【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、高出力化の可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、半導体からなるチャンネル１１と、チャンネル１１を間に挟んで対向配置された第一絶縁膜２１及び金属体１３と、第一絶縁膜２１の上に設けられた強磁性体１２と、金属体１３に接続された第一参照電極３１と、金属体１３に接続された第二参照電極３２と、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル１１と磁気シールドＳ１との間に設けられた第二絶縁膜２２と、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い空間分解能で検出できる磁気センサー素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気センサー素子１０００では、電界効果トランジスター１００は、ゲート電極１４と、ゲート電極１４の一方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第１不純物領域２２および第２不純物領域２４と、ゲート電極１４の他方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第３不純物領域３２および第４不純物領域３４と、を有し、制御部２００は、第１制御および第２制御を行い、第１制御では、第１不純物領域２２および第２不純物領域２４を第１端子（ＶＤＤ端子）に接続し、第３不純物領域３２を第２端子（ＶＳＳ端子）に接続し、第２制御では、第３不純物領域３２および第４不純物領域３４を第１端子（ＶＤＤ端子）に接続し、第２不純物領域２４を第２端子（ＶＳＳ端子）に接続し、第１端子（ＶＤＤ端子）の電位は、第２端子（ＶＳＳ端子）の電位より大きい。 （もっと読む）

【課題】外部磁場がチャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１は、第一強磁性体１２Ａと、第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びるチャンネル７と、チャンネル７を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル７と磁気シールドＳ１との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁束密度のＺ軸方向成分の位置分布を高い空間分解能で検出できる磁気センサー素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気センサー素子１０００は、電界効果トランジスター１００と、電界効果トランジスター１００を制御する制御部２００と、を含み、電界効果トランジスター１００は、ゲート電極１４と、ゲート電極１４の一方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第１ソース領域３２および第２ソース領域３４と、ゲート電極１４の他方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第１ドレイン領域２２、第２ドレイン領域２４、および第３ドレイン領域２６と、を有し、制御部２００は、第１制御および第２制御を行い、第１制御では、第１ソース領域３２と、第１ドレイン領域２２および第２ドレイン領域２４と、の間に電圧を印加し、第２制御では、第２ソース領域３４と、第２ドレイン領域２４および第３ドレイン領域２６と、の間に電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】コストを低減した磁電変換素子および電流検出装置を提供する。
【解決手段】本発明は、磁性体コア２１で生じる磁束を検出する磁電変換素子３１およびこれを備えた電流検出装置１０に関するものである。磁電変換素子３１には、外部機器と電気的に接続される雄端子部４１を有するリード端子４０が接続される。また、磁電変換素子３１は、リード端子４０に搭載される電子部品４４と、リード端子４０を保持する保持部材５０と、を備える。雄端子部４１はリード端子４０を加工することにより形成されているのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱アシスト磁気トンネル接合構造、特にメモリとして使用する熱アシスト磁気トンネル接合構造に用いるためのサーマル層を提供すること。
【解決手段】本明細書では、熱バリアを有する熱アシスト磁気トンネル接合構造が開示される。熱バリアは、熱バリアが低い熱伝導率および高い電気伝導率を有するように、不規則な形態のサーメット材料からなる。従来型の磁気トンネル接合構造に比べると、開示される構造はより高速に切り換えること可能であり、また標準的な半導体製造工程との適合性が改善される。 （もっと読む）

【課題】 特に、出力のオフセットが許容所定内であるか否かを簡単に検出することが出来る磁気検出装置及び磁気検出装置のテスト方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の磁気検出素子を接続して成るブリッジ回路には、一方の直列回路の入力端子Ｖｄｄ側に設けられた出力部ａ１とグランド端子ＧＮＤ側に設けられた出力部ａ２の間、及び他方の直列回路の入力端子Ｖｄｄ側に設けられた出力部ａ３とグランド端子ＧＮＤ側に設けられた出力部ａ４との間に、第１，第２の抵抗部２５，２６が接続されている。各第１，第２の抵抗部２５，２６にテスト用抵抗部３３，３４を並列接続する。続いて、出力テストを行い、Low信号が出力されれば良品、High信号が出力されれば不良品とする。出力テスト終了後、前記テスト用抵抗部３３，３４を回路的に切り離して製品化する。 （もっと読む）

【課題】感度を犠牲にすることなく製品間の感度のばらつきの低減および長期信頼性の向上を図れる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】半導体層たるｐ形シリコン層３の一部のｐ形の素子形成領域３ａ内に、ｐ形のウェル領域８とｎ形のコレクタ領域６とを離間して形成し、ｎ形のエミッタ領域５をウェル領域８の表面側に形成してある。ウェル領域８と、素子形成領域３ａのうちウェル領域８とコレクタ領域６との間に介在する部分で構成されるベース領域４の表面側に、ベース領域４中の少数キャリアの再結合中心として働くｎ形の不純物拡散領域からなる再結合領域７を形成してある。ｐ形シリコン層３の表面側には絶縁膜１２を形成してある。再結合領域７がベース領域４と異なる導電形の多結晶半導体膜により構成されていて、再結合領域７とベース領域４とがポテンシャル差を有している。 （もっと読む）

磁場センサおよび関連する、磁場センサを製造する方法は、磁場感知素子および関連するリードフレームのダイ付パッドをカプセル化するため、ならびに同様に、磁石もしくは磁束集中器を、カプセル化するかもしくは形成するための、モールドされた構造を含む。
（もっと読む）

本発明は、電子コンパスの零点誤差（Ｈｘ０，Ｈｙ０）を求める方法に関する。この方法は、３軸磁気センサを用いて電子コンパスの第１座標系における第１磁界強度を測定するステップと、地表面に平行な第２座標系（ｘ，ｙ）における伏角補正された第２磁界強度（２００）を第１磁界強度から計算するステップと、伏角補正された第２磁界強度（２００）に当てはめ関数（２１０）を当てはめるステップと、当てはめた当てはめ関数（２１０）から零点誤差（Ｈｘ０，Ｈｙ０）を求めるステップとを有する。本発明は、電子コンパスを動作させる方法にも関する。この方法は、磁気センサを用いて測定された第１磁界強度から第２座標系（ｘ，ｙ）における伏角補正された磁界強度（Ｈｘ０，Ｈｙ０）を計算するステップと、伏角補正された第２磁界強度（Ｈｘ０，Ｈｙ０）から上述した方法で求めた零点誤差（Ｈｘ０，Ｈｙ０）を減算することによって零点補正される第３磁界強度（Ｂｘ，Ｂｙ）を計算するステップと、南北方向に対して第２座標系（ｘ，ｙ）の軸（ｘ）が偏差する方位角を計算するステップとを有する。
（もっと読む）