【課題】二重窓枠型電磁石において、一様磁場領域を広く取ることにより、ビーム走査範囲を確保する。
【解決手段】コイル１０１，１０８，１１１，１１８は、Ｙ方向磁場励磁電流通過第１サブ領域とＹ方向磁場励磁電流通過第２サブ領域の間に配置され、Ｘ方向磁場励磁電流通過第１サブ領域を、コイル１０９，１１０，１１９，１２０は、Ｙ方向磁場励磁電流通過メイン領域２２１，２２２とＹ方向磁場励磁電流通過第１サブ領域の間に配置され、Ｘ方向磁場励磁電流通過第２サブ領域を構成し、コイル２０１，２０８，２１１，２１８は、Ｘ方向磁場励磁電流通過第１サブ領域とＸ方向磁場励磁電流通過第２サブ領域の間に配置され、Ｙ方向磁場励磁電流通過第１サブ領域を、コイル２０９，２１０，２１９，２２０は、Ｘ方向磁場励磁電流通過メイン領域１２１，１２２とＸ方向磁場励磁電流通過第１サブ領域の間に配置され、Ｙ方向磁場励磁電流通過第２サブ領域を構成する。 （もっと読む）

【課題】四極電磁石の調整時間短縮を図ることのできる調整方法を提供する。
【解決手段】ビームライン上にビーム整形板２およびビームモニタ４を設置する。イオンビームを照射し、ビーム整形孔に通過させ、格子状に整形する。四極電磁石が励磁されていない場合、ビームモニタ４により、格子状配列形状のビーム形状が計測される。Ｘ方向においてイオンビームが集束するように、磁石３Ａを励磁する。励磁電流が増すごとに、格子状配列のＸ方向間隔は狭くなり、Ｘ方向配列の５つの格子点は一つの略長円となり、Ｙ方向に1つの点列（1×５）が形成される。点列形成を確認すると、Ｘ方向長さを計測する。励磁電流が増すごとに、Ｘ方向長さは短くなる。励磁電流を漸増し、各点（５点）の平均が基準サイズ以下になると、適切にビーム集束されたと判断し、端末７を介して、Ｘ方向集束調整完了指令を行ない、そのときの励磁電流値を記憶する。 （もっと読む）

【課題】架台を大型化せず架台の回転角度や揺動角度による照射精度の低下を抑制し、スキャニング方式における照射精度の低下を抑制できる荷電粒子線照射装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線Ｒを被照射体へ照射する荷電粒子線照射装置１であって、荷電粒子線Ｒを走査する走査磁石を有し、走査された荷電粒子線Ｒを被照射体へ照射する照射ノズル６と、サイクロトロン２より送られてきた荷電粒子線Ｒを照射ノズル６へ向けて偏向させる偏向磁石５Ａと、照射ノズル６と偏向磁石５Ａとが配置され、回転軸Ｐを中心に回転可能な回転ガントリ−３と、回転軸Ｐと照射ノズル６から照射される荷電粒子線Ｒの照射位置との位置関係を検出する位置検出部８と、回転ガントリ−３の回転角度に対応する位置検出部８の検出結果を利用して、照射ノズル６から照射される荷電粒子線の照射位置を調整する制御装置Ｔとを備える。 （もっと読む）

【課題】ビーム偏向時に荷電粒子ビームが真空ダクト等の障害物と衝突することにより喪失されるのを防止し、ビーム輸送効率を高める。
【解決手段】所定の曲率半径を有する中心軌道に沿って荷電粒子ビーム１を偏向させるものであって、荷電粒子ビームが通過する空間２を介して対向して配置された第１と第２の磁極３ａ、３ｂと、第１と第２の磁極の各々の周囲に巻線され、前記空間に第１の磁極から第２の磁極に向かって磁場を形成する主コイル４ａ、４ｂとを備えている。
さらに中心軌道よりも内周側に配置され、前記空間に第２の磁極から第１の磁極に向かって磁場を形成する第１の補助コイル６ａ、６ｂと、中心軌道よりも外周側に配置され、前記空間に第１の磁極から第２の磁極間に向かって磁場を形成する第２の補助コイル７ａ、７ｂとを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】運動量分散関数を簡易に測定できるとともに所定値に補正を行う。
【解決手段】本発明のビーム測定装置は、荷電粒子を加速する加速器１から取り出した荷電粒子ビームｂを、照射対象に照射する照射装置まで、輸送するビーム輸送ライン２における荷電粒子ビームｂの位置の差分を運動量差で表す運動量分散関数Ｄｘ、Ｄｚの測定を行うビーム測定装置であって、ビーム輸送ライン２の荷電粒子ビームｂの軌道に入出可能であり、荷電粒子ビームｂの軌道に入った際に荷電粒子ビームｂを通過させて荷電粒子ビームｂのエネルギを変更する微小エネルギ吸収体１１と、微小エネルギ吸収体１１による荷電粒子ビームｂのエネルギの変更に基づき、ビーム輸送ライン２における荷電粒子ビームｂの運動量分散関数Ｄｘ、Ｄｚの測定を行う運動量分散関数測定手段８Ｂ、Ｓとを備える。 （もっと読む）

