【課題】ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を備えたトランジスタ型の歪み検出素子であって、金属製歪みゲージよりも格段に優れた検出感度を有する歪み検出素子の提供。
【解決手段】ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネルが形成される圧電材料からなる層と、を備えた歪み検出素子であって、（ａ）上記ゲート電極の長さが２μｍより大きいこと、（ｂ）上記ゲート電極の幅が１ｍｍより小さいこと、（ｃ）上記ゲート電極と上記ソース電極の距離と、上記ゲート電極と上記ドレイン電極の距離との和が１３μｍより大きいこと、の３条件のうち少なくともいずれか１つの条件が成立していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】材料における変位、衝撃、応力、および/または歪みを検出できるカーボンナノチューブを含んだデバイスを提供する。
【解決手段】デバイスは、複数のカーボンナノチューブを含む検知素子および前記複数のカーボンナノチューブと接触している電気プローブを含み、前記電気プローブは、測定可能な方法で前記複数のカーボンナノチューブの抵抗率の変化に敏感に反応し、前記電気プローブは、前記抵抗率の変化により生じる電圧の変化を測定し、ここで、前記電圧の変化は、−１３０Ｖ〜１７０Ｖの範囲でほぼ直線的に変化し、そして、前記デバイスを応力にさらす結果として前記電圧の変化が生じる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノワイヤ型のセンサ装置に関する。
【解決手段】本センサ装置は、導電性の第一の領域（２）及び絶縁体の第二の領域（４）を有する少なくとも一つのナノワイヤを備え、この第二の領域は、ナノワイヤの厚さ全体を占めることはなく、電流が、ナノワイヤ中を、そのナノワイヤの一端から他端へと循環することができる。 （もっと読む）

【課題】計測誤差を少なくした圧力センサーを用いたステアリング装置を提供する。
【解決手段】基板１１（第１剛体）上に絶縁層１２が設けられていて、この絶縁層１２上に密着層１３を介して圧力検知膜１４が設けられている。圧力検知膜１４は絶縁層全面を覆う保護層１５により覆われている。さらに、保護層１５の上全面を覆うようになじみ層１６が設けて、圧力検知膜１４によって生じた段差をなくした。 （もっと読む）

【課題】被覆体の縁部が基板の一面から剥がれることを防止することができるセンサ装置の製造方法を提供する
【解決手段】基板１０１の一面上の複数の触覚センサ２００を取り囲むように、基板１０１の一面上にエラストマからなる枠部材１１１を接着剤により接着する。複数の触覚センサ２００を被覆するように、基板１０１上の枠部材１１１の内側の空間に流動性のエラストマを充填し、硬化させる。それにより、枠部材１１１の内側に複数の触覚センサ２００を被覆するエラストマからなる被覆層１１２が形成される。枠部材１１１と被覆層１１２とは被覆体１１０として一体化される。 （もっと読む）

【課題】回転軸の曲面に貼ることのできる単結晶シリコン製のひずみセンサチップおよびひずみセンサチップの使用システムであって、ひずみセンサチップを曲げたときの内蔵ブリッジ回路の出力オフセットを小さくすることのできるひずみセンサチップを提供する。
【解決手段】ひずみセンサチップの内蔵ブリッジ回路を構成する不純物拡散層のうち、回転軸の長手方向と平行となる不純物拡散抵抗拡散層に＜100＞方向を長手方向とする調整用のダミー抵抗を直列に接続する。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル材を用いずに高い接続信頼性を有し、リペア可能な構成を備え、低コスト化及び環境への負荷の軽減が図れる半導体センサデバイスを提供する。
【解決手段】本発明の半導体センサデバイス１は、第一基板２１に形成されたセンサ回路、該センサ回路と電気的に接続された第一導電部２３、該第一導電部と電気的に接続された第一再配線層２５、を少なくとも備える半導体センサチップ１１と、第二基板３１に形成され、前記センサ回路からの電気信号を処理する処理回路、該処理回路と電気的に接続された第二導電部３３、該第二導電部と電気的に接続された第二再配線層３５、を少なくとも備える半導体チップ１２と、を備え、前記第一再配線層と前記第二再配線層とが導電性の接続部材１３を介して電気的に接続されてなる半導体センサデバイスであって、前記第一再配線層および／または前記第二再配線層の厚さが８μｍ以上２０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で加圧点の位置を検出できる接触センサを提供する。
【解決手段】梁部と、前記梁部の両端を支持する支持部と、前記梁部の両端近傍に設けられた一対の抵抗素子と、前記抵抗素子を可変抵抗とするブリッジ回路を有し、前記ブリッジ回路の出力電圧に相関する信号を前記梁部の加圧点の位置に対応する信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】 寄生ダイオードによるリーク電流を抑制し、温度補償された力検知素子を提供すること。
【解決手段】 力検知素子１００は、シリコン基板１０と、そのシリコン基板１０上に設けられている絶縁層２０と、その絶縁層２０上に設けられているｐ型のデバイス層３０と、そのデバイス層３０上に設けられているとともに間隔を置いて配置されている正側電極６０ａ及び負側電極６０ｂを備えている。デバイス層３０には、正側電極６０ａに電気的に接続されるとともにｐ型の不純物濃度が残部よりも濃いゲージ部３７と、負側電極６０ｂに電気的に接続されるｎ型領域３６が形成されている。 （もっと読む）

装置は基板上の入力装置を含む基板と、入力装置の領域の外で基板上に形成される少なくとも１つのピエゾ抵抗センサと、を含むかもしれない。装置は、基板上で形成されるディスプレイ、基板上で作られる少なくとも１つのピエゾ抵抗センサと加えられた力を計算して、計算された加えられた力に基づく力反応を起動させるプロセッサを含むかもしれない。方法は、表示装置に印加される力の変化を検出する一つ以上のピエゾ抵抗センサと関連した抵抗をモニターすること、一つ以上のピエゾ抵抗センサと関連した抵抗の変化を検出すること、抵抗の変化の検出に基づいて表示装置に印加される力を計算すること、計算された加えられた力に比例した力反応を起動させること、及び、表示装置によって力反応の結果を示すことを含むかもしれない。 （もっと読む）