説明

国際特許分類[G21K5/02]の内容

国際特許分類[G21K5/02]に分類される特許

181 - 190 / 298


【課題】 複数(2種または3種以上)の単色硬X線を、血管が動いていないとみなせる程度の短い時間間隔で順次切換えて発生することができ、かつ血管造影等に適用可能な強力なX線を発生させることができる多色X線発生装置を提供する。
【解決手段】 電子ビームを加速してパルス電子ビーム1を発生し所定の直線軌道2を通過させる電子ビーム発生装置10と、波長の異なる複数のパルスレーザー光3a,3bを順次発生する複合レーザー発生装置20と、複数のパルスレーザー光を直線軌道2上にパルス電子ビーム1に対向して導入するレーザー光導入装置30とを備え、複数のパルスレーザー光3a,3bを直線軌道2上でパルス電子ビーム1に順次正面衝突させ、2種以上の単色硬X線4(4a,4b)を発生させる。 (もっと読む)


本発明は、半導体素子のリソグラフィーによる製造に用いるプラズマの電磁波を生成および/または操作する装置、特に、EUVリソグラフィーに用いるEUV放射線を生成および反射する装置が、装置および/または他の素子の少なくとも1つの表面をプラズマ(3)の電荷担体から遮蔽するように、少なくとも1つの不均一な磁界(11)を生成する磁気手段(10)を備えている。これにより、装置および/または他の素子の寿命が長くなる。
(もっと読む)


【課題】EUVリソグラフィ機器に適用するEUV放射とDUV放射の比を拡大する多層ミラーを提供すること。
【解決手段】スペクトル純度増強層を上部に含む多層ミラーが提供され、スペクトル純度増強層は、第1スペクトル純度増強層を含むが、多層ミラーと第1スペクトル純度増強層の間に、任意選択で、中間層、又は第2スペクトル純度増強層及び中間層を設けることもできる。したがって、多層ミラー/第1スペクトル純度増強層、多層ミラー/中間層/第1スペクトル純度増強層、及び多層ミラー/第2スペクトル純度増強層/中間層/第1スペクトル純度増強層の構成の多層ミラーが可能である。EUV放射よりもDUV放射が比較的大きく減少するように、垂直入射放射のスペクトル純度を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】迅速に動作し、寿命が長いスキャナを有するX線画像形成装置の提供。
【解決手段】X線走査装置は、軸Xの周りに離間していると共に、当該軸上の対象物を通してセンサ(52)により検出されるX線を放射するように配置される複数の多重焦点X線管(25)を備える。各管(25)は、複数の線源位置からX線を放射することができる。各管の線源位置それぞれが一度使用される各走査サイクルにおいて、管(25)に対する熱負荷を最小にするように、使用される位置の順序が設定される。これは、各線源位置が前のアクティブな線源位置及び次のアクティブな線源位置と隣接しないことを確実にすることにより達成される。
(もっと読む)


【課題】 像面でのフレア光量の変動の小さい光学系の製造方法を提供する。
【解決手段】 イオンビームを用いて基板の研磨加工を行い(ステップS1)、基板加工が完了した後、ミラー基板のうねり形状を測定した(ステップS2)。次に、各ミラーのうねり形状分布に基づいて、光学系のフィールド内フレア光量分布を計算した(ステップS3)。次に、フレアの光量むらが低減されるような、ミラーのうねり分布補正量を計算した(ステップS4)。ミラーを再研磨し、上記うねり形状分布を設けた(ステップS5)。次にこれらのミラー基板に多層膜をコーティングし(ステップS6)、投影光学系を組み立てた(ステップS7)。この投影光学系を露光装置に搭載して(ステップS8)露光評価を行い、フレア量分布を測定したところ(ステップS9)、計算から予想されたフレア分布と概ね同じ値である2%のむらが測定された。 (もっと読む)


【課題】露光装置を構成するチャンバ内の圧力変動を抑制し、チャンバ内に配置される光学素子やセンサ等のコンタミネーションによる汚染を防止する。
【解決手段】照明光により照明された原版パターンを基板に投影する投影光学系と、前記基板と原版とを相対的に位置決めするステージとを備える露光装置であって、前記ステージを収容する空間とこれに隣接する前記投影光学系を収容する空間とを光が通過する開口を持つ隔壁で仕切り、前記ステージを収容する空間に流体を供給する手段を設け、前記流体の少なくとも一部を前記開口を介して前記投影光学系側の空間に流動させて回収する。 (もっと読む)


【課題】
反射率の低下が小さい多層膜反射鏡、その製造方法、及びこの多層膜反射鏡を使用した露光装置を提供すること。
【解決手段】
超電導磁石を用いたマグネトロンスパッタリング法で基板81上に多層膜83を形成することにより、プラズマから基板を遠ざけて成膜することができ、成膜中の膜へのダメージを低減することができる。その結果、多層膜界面に形成される拡散層を薄くすることができ、反射率の低下が小さい多層膜反射鏡80を提供することができる。また、この高反射率の多層膜反射鏡80を露光装置の光学系に用いることにより、高スループットで露光を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】 所望の光学性能を有するEUV露光装置用投影光学系の製造方法を提供する。
【解決手段】 投影光学系を構成する複数の非球面ミラーを、設計値に基づいて製造し、製造された非球面ミラーを組み込んで光学系を組み立てる。次に、組み立てられた前記光学系の光学性能を評価する。次に、評価された光学性能に基づいて、前記非球面ミラーの内、新しい非球面ミラーに交換するミラー(被交換ミラー)について、前記光学性能が許容範囲に収まるように、その形状補正量を決定する。次に、前記決定された形状補正量と前記被交換ミラーの形状に基づいて、新しい非球面ミラー(交換ミラー)を製造する。次に、製造された交換ミラーを、前記被交換ミラーと交換する。そして、交換されずに残った非球面ミラーと、交換された非球面ミラーを用いて、投影光学系を製造する。 (もっと読む)


【課題】 試料の表面に低エネルギーの中性粒子ビームを照射し、試料が電気的に中性を保つように不純物を導入することができるドーピング装置を提供する。
【解決手段】 ドーピング装置10は、試料18に中性粒子を照射して不純物をドープする。ドーピング装置10は、試料18を保持する保持台44と、荷電粒子をプラズマとして発生させるプラズマ室14と、荷電粒子を試料に向けて加速する電極32と、加速された荷電粒子を中性化して中性粒子を生成する中性室16とを備えている。また、このドーピング装置10は、中性化室16と試料18との間に設けられ、中性化室16で中性化されなかった荷電粒子54を除去する偏向電極60と、偏向電極60により除去された荷電粒子54を計測することにより試料18へのドープ量を計測する計測手段64,66,68,70とを備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、冷却効果の向上とともに、再構成可能な範囲の拡大を実現し得るX線コンピュータ断層撮影装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によるX線コンピュータ断層撮影装置は、一列に配列された複数のX線発生要素107と、複数のX線発生要素107に対して撮影領域130を挟んで対向する一列に配列された複数のX線検出要素108とを具備する。 (もっと読む)


181 - 190 / 298