【課題】十分な殺菌能力を有しながらも、小型かつ軽量な電子線殺菌装置を提供することを目的とする。
【解決手段】容器収容チャンバ２０は、殺菌対象である一つのペットボトルＰＢを収容するキャビティ２４を備える。電子線照射銃４０は、電子線を生成する銃本体４１と、銃本体４１に連なるノズル４２からなる。ノズル４２は、銃本体４１で生成される電子線が通る電子線通路５２と、電子線通路５２を通ってきた電子線を外部に出射する出射口５１とを有する。また、電子線偏向磁石３５は、出射口５１から出射される電子線をキャビティ２４に収容されるペットボトルＰＢの側面に向かわせる磁界を発生させる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットにおける熱応力の発生を抑制することが可能な荷電粒子の照射制御装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る荷電粒子の照射制御装置１００は、荷電粒子Ｐの照射を受けて中性子ｎを発生する物質からなるターゲット３８に対して、当該荷電粒子の照射制御を行う照射制御装置において、荷電粒子Ｐを偏向させる偏向手段１１０，１２０と、偏向手段１１０，１２０を制御して、荷電粒子ＰのビームＢｐをターゲット３８の照射面３８ａ上で周回移動させる制御手段１３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成でありながら、加速管で後ろ向きに加速された電子によるビーム出射手段の損傷等を防止できる電子加速器及びこれを備えたＸ線発生装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る電子加速器１１は、電子ビームＢを出射するビーム出射手段１３と、電子ビームＢの進行方向を前記電子ビームＢの進行方向に対し所定の方向に偏向する偏向磁場を形成する磁場形成手段１４と、偏向磁場により偏向された電子ビームＢが入射する位置に配置され、この入射した電子ビームＢを高周波により加速可能な加速管１５とを備え、偏向磁場は、加速管１５から戻ってきた電子の経路上に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】走査電磁石のヒステリシスの影響を低減し、高精度なビーム照射を実現する粒子線治療装置を得ることを目的とする。
【解決手段】荷電粒子ビーム１ｂの目標照射位置座標Ｐｉに基づいて走査電磁石３を制御する照射管理装置３２と、荷電粒子ビーム１ｂの測定位置座標Ｐｓを測定する位置モニタ７とを備え、照射管理装置３２は、走査電磁石の励磁パターンが本照射の計画と同一である事前照射において位置モニタ７により測定された測定位置座標Ｐｓ及び目標照射位置座標Ｐｉに基づいて生成された補正データＩａと、補正データＩａを保存するメモリと、メモリに保存された補正データＩａと目標照射位置座標Ｐｉとに基づいて走査電磁石３への制御入力Ｉｏ（Ｉｒ）を出力する指令値生成器２５を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の荷電粒子ビームを用いる荷電粒子装置における多光軸磁気レンズの固有の構造上の非軸対称性による非軸対称横磁界及び軸対称磁界の差異を低減し、シンプルでコンパクトな多光軸磁気レンズシステムを提供する。
【解決手段】各サブレンズモジュールの夫々のホールに円形磁気導体リングと円形非磁性体間隙を挿入させる。磁気導体リングと磁気導体板の間には十分な磁気結合が保持され、磁気導体リング内壁上では十分な軸対称スカラーポテンシャル分布が得られる。結果として、共通励起コイルに励起される各サブレンズの磁界はビームのフォーカスに必要な軸対称の磁界成分を適当な程度に留保し、余計な非軸対称横磁界成分をほとんど含まない。さらに、磁気遮蔽管などの磁気遮蔽ものを導入し、各サブレンズモジュールを通過する以前及び以後の荷電粒子ビーム経路上での非軸対称横磁界を取り除く。 （もっと読む）