持って測定値検出を可能にしている。このためにはセンサ装置は、半導体基板から形成された、曲げに対して敏感な少なくとも１つのセンサエレメント（３）を有していて、該センサエレメント（３）は、ハウジング（１）内に十分にモールディング封止されている。ハウジング（１）が、少なくとも１つの目標曲げ箇所（４）を有しており、該目標曲げ個所（４）に、検出したい圧力もしくは検出したい力が作用するようになっている。センサエレメント（３）は、目標曲げ箇所（４）の領域に配置されていて、ハウジング（１）と一緒に曲げられるようになっており、センサエレメント（３）が、曲げの発生時に、相応する出力信号を供給するようになっている。
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【課題】特定方向のひずみ成分を精度良く測定することができる力学量測定装置を提供する。
【解決手段】半導体単結晶基板，半導体チップ内に少なくとも二組以上のブリッジ回路を形成し、前記ブリッジ回路のうち、ひとつのブリッジ回路が、電流を流して抵抗値の変動を測定する方向（長手方向）が該半導体単結晶基板の＜１００＞方向と平行であるｎ型拡散抵抗を形成し、もう一つのブリッジ回路は＜１１０＞方向と平行であるｐ型拡散抵抗を組み合わせて形成する。 （もっと読む）

【課題】 検出感度が向上した力検知素子、あるいは、作用する力と出力の間に比例関係が得られる範囲が拡大した力検知素子を提供する。
【解決手段】 基礎ブロック４と、基礎ブロックの表面に密着している受圧ブロック２を備えている。受圧ブロック２に力が作用すると、受圧ブロック２と基礎ブロック４の密着面に応力分布が生じる。最大応力と最小応力の間に設定されている閾値よりも低い応力が分布している領域（すなわち応力非集中領域）と前記閾値よりも高い応力が分布している領域（すなわち応力集中領域）のいずれか一方に、ピエゾ抵抗効果を発揮する抵抗路が選択的に形成されている。ピエゾ抵抗効果が出現する抵抗路が、応力非集中領域または応力集中領域のいずれか一方にのみ形成されていると、力と出力の間に比例関係が得られる範囲が拡大し、あるいは力検知素子の検知感度が向上する。 （もっと読む）

【課題】幅広い測定範囲（測定レンジ）の物理量を安定した測定結果でセンシングすることができ、形状設計の自由度が大きく、成型性に優れたセンサー用複合体を提供する。
【解決手段】ヤング率が異なる複数のポリマーのブレンド物を用いて形成された相分離構造１，３を有するポリマーマトリクスと、導電性フィラーとを複合化してなるセンサー用複合体であって、上記ポリマーマトリクスは、上記複数のポリマーの中で最もヤング率が低く、そのヤング率が０．１〜５０ＭＰａの範囲であるポリマー（Ａ）を主成分とする低ヤング率相１と，上記複数のポリマーの中で最もヤング率が高く、そのヤング率が上記ポリマー（Ａ）のヤング率の３倍以上であるポリマー（Ｂ）を主成分とする高ヤング率相３とに分離した相分離構造を有し、かつ、上記相分離構造１，３のうち、少なくともポリマー（Ａ）を主成分とする低ヤング率相１中に上記導電性フィラー２が分散含有されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、省スペース性を確保しつつ高い電気抵抗値を有する圧力検出素子を提供することを第１の目的としている。
【解決手段】 本発明は、外力の作用により電気抵抗値が変化する略環形状の感圧体と、前記感圧体の外周面に接合された一対の導線とを有する圧力検出素子である。このように感圧体を環形状とし、その外周面に導線を接合することにより、感圧体を流れる電流の経路を略環形状に形成することができる。したがって、同一の電流の経路長を例えば矩形状の感圧体で確保する場合に比べいたずらに感圧体を大きくする必要がなく、感圧体の省スペース性を確保しつつ電気抵抗値を高めることができる。なお、感圧体の形状は、圧力検出素子の用途により適宜選択されるものであり特に限定されないが、製造の容易さの面から略円環状とすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上への製造や、軽量化、構造・プロセスの簡素化が可能であり、フレキシブルで、大面積化が可能な新しい圧力センサデバイスを提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に、少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、有機半導体層及びゲート絶縁層を有し、該ゲート絶縁層の少なくとも一層がゴム弾性を示す弾性層である圧力センサ。 （もっと読む）

【課題】高感度な機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサを提供するにある。
【解決手段】センサ構造体１はシリコン基板よりなり、裏面側の一部を異方性エッチングして薄肉の受圧部たるダイヤフラム２を有する凹部３を形成している。ガラス製の台座４は凹部３に流体圧力を導入するための圧力導入孔５を設け、センサ構造体１の裏面に接合されている。ダイヤフラム２の両側の周縁部の中央に対応する位置には、ダイヤフラム２の周囲のセンサ構造体１の表面に跨るようにカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２を設けている。これらカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２とともに、検出信号取り出し用のブリッジ回路を組む基準用抵抗素子６３，６４をダイヤフラム２の周囲のセンサ構造体１表面上に配置固定している。 （もっと読む）