【課題】 所望の特性を安定して得ることができる力検知装置を提供すること。
【解決手段】 力検知装置１０は、半導体基板２０とブロック５０を備えている。半導体基板２０は、表面に溝４０が形成されており、その溝４０を横断するメサ段差２４が形成されており、そのメサ段差２４を通過してメサ段差２４と溝４０の境界を越えて伸びている不純物導入領域２２が形成されている。ブロック５０は、溝４０の周囲に位置する半導体基板２０の表面と不純物導入領域２２の一端に当接して溝４０を封止している。不純物導入領域２２の一端は、ブロック５０を介して外部電流源と電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】
ｐ型不純物層とｎ型不純物層との組み合わせより構成される多軸ひずみ計測が可能な半導体チップにおいて、製造時における感度ばらつきが大きいため、計測精度が低下する。
【解決手段】
ｐ型不純物層４ｂ，４ｄのシート抵抗値を１２０Ω以上、ｎ型不純物層４ａ，４ｃのシート抵抗値を１００Ω以下とする。さらにｐ型不純物層４ｂ，４ｄから構成されるひずみ検知部の折り返し回数を、ｎ型不純物層４ａ，４ｃより少なくする
【効果】
ｐ型不純物層の感度ばらつきを減少できるとともに、ｐ型不純物層とｎ型不純物層のひずみ感度の温度依存性を揃えることができ、多軸ひずみ計測精度の向上が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 メサ段差を利用する力検知装置において、作用する荷重と抵抗変化率の間の直線性を改善する技術を提供すること。
【解決手段】 力検知装置１０は、複数の溝４４ａ、４４ｂが形成されている溝群領域４０を有する半導体基板２０と、その溝群領域４０を被覆している力伝達ブロック５０と、溝群領域４０外の一方から溝群領域４０内の溝４４ａと溝４４ｂの間のメサ段差４２を通過して溝群領域４０外の他方まで伸びている不純物導入領域３４、３５、３６を備えている。不純物導入領域３５は、メサ段差４２の側面Ｓと頂面Ｔの間に位置する角部以外の領域に形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】手首の大きさに関係なく、微小な脈拍変化を高感度に検出でき、かつ汗を蒸発し易くして皮膚組織がかぶれない微小圧力検出装置を提供する。
【解決手段】複数の円形の貫通穴Ｈをあけた高分子フィルム２と、各貫通穴Ｈの内壁に形成され両開口に延びる導電層１２と、各貫通穴Ｈの一方の開口の導電層１２の上に設けられたカーボンナノ部材からなる環状の感圧抵抗素子３と、各貫通穴Ｈの他方の開口の導電層１２の上に設けられた環状の受信端子７と、各感圧抵抗素子３にそれぞれ接続される電源線５と、各受信端子７にそれぞれ接続される信号線１０とを有し、別の貫通穴Ｈ’の上に信号処理部８を設けて、これに導電層１２および信号線１０をそれぞれ電気的接続をして、信号処理部８から感圧抵抗素子３に電気を流すことで微小圧力検出回路を形成した。 （もっと読む）

