【課題】 単一の材料を含む種々の材料により良好なヘテロティック相を形成することができ、磁気センシングなどが可能な量子リング、この量子リングを用いた磁気センサおよびその使用方法、さらにはこの量子リングを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 第１のランダムポテンシャルにより電子が局在的な振舞いをする物理系が発現する第１の領域１１と、この第１の領域１１を取り囲むようにこれに接して設けられ、第１のランダムポテンシャルより強度が小さい第２のランダムポテンシャルにより電子が波動的な振舞いをする物理系が発現する第２の領域１３と、第２の領域１３を取り囲むようにこれに接して設けられ、第２のランダムポテンシャルより強度が大きい第３のランダムポテンシャルにより電子が局在的な振舞いをする物理系が発現する第３の領域１２により量子リングを構成する。 （もっと読む）

磁場を検出するための装置であって、
硬磁性材料からなる少なくとも１つの素子（１２）と、半導体材料（１１）からなる素子に関連する軟磁性材料からなる素子（１３）と、上記半導体材料（１１）中に電流（Ｉ）を強制的に流すための手段（１５；４５）を備えるタイプの装置において、
上記硬磁性材料からなる素子及び上記軟磁性材料からなる素子が、上記半導体材料からなる素子（１１）上に平行に配置されていることを特徴する磁気検出装置。

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【目的】高感度を有する磁気検出装置を提供する。
【構成】酸化物磁気抵抗効果膜を有する磁気抵抗効果素子。
【効果】高感度を有する磁気検出装置を得る。 （もっと読む）

【構成】 非磁性薄膜を介して２層以上の磁性薄膜を積層して磁性多層膜を形成する。隣合う磁性薄膜の保磁力は互いに異なっており、保磁力の小さい第１の磁性薄膜の角形比およびＨｋを規制し、さらに保磁力の大きな第２の磁性薄膜と非磁性薄膜とを含めて各薄膜の膜厚を規制して第１〜第３の発明を構成する。
【効果】 第１の発明の磁性多層膜は、数Oe〜数十Oeの外部磁場で大きなＭＲ変化率を示し、０磁場で良好なＭＲ変化立ち上がり特性と高い耐熱性とをもつ。第２の発明ではさらに−１０〜１０Oeの外部磁場でヒステリシス特性とＭＲ傾きが改善され、第３の発明ではこれらに加えて−５０〜５０Oeの外部磁場での大きなＭＲ傾きと、すぐれたヒステリシス特性と、高周波磁界での大きなＭＲ傾きとをもつ。従って、高感度の磁気抵抗効果型センサや高密度磁気記録可能な磁気ヘッドが実現する。 （もっと読む）