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国際特許分類[H01B1/08]の内容

国際特許分類[H01B1/08]に分類される特許

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【課題】酸化第二錫粉末を基材とし、アンチモン等の有害成分を含有せずに優れた導電性を有し、環境汚染等を生じる虞がなく、環境への負担が少ない導電性酸化錫粉末を提供する。
【解決手段】酸化第二錫粉末を第一錫イオンによって還元してなる導電性粉末であって、粉末体積抵抗が103Ω・cm以下であることを特徴とし、例えば、粉末の色調がLab表色系においてL値が80より低い導電性酸化錫粉末、および、第一錫塩の可溶性溶媒中あるいは可溶性溶媒雰囲気で、酸化第二錫に第一錫イオンを接触させて酸化第二錫を還元することを特徴とする導電性酸化錫粉末の製造方法。 (もっと読む)


【課題】バンドギャップ等の電気特性を任意の値に制御できる酸化物及び電気特性を任意の値に制御する方法を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表され、式(1)中のRの一部が正二価以下の元素又は正四価以上の元素により固溶置換されている酸化物。
(RM(RMO (1)
(式中、Rは、Sc、Y、Dy、Lu、Er、Yb、Tm、Ho及びInからなる群より選択される1又は2以上の元素であり、Mは、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Mg及びGaからなる群より選択される1又は2以上の元素であり、mは1又は2であり、nは0以上の整数である。) (もっと読む)


【課題】均質性が期待でき、耐湿性の高い、新規導電体または新規透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】ホウ素のドープ量を1×1019cm−3〜5×1022cm−3としたアナターゼ型酸化チタンである。また、ホウ素のドープ量を5×1020cm−3〜5×1022cm−3としたアナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜である。これらは、ターゲットを直径100mmの酸化チタンとし、この上に5mm角のホウ素(B)チップを均一に配置し、RFマグネトロンスパッタ法により得ることができる。 (もっと読む)


【課題】アークプラズマ法を用いなくとも、導電性を損なうことなく、アルコールなどの溶媒に対する分散性が良好で、かつ安価な導電性微粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】塩素、臭素及びヨウ素の少なくとも1種のハロゲン元素を0.01〜5質量%含有する導電性微粒子。 (もっと読む)


【課題】電子密度が1×1015cm−3以上あり、2次電子放出係数の高いマイエナイト化合物の高効率な製造方法が求められていた。
【解決手段】マイエナイト型化合物を、希ガスから生成されたプラズマで処理することを特徴とする導電性マイエナイト型化合物の製造方法。プラズマ発生用の電源は、RF周波数、VHF周波数またはマイクロ波周波数の交流であることが好ましい。得られる導電性マイエナイト型化合物の電子密度は1×1015cm−3以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、このような実情に鑑み、インジウムを用いることのない導電性材料を提供することを目的とする。
【解決手段】
発明1は、可視光の透過性を有する導電性材料であって、化学式Ga2−x(ZnO)(mは自然数。M:Gaに代替可能な元素)であらわされ、図1に示す結晶構造を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】この酸化亜鉛焼結体をスパッタリングターゲットに用いて抵抗率が低く、かつ耐候性の高い電極を得る。
【解決手段】この電極の耐候性として、60℃で90%RHの湿度下に晒した場合の、抵抗率の変化を測定した。前記と同様のスパッタリングターゲットを用いた場合の(a)膜厚が200nmの場合、(b)膜厚が100nmの場合と、(c)CeO添加が無い場合で膜厚が100nmの場合、の3種類についての測定結果を図6に示す。初期値は6〜7×10−4Ω・cm程度であり、充分に小さいが、CeOが無添加の場合(c)には、徐々に抵抗率が上昇し、200時間経過後には20Ω・cm以上にまで上昇する。これに対して、CeOが添加された(a)(b)の場合にはその上昇は大きく抑制され、特に膜厚が200nmの場合には1000時間経過後にも10−3Ω・cm以下の小さな抵抗率が維持されている。 (もっと読む)


【課題】リンドープ型の導電性酸化スズを導電性粒子を分散させて導電性とした最表面層を備え、高品位な電子写真画像を安定して与えることのできる帯電部材を提供する。
【解決手段】導電性基体1と、該導電性基体の上に設けられた最表面層3を有している電子写真用の帯電部材であって、該最表面層は、導電性酸化スズ粒子を含み、該導電性酸化スズ粒子は、Sn(スズ)1モルに対しP(リン)を1〜10モル%含んでいる示性式SnO(2−x)(0<x<1)で表わされる酸素欠損型導電性酸化スズからなり、結晶子径が4〜11nmであり、かつ10MPaの圧力で圧縮成形したときの体積抵抗率が0.1〜50Ω・cmである帯電部材。 (もっと読む)


【課題】低抵抗率で、かつ、抵抗率の耐湿安定性及び膜厚依存性が少ない酸化亜鉛を母材とする透明導電膜およびその製造用技術並びに薄膜製造用製造用酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】
例えば、アルミニウム添加酸化亜鉛(AZO)にモリブデンを共添加した透明導電膜で、アルミニウムの含有量をAl/(Zn+Al+Mo)の原子比で1%を超え8%未満、かつモリブデンの含有量をMo/(Zn+Al+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満として作製したZnO系焼結体ターゲットもしくはペレットを用いるマグネトロンスパッタリング法により、低抵抗率で抵抗率の耐湿安定性及び膜厚依存性が改善されたZnO系透明導電膜を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】低抵抗率で、かつ、抵抗率の膜厚依存性及び基板上での抵抗率分布が少ない酸化亜鉛を母材とする透明導電膜およびその製造用技術並びに薄膜製造用製造用酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】例えば、アルミニウム添加酸化亜鉛(AZO)にスズを添加した透明導電膜で、アルミニウムの含有量をAl/(Zn+Al+Sn)の原子比で1%を超え8%未満、かつスズの含有量をSn/(Zn+Al+Sn)の原子比で0.1%を超え1%未満として作製したZnO系焼結体ターゲットもしくはペレットを用いるマグネトロンスパッタリング法により、低抵抗率で抵抗率の膜厚依存性及び基板上での抵抗率分布が改善されたZnO系透明導電膜を得ることができる。 (もっと読む)


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