【課題】製造方法を大幅に簡略化することができる立体構造の片持梁状の揺動部を備える半導体装置の製造方法、半導体装置及び該半導体装置を備える感圧センサを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板７の裏面側からエッチングしてシリコン酸化膜４が露出するまでシリコン基板１を凹状に除去し、シリコン基板１が除去された空間１ａに面するシリコン酸化膜４及び該シリコン酸化膜４上の単結晶シリコン膜３の一部をエッチングにより除去して、圧縮応力を有するシリコン酸化膜４及び単結晶シリコン膜３よりなる片持梁状のカンチレバー１０を形成する。これにより、ＳＯＩ基板７上で反り上がったカンチレバー１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス層を介して力覚センサ用チップと減衰装置とを陽極接合する際の接合劣化を防止する。
【解決手段】伝達された外力Ｆを歪み抵抗素子で検出する力覚センサ用チップ２と、力覚センサ用チップ２を固定するとともに外力Ｆを減衰して力覚センサ用チップに伝達する減衰装置３と、を備え、力覚センサ用チップ２と減衰装置３とがガラス層を介して接合された力覚センサの製造方法であって、（ａ）ガラス層として、力覚センサ用チップ２にガラス薄膜１０を成膜する工程と、（ｂ）力覚センサ用チップ２側に負電圧をかけ、減衰装置３側に正電圧をかけて、力覚センサ用チップ２に成膜されたガラス薄膜１０と減衰装置３とを陽極接合により接合する工程と、を含むことを特徴とする。また、ガラス薄膜１０を蒸着法またはスパッタリング法により成膜する。 （もっと読む）

【課題】ノイズが発生したとしてもセンサ出力演算でキャンセルされ、ドリフトノイズを低減し、安定した力およびモーメント検出を行える力覚センサ用チップを提供する。
【解決手段】力覚センサ用チップ１は、外力作用領域部３ａを有する作用部３と、この作用部３を支持する支持部４と、作用部と支持部を連結する連結部５を備え、連結部５は、作用部の周囲に位置する少なくとも環状中間部（５Ａ，５Ｂ）と、作用部と環状中間部を連結する第１連結腕部５１と、支持部と環状中間部を連結する第２連結腕部５２とから成る半導体基板２と、連結部における第１連結腕部と第２連結腕部のそれぞれの変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Ｓxa1〜Ｓxa3，Ｓya1〜Ｓya3，Ｓxb1〜Ｓxb3，Ｓyb1〜Ｓyb3とを備える。 （もっと読む）

【課題】外圧の大きさおよび方向を高感度で検出することができるとともに製造が容易な触覚センサ、およびその製造方法ならびに触覚センサユニットを提供することである。
【解決手段】触覚センサ１００は、カンチレバーＣＬおよびエラストマー層１０５を有する。カンチレバーＣＬは、ノンドープ層１０３ａおよびドープ層１０３ｂを有する。ドープ層１０３ｂの格子定数はノンドープ層１０３ａの格子定数より小さい。これにより、カンチレバーＣＬは湾曲している。ドープ層１０３ｂは、結晶シリコン膜にホウ素を添加することにより形成されている。エラストマー層１０５に外圧が加わることにより、カンチレバーＣＬが変形する。カンチレバーＣＬが変形することにより、ドープ層１０３ｂのピエゾ抵抗が変化する。したがって、ドープ層１０３ｂのピエゾ抵抗の変化を検出することにより、触覚センサ１００に作用する外圧の大きさおよび方向を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】バネから直接に荷重や変位情報を簡単に取り出す検出方法とその装置を提供する。
【解決手段】バネ１が引張，圧縮の変形をする時にそれ自体の微小な抵抗変化を電圧変化，あるいは抵抗変化そのものを検出する。電圧変化として測定する場合，平衡回路として４個の抵抗を組んで成るホイートストンブリッジ回路のアクティブ抵抗３に並列，あるいは直列にバネに取り付けたリード線２を介してバネを抵抗体として導入して検出する。バネ以外の板や棒材の変形についても同じである。 （もっと読む）

【課題】温度の影響を受けることなく、正確に目的の応力演算値を得ることができる応力センサを提供する。
【解決手段】基板２００と、この基板２００上に形成されたセンサ素子用抵抗体３１０と、を備え、上記センサ素子抵抗体３１０は、他の３つの抵抗素子と組み合わされてブリッジ回路が構成される応力センサであって、上記基板２００には、上記他の３つの抵抗素子のうちの１つの抵抗素子３１１が、温度補償用抵抗として、上記センサ素子用抵抗体３１０と同一もしくは略同一の抵抗温度係数をもつ材質によって形成されている。 （もっと読む）