【課題】一部のゲートのみを順次スキャンして光電変換素子の信号を読み出した後に残りのゲートのスキャン動作を短時間で行っても、オフセットレベルの差がない画像を得る。
【解決手段】Ｘ線平面検出器は、光電変換素子とスイッチング素子と含む画素を正方格子に配列したＴＦＴアレーと、正方格子の行のそれぞれに対して設けられてスイッチング素子に接続されたゲート線３１と、ゲート線３１に接続されてスイッチング素子をスイッチするパルス状の制御信号を出力するゲート制御回路３７とを有する。ゲート制御回路３７は、全画素領域２９のうち有効画素領域２０内の画素に接続された複数のゲート線３１にＴＦＴをＯＮ状態にするパルス状信号を順次出力するスキャン動作と、無効画素領域２１内の画素に接続された複数のゲート線３１に複数のパルス状信号を順次出力するリフレッシュ動作とを行う。 （もっと読む）

【課題】 信号電荷の収集効率を向上する。
【解決手段】 半導体基板の表面１０００の第１区域１００１の下に設けられた第１半導体領域１３１と、表面１０００の第２区域１００２の下に設けられ、接続部３００に接続された第２半導体領域１３２と、表面１０００の第１区域１００１と第２区域１００２との間の第３区域１００３の下に設けられた第３半導体領域１３３とを有するエネルギー線変換装置の製造方法において、
第１半導体領域１３１及び第３半導体領域１３１を、第１区域１００１及び第３区域１００３を覆い、且つ、第３区域１００３を覆う部分２０３の厚さが第１区域１００１を覆う部分２０１の厚さよりも薄い緩衝膜２００を介して、半導体基板１００にイオン注入を行うことによって形成する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子装置で用いられ、高計数率でも計測できるシリコンドリフトダイオード検出器を提供する。
【解決手段】SDD200と、増幅器206と、該増幅器206の出力と切り換え可能なように接続するたとえば抵抗器208又はダイオードの形態をとるフィードバック素子を備える検出器で、前記フィードバック素子がスイッチ209を介して選ばれるとき、当該検出器206は、電子電流を決定する電流測定モードで動作し、前記フィードバック素子が選ばれないときは、X線量子エネルギーを決定するパルス高さ測定モードで動作する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて、精度よく放射線を検知することができる、放射線検出素子、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】放射線検出素子１０では、放射線検知用画素２０Ｂが検知用ＴＦＴ６０を有しており、検知用ＴＦＴ６０には、シンチレータ４０から直接、放射線から変換された光が照射される。これにより、検知用ＴＦＴ６０半導体活性層６１により、照射された光の光量（強度）に応じてリーク電流が発生し、信号配線３に通電される。従って、当該リーク電流をモニタリングすることにより、放射線を検知でき、放射線の照射開始タイミング等を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】撮影画像内の点や短い線や被写体のコーナーなどの凸部分を特徴点として安定・的確に抽出することができるようにする。
【解決手段】元画像内の着目点と当該着目点から角度θ方向に距離ｄだけ離れた点との２画素の画素値の対の出現度数を用いて方向別の濃度共起ヒストグラムを作成するステップ（Ｓ２）と、当該方向別の濃度共起ヒストグラムの要素の出現確率を算出するステップ（Ｓ３）と、当該方向別ヒストグラム要素出現確率を用いて方向別自己エントロピの計算を行うステップ（Ｓ４）と、元画像の画素値を対応する方向別自己エントロピの値に置換することによって方向別自己エントロピ画像を作成するステップ（Ｓ５）と、当該方向別自己エントロピ画像を用いて特徴画像として総乗画像と総和画像とのうちの少なくとも一方を作成するステップ（Ｓ６，Ｓ７）とを有するようにした。 （もっと読む）

