【課題】半導体装置からのエミッションの検出を加熱しながら行う半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１は、半導体チップ２を載置する観察ステージ１６を、半導体チップ２の基板材料と同じＳｉで製造し、半導体チップ２の裏面側に撮像素子３５を配置した。半導体チップ２で発生した微弱な光は、半導体チップ２、観察ステージ１６を透過して撮像素子３５に入射する。観察ステージ１６は、Ｓｉから製造されているので、ヒータ２５によって簡単に加熱できる。また、観察ステージ１６の上方には、プローブカード１９及びＬＳＩテスタ２０が配置されており、半導体チップ２の回路のテストが可能である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体装置における故障位置をＯＢＩＲＣＨ法により解析して特定できるようにした半導体装置の故障位置解析方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の基板の裏面側から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法において、前記半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置であり、前記レーザー光として、波長６５０〜８１０ｎｍのレーザー光を用いる。 （もっと読む）

【課題】 スキャンチェーンの検査を好適に行うことが可能なスキャンチェーン検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０のスキャンチェーンに検査信号を供給する検査信号供給部１８と、スキャンチェーンの各レジスタでの検査信号の信号レベルの時間変化を測定するレジスタ測定部２０と、測定部２０による測定結果に基づいて各レジスタにレジスタ番号を付与するレジスタ番号解析部５１を有する検査解析装置５０とによってスキャンチェーン検査装置１Ａを構成する。供給部１８は、信号長ｎが異なるｍ種類の検査信号列を供給する。解析部５１は、信号長ｎの検査信号列を用いた測定結果からスキャンチェーンの複数のレジスタをｎ個のグループに分けるグループ分けをｍ種類の検査信号列のそれぞれについて行い、その結果に基づいて各レジスタにレジスタ番号を付与する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の不良解析技術において、解析成功率の向上や解析時間の短縮を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】ショートしていると推測される一方の特定配線を特定（Ｓ１０３）し、その相手と推測される隣接配線の抽出（Ｓ１０４）をおこない、両配線間において電圧状態（論理状態）が異なる異電圧時間帯の算出（Ｓ１０７）をし、その異電圧時間帯で発生する発光現象の頻度を調査することにより、上記一方の特定配線に対して、どの隣接する配線がショートしているのかを短時間で確実に推定する。 （もっと読む）

【課題】レーザパルス光の照射に応じて半導体デバイスにて発生する電磁波パルスの強度を非接触状態で向上させる技術を提供すること。
【解決手段】半導体デバイスを検査する半導体検査装置１００である。半導体検査装置１００は、半導体デバイスが形成されている基板１に対してレーザパルス光２を出射するレーザパルス光源１４と、レーザパルス光２が照射される照射位置１０に対して逆方向バイアスをかけるための逆バイアス用電磁波パルス４を照射する電磁波パルス照射部１８と、
レーザパルス光２の照射に応じて照射位置１０から放射される電磁波パルス３を検出する検出部１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、テストパターンを長く複雑なパターンにする必要がなく、スクリーニングで検出することができる回路パターンの不具合の割合を増やすことができる半導体検査装置、および半導体検査方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板に形成した複数の半導体チップに対してスクリーニングを行なう半導体検査装置１０である。半導体検査装置１０は、ステージ２と、プローブ４と、テスタ部８と、光検出部５と、発光解析部６と、主制御部７と、異常判定部９とを備えている。光検出部５は、光学的なスクリーニングを行なうために、回路パターンに印加した電気信号に基づく発光を、半導体基板の他方の面側から検出する。異常判定部９は、テスタ部８で検出した出力信号に基づき、回路パターンの不具合を判断し、発光解析部６で解析した発光に基づき、回路パターンの不具合を判断して、半導体チップの異常を判定する。 （もっと読む）

【課題】被検査電気回路の欠陥位置を検出する際、検出特性の向上を図った電気回路検査システム及び検査方法を提供すること。
【解決手段】電気回路を検査するためのシステムであって、欠陥検出サブシステムと付加的サブシステムとを有し、付加サブシステムは時間軸上で変化する電圧を被検査電気回路に印加し、検査を行っている期間以外の期間で動作し、電気回路上の様々な異なる潜在的欠陥位置における電気的状態の違いを検出するように動作する。 （もっと読む）

【課題】 集積回路の検査精度を向上させることができる集積回路検査装置を提供する。
【解決手段】 集積回路検査装置１は、半導体基板２１、及び半導体基板２１の表面２１ａ側に形成された回路部２２を有する集積回路２０を検査するための装置である。集積回路検査装置１は、集積回路２０に照射される光Ｌを発生する光発生部３と、集積回路２０に照射される光Ｌの波長幅を調整する波長幅調整部５，１４と、集積回路２０に照射される光Ｌの照射位置を調整する照射位置調整部８と、光発生部３からの光Ｌが半導体基板２１の裏面２１ｂを介して回路部２２に照射されたときに、集積回路２０からの光Ｌを検出する光検出部１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体試料のグラウンドと電気特性測定手段のグラウンドとの間の電位差に揺らぎが生じる場合でも、当該電位差の揺らぎに起因するノイズの発生を確実に抑制することが可能な半導体試料の検査装置を提供すること。
【解決手段】半導体試料の検査装置ＩＥ１は、半導体試料Ｓに定電圧を印加する定電圧源９と、半導体試料Ｓの電気特性を測定する電気特性測定部１１と、電気特性測定部１１に入力される信号に、外部電源装置４１に接続される半導体試料Ｓのグラウンド（サンプルグラウンドＧ１）と定電圧源９のグラウンド（検出回路グラウンドＧ２）との電位差を逆相にして加算する逆相加算部３３と、を備えている。 （もっと読む）