【課題】圧電素子を用いずに印加された圧力を記憶することができる記憶素子及び記憶装置を提供する。
【解決手段】複数の記憶素子が縦横に並べて配置されている。各記憶素子には、抵抗変化素子を備えた抵抗変化部１、及び印加された圧力に応じて流れる電流が変化する電流変化部２が設けられている。電流変化部２には、定電圧が供給される。抵抗変化部１と電流変化部２との間にはビット線ＢＬが接続され、抵抗変化部１の他端にはトランジスタ３のソース・ドレインの一方が接続されている。トランジスタ３の他方のソース・ドレインは信号線ＳＬに接続され、トランジスタ３のゲートはワード線ＷＬに接続されている。 （もっと読む）

【課題】ゲージ率が大きく微小な歪みの検出が可能であるとともに、ゲージ率の調整が容易であり、高精度の測定回路を必要としない歪み検出装置及び歪み検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネルが形成される圧電材料からなる層と、を有する歪み検出素子と、前記歪み検出素子の前記ゲート電極と前記ソース電極との間にゲートソース間電圧を印加する電圧印加手段と、前記歪み検出素子の前記ドレイン電極と前記ソース電極との間に流れるドレインソース間電流を検出する電流検出手段と、前記電流検出手段の検出結果に基いて歪み量を検出する歪み量検出手段と、を有する歪み検出装置であって、前記ゲートソース間電圧は、前記歪み検出素子に歪みを印加していないときの前記ドレインソース間電流と、前記歪み検出素子に所定の歪みを印加したときの前記ドレインソース間電流との差である電流変化量が所定の値以上になるように印加されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 規格化された高さのゲージ部を有する力検知素子を簡易に製造する方法を提供する。
【解決手段】 力検知素子１００は、基部層２と絶縁層４と半導体層６が積層された積層基板７を有している。一対の電極１０ａ、１０ｂ間を所定高さで伸びているゲージ部１４が、半導体層６に設けられている。力検知素子１００の製造方法は、ゲージ部１４の所定高さよりも厚い半導体層６を有する積層基板７を用意し、半導体層６の表面からゲージ部１４の所定高さだけエッチングして第１溝１５を形成し、第１溝１５の側方に凸状のゲージ部１４を形成する第１エッチング工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、温度、又は、使用者が印加する力を認知することができるセンサーに関するものであり、より詳しくは、メンブレン構造に形成され、性能が優れながら、スクリーン印刷法を通じて抵抗層を形成することにより製作が容易な触覚センサーとその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の具体的な手段として、底部に凹部が形成され、且つ該凹部によりメンブレンが形成された高分子層と、高分子層の一面に形成された抵抗層と、抵抗層の周囲に形成された伝導層とを含むことを特徴とするメンブレン構造を有する触覚センサーに関する。また、本発明は生産が簡単で、費用が安いメンブレン構造を有する触覚センサーの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ゲージ率が大きく微小な歪みの検出が可能であるとともに、ゲージ率の調整が容易な歪み検出素子、歪み検出装置及び歪み検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネルが形成される圧電材料からなる層と、を有する歪み検出素子である。 （もっと読む）

【課題】ポッティング剤内部又は界面に存在する電荷による出力信号のオフセットを改善する。
【解決手段】半導体圧力センサ１の出力信号を計測する際、ステップＳ１の処理として半導体圧力センサ１のブリッジ回路の４つの端子（接地端子ＧＮＤ，バイアス電圧印加用端子Ｖｄｄ，及び電圧出力端子Ｖｏｕｔ＋，Ｖｏｕｔ−）のうち、少なくとも２つの端子を測定単位周期ｔｎに合わせて同時に接地又は同電位にする、若しくは、４つの端子を２端子ずつ順序だてて接地又は同電位にした後、ステップＳ２の処理として各端子を通常の配線状態にして半導体圧力センサ１の出力信号を計測する。 （もっと読む）

【課題】布設性に優れ、かつ高精度な荷重検出が可能なケーブル型荷重センサを提供する。
【解決手段】平行に配置された２本の導体１１と、弾性を有し上記２本の導体１１の周囲を覆う被覆部１２とからなり、上記２本の導体１１が、ニッケルクロム系合金、鉄ニッケル系合金、銅ニッケル系合金、ニッケルチタン系合金のいずれかからなるケーブル型荷重センサ１０である。 （もっと読む）

【課題】 半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、特性が長期間安定し、測
定対象物の歪に応じて歪センサーチップに生じる歪の変換係数が、歪測定レンジにおいて
安定にする。
【解決手段】 歪センサーチップ裏面とベース板表面を接合し、ベース板の裏面に歪セン
サーチップの側辺部に側辺長以上の長さで、歪センサーチップ接続部と接続エリアを分断
する溝を形成する。歪センサーチップの裏面に溝に挟まれた突出部が形成されることで、
表裏の剛性バランスが改善し、歪センサーチップの曲げ変形が起こり難くなり、歪の変換
係数を安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な回路構成で物理量センサの温度補償が行える物理量センサ温度補償回路を提供すること。
【解決手段】２次の温度特性を持つ物理量センサのオフセット電圧温度特性を、一つの屈折点を有する２本の直線による折れ線で示される温度特性補償信号に基づき補償することを特徴とする物理量センサ温度補償回路である。 （もっと読む）

【課題】 半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、センサーチップからの放
熱を良くし、温度上昇や熱変形によるセンサー特性の変化を抑制する。
【解決手段】 半導体にピエゾ抵抗素子を形成した歪センサーチップと金属性のベース板
、センサーチップの電極から外部に配線を引き出す配線を有し、歪センサーチップはベー
ス板に金属材料により接合され、ベース板にはセンサーチップの接合部を挟む少なくとも
２箇所に、測定対象物に接続するための接続エリアを有する半導体歪センサーを構成する
。センサーチップが金属性のベース板に金属材料で接合されていることから、センサーチ
ップで発生した熱が、センサーチップ裏面からベース板に逃げやすく、センサーチップの
温度上昇、およびセンサーチップとベース板の温度不均一による熱変形を防げる。 （もっと読む）