【課題】光子計数型画像検出器において、検出器内部での信号の広がりを低減して、解像度の高いＸ線画像を提供すること。
【解決手段】光子計数型画像検出器２６は、Ｘ線光子を検出する半導体セルＳと、検出されたＸ線光子に応答して集電される電荷を基に、電気パルスを生成するチャージアンプ５１と、電気パルスの波高値を基に電気パルスを弁別する比較器５３_１〜５３_ｎと、弁別された電気パルスのうち、半導体セルＳで発生する特性Ｘ線のエネルギーに対応する電気パルスを非計数とするように制御する閾値論理回路５５と、閾値論理回路５５による制御に従って、弁別された電気パルスを計数するカウンタ５６_１〜５６_ｍと、を備えた。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線検出装置１００は、半導体検出素子１０と、冷却素子２０と、第１温度監視部３０と、第２温度監視部４０と、制御部５０と、を含み、制御部５０は、設定温度を第１温度に設定し、検出素子温度情報Ｉ_１０に基づいて半導体検出素子１０が第１温度に維持されるように冷却素子２０を制御する第１温度維持処理と、冷却素子温度情報Ｉ_２０に基づいて、冷却素子２０の温度が第１閾値よりも高いか否かを判定する第１閾値判定処理と、第１温度維持処理の実行中に、第１閾値判定処理において冷却素子２０の温度を第１閾値よりも高いと判定した場合、設定温度を第１温度から第１温度よりも高い第２温度に変更し、検出素子温度情報Ｉ_１０に基づいて半導体検出素子１０が第２温度に維持されるように冷却素子２０を制御する第２温度維持処理と、を行う。 （もっと読む）

【課題】容器に収容した検出素子を、安価なスターリング冷凍機を用いて冷却する。
【解決手段】半導体Ｘ線検出素子１を収容する容器４に、コールドヘッド５の基端に放熱フィン６が設けられているスターリング冷凍機７を、基端８ａ側から先端８ｃ側へと外径が連続的に又は段階的に大きくなる形状で且つ少なくとも定格出力で動作中の温度が室温以上になるコールドヘッド５の領域に基端８ａが取り付けられ且つ容器４に先端８ｃが取り付けられる取付フランジ８を用いて取り付ける。
【効果】容器に収容した検出素子を安価なスターリング冷凍機を用いて冷却することが出来る。取付フランジが結露しない。放熱フィンへの冷却空気の流路になると共にボルトをボルト孔に入れ且つ工具で締め付けるためのスペースを放熱フィンと取付フランジの間に確保できる。容器および取付フランジを放熱フィン６よりも大きくする必要がなく、サイズの大型化やコスト上昇を回避できる。 （もっと読む）

【課題】高計数時にパイルアップに起因する計数損失を最小化すること。
【解決手段】実施形態の放射線検出装置は、レートカウンタと、コントローラとを備える。レートカウンタは、フィルタリング処理を行なう可調節なフィルタにより濾波された信号に基づいて、放射線検出器により検出されたイベントの計数率を推定する。コントローラは、レートカウンタにより推定された計数率である推定計数率に基づいて、エネルギー分解能を最適化するようにフィルタのフィルタリング処理を調節するためのフィルタリング制御信号を生成し、フィルタリング制御信号をフィルタに出力する。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーγ線等の高エネルギー放射線に対しても、高感度かつ高いエネルギー識別能力を有するとともに、高い画像分解能を備えた半導体放射線画像検出器を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１上にｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２をＭＯＶＰＥ法によりエピタキシャル成長させて形成する。次にｐ型Ｓｉ単結晶基板１４に導電性樹脂をコートし、前記ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ上のｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２と貼り合わせて硬化する。さらにＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１の非接合面およびＳｉ単結晶基板１４の非接合面にＡｕを蒸着して電極１５および１６を形成する。その後、溝１７をＣｄＴe単結晶ウェーハ側の電極１６側よりＳｉ単結晶基板１４の内部に到達する深さで、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ形成する。 （もっと読む）