【課題】 検知感度を悪化させないで、力伝達ブロックと半導体基板との接合強度を強固にする。
【解決手段】 半導体基板２２と力伝達ブロック３２を備えた力検知装置である。半導体基板２２の表面の一部の領域には、その領域が歪むと抵抗が変化するドープ領域２５が形成されている。力伝達ブロック３２は、ドープ領域２５とそのドープ領域２５を囲繞する囲繞領域３４において、半導体基板２２表面に接している。力伝達ブロック３２は、その囲繞領域３４の外周輪郭３３よりも外部に突出していない。さらに、半導体基板２２表面と直交する方向の力伝達ブロック３２の高さは、ドープ領域２５において高く、囲繞領域３４において低く調整されている。 （もっと読む）

二重クランプビームが、近くにゲートを有するビーム内に、ゲートとビームのダイポールに対しサブミクロンの距離以内に非対称のピエゾ抵抗層を有している。懸架ビームが、プラズマチャンバー中にそれぞれ1:9の流量比で供給されるCl₂/Heで行うプラズマエッチング法を利用して製造される。パラメトリック増幅器が、共振で駆動されるNEMS信号ビーム及び2倍の共振で駆動される一対のポンプビームを備え、ポンプビームに変調されたローレンツ力を生成して前記信号ビームのばね定数を摂動させる。ブリッジ回路が、第一と第二のアーム内の第一と第二のNEMSビームに励起信号の二つの位相の合っていない成分を提供する。DC電流が、共振周波数のチューニングを行なうためAC駆動NEMS装置に供給される。分析器が、異なる共振周波数と複数の駆動/検出エレメントを有する複数のピエゾ抵抗NEMSカンチレバー、又は光学的回折格子を形成する相互に作用する複数のビーム、又は各々異なる被検体に応答する複数の歪検出NEMSカンチレバー、又は異なるIR吸収体を有する複数のピエゾ抵抗NEMSカンチレバーを備えている。
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【課題】 半導体歪みゲージの回転を抑制すると共に正確な測定を可能にする歪み測定装置を提供する。
【解決手段】 ガラスペーストを用いて起歪体に貼り付けられる半導体歪みゲージ１を備えた歪み測定装置であって、前記半導体歪みゲージ１はピエゾ抵抗素子２が設けられた回路基板部３と、回路基板部３から延びている回転抑制延出部４とを有しており、回路基板部３の対向する２辺の少なくとも一方から回転抑制延出部４が延びていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小さなダイヤフラムサイズであっても高感度の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム３が形成されたＳＯＩ基板２と、ＳＯＩ基板２上に設けられた４つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを有する。各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４のうち互いに対向する２つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４は、その全長をＬ、ダイヤフラム３の内側からエッジまで長さをＬeffとしたとき、０．５＜Ｌeff／Ｌ＜１なる関係を満たすように、ダイヤフラム３の内側と外側とに跨って配置されている。 （もっと読む）

本発明は、基板（１、１１）に設けられた有機電界効果トランジスタ（１０）を備える力センサに関するものである。本発明によれば、該トランジスタへの機械的な作用力は、ソース−ドレイン電圧またはソース−ドレイン電流（Ｉ_Ｄ）の対応する変化を引き起こす。これにより、該変化は、印加される力に対する測定変数（Ｖ_測定、Ｉ_測定）として、それぞれ検出される。また、本発明は、このタイプの力センサを用いる膜ベースの圧力センサ、このタイプの力センサを複数用いる一次元または二次元の位置センサ、並びにこのタイプの力センサを複数用いる指紋センサに関する。
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【構成】本発明は、一次巻線から形成される少なくとも一つのインダクタ（２）を有する発振器（１）と、電気誘導によりゲージ（１１）と接続され且つ発振器（１）のインダクタ（２）と変成器結合状態で配置される二次巻線（３０）を有する少なくとも一つのゲージ（１１）とを備えた力の測定用トランスデューサに係わる。ある力が該ゲージ（１１）に作用した場合、該ゲージ（１１）のインピーダンス及び誘導結合された二次巻線（３０）のインピーダンスが変化する。該ゲージに作用する力に比例して該発振器（１）において生じる周波数変化は、判別回路（１４）によって測定する。 （もっと読む）

接触型圧力センサ（１０）及び２つの表面の間の接触圧力を検知するための接触型圧力センサの製造方法が開示される。開示された接触型圧力センサは、センサを支持するための基材（４０）及び接触型圧力センサに加えられた圧力に感応する接触圧力感応層（２６）を備える。開示された製造方法は、第１のプロセス支持基材（２０）上に形成されたプロセス後の構造物（８）を、該第１のプロセス支持基材から第２の接触型圧力センサ支持基材（４０）まで移動させることも含む。 （もっと読む）

【課題】 高応力，高圧力等の高力学量を耐圧容器等を用いることなく直接測定可能な力学量センサを構成可能な力学量センサ材料を提供すること。
【解決手段】 電気絶縁性セラミック材料１１よりなるマトリックスに圧力抵抗効果材料１２を電気的に連続につながるように分散させてなる。 （もっと読む）