【課題】部品内蔵型プリント基板に実装するチップ抵抗器であって、レーザーによりビアホールを形成する際に、抵抗体や保護膜が損傷するおそれがなく、また、レーザーを照射する際に極端に正確な位置精度が要求されないチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】一対の電極部３０における一方の下面側の部分である下面側電極部３１ａ他方の下面側の部分である下面側電極部３１ｂとが、略同一の大きさを有するとともに、互いに略同一形状（又は略点対称の形状）を有し、下面側電極部３１ａの面積である第１面積と、下面側電極部３１ｂの面積である第２面積と、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の領域の面積である第３面積との合計面積における第１面積と第２面積の合計の割合が７５〜９０％であり、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の間隔が６０μｍ以上となっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実装状態に関係なく抵抗値を安定化させることができる抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の抵抗器は、長手方向と直交する断面形状が略正方形で絶縁性の基台１１と、この基台１１の表面の全面に設けられた金属皮膜１２と、前記基台１１の両端部１１ａに位置する金属皮膜１２に設けられた電極１３とを備え、金属皮膜１２を貫通しないようにトリミング溝１５を形成し、かつこのトリミング溝１５を螺旋状に構成したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実装状態に関係なく抵抗値を安定化させることができる抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の抵抗器は、長手方向と直交する断面形状が略正方形で絶縁性の基台１１と、この基台１１の表面の全面に設けられた金属皮膜１２と、前記基台１１の両端部１１ａに位置する金属皮膜１２に設けられた電極１３とを備え、前記基台１１の電極１３が設けられていない部分１１ｂにおける四つの面１４ａ〜１４ｄの金属皮膜１２に、それぞれ同一形状かつ同じ大きさのトリミング溝１５を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】ハンダフィレットを介してプリント基板に実装した状態で通電を繰り返した場合でも、チップ抵抗器とハンダとの間の接合部にクラックが発生するのを防止することができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器Ｐ１は、樹脂系の導電ペースト（例えば、樹脂銀ペースト）により形成された側面電極５０と、側面電極の表面に形成されたメッキ６０とを有し、メッキ６０は、内側層として厚さが１０〜３０μｍの銅メッキ６２を有し、この銅メッキ６２が側面電極５０の表面に積層している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板との接続強度を向上させることができるチップ型抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ型抵抗器の製造方法は、導電体７の上面の中央部に凹部８を形成する工程と、前記凹部８に抵抗体４を嵌め込む工程と、前記導電体７と前記抵抗体４とを接合する工程と、前記抵抗体４の下面４ａが露出するように前記導電体７の下面の中央部を切削することにより、互いに分離した一対の電極５を形成する工程とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数対の上面電極層のそれぞれに電圧端子や電流端子における分岐された先端部をそれぞれ接触させて製品としての抵抗値を測定する場合、製品としての抵抗値を常に正確に測定することができる低抵抗角形チップ抵抗器の抵抗値測定方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の低抵抗角形チップ抵抗器の抵抗値測定方法は、複数対の上面電極層１３に電圧端子１９，２０の分岐された先端部と電流端子２１，２２の分岐された先端部をそれぞれ接触させて製品としての抵抗値を測定する際、前記電圧端子１９，２０や電流端子２１，２２の分岐された先端部と上面電極層１３との接触抵抗２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａの抵抗値より大きくかけ離れた非常に大きい抵抗値を有する抵抗２７ａ，２８ａ，２９ａ，３０ａをあらかじめ設けたもので製品としての抵抗値を測定するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】Ｎ、Ｏ、Ｔａの元素組成プロファイルが安定し、抵抗膜中にＮを安定して含有し、Ｏが少なく、化学量論的な組成に近いＴａＮ膜が得られ、耐酸化性が優れていて信頼性が高いオーディオ用抵抗体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に、ＴａＮ膜を含む抵抗膜をパターン形成する。そして、前記抵抗膜上に層間絶縁膜を形成し、その後、前記抵抗膜を７５０乃至１１００℃で焼鈍する。その後、前記層間絶縁膜上に、前記抵抗膜に接続された抵抗引き出し用の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路に最適なＴａＮ膜とＴａ膜との積層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、シート抵抗が大きく、実用上必要な膜厚を確保できる高抵抗の高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、窒化タンタル膜２ａとタンタル膜２ｂとの積層膜２からなり、この積層膜全体として、抵抗値温度係数ＴＣＲが−５０乃至＋５０ｐｐｍ／℃であると共に、シート抵抗が１００Ω／□以上であり、前記窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素分圧比を３乃至１５％として、２．５ｋＷ以下の低パワーで、スパッタリングにより成膜されたものである。前記ＴａＮ膜のスパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（２／１６５）Ｔ＋（９１／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＴａＮ膜の単層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、シート抵抗が大きく、実用上必要な膜厚を確保できる高抵抗の高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、抵抗値温度係数ＴＣＲが−５０乃至＋５０ｐｐｍ／℃であり、シート抵抗が１００Ω／□以上である窒化タンタル膜２の単層膜であり、この窒化タンタル膜２は、半導体装置の製造工程で常温から３５０℃までの温度で、窒素ガス分圧比を３乃至１０％として、２．５ｋＷ以下の低パワーで、スパッタリングにより成膜されたものである。前記スパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（１／１６５）Ｔ＋（９５／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たす。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路に最適なＴａＮ膜とＴａ膜との積層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、アンプの出力段の半導体集積回路の抵抗体として使用したときに優れた音質が得られる高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、窒化タンタル膜２ａとタンタル膜２ｂとの積層膜２からなり、この積層膜全体として、抵抗値電圧係数ＶＣＲが−１５０乃至＋１５０ｐｐｍ／Ｖであり、前記窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素分圧比を３乃至１５％としてスパッタリングにより成膜されたものである。前記スパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（２／１６５）Ｔ＋（９１／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たすことが好ましい。 （もっと読む）