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国際特許分類[H01F10/12]の内容

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国際特許分類[H01F10/12]に分類される特許

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【課題】垂直磁気記録媒体の耐食性を有する軟磁性下地層、及び磁気記録ヘッドの軟磁性薄膜を成膜する。
【解決手段】基板101と、該基板101上に成膜される下地層104と、該下地層104上に成膜される磁気データ記録層106とを有する磁気記録媒体であって、前記下地層104は、少なくとも一つの軟強磁性元素、及びクロム(Cr)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、炭素(C)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、マンガン(Mn)、窒素(N)、チタン(Ti)、ニオブ(Nb)、ケイ素(Si)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)の元素群から選択した少なくとも一つの腐食防止元素を含んだ軟磁性合金からなるものである。 (もっと読む)


【課題】MR素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるMR素子におけるMR比を大きくし、且つ特性のばらつきを少なくする。
【解決手段】MR素子5において、固定層23とフリー層25は、それぞれホイスラー合金層332,52を含んでいる。ホイスラー合金層332,52は、それぞれ、互いに反対側を向く2つの四角形の面を有している。また、ホイスラー合金層332,52は、一方の面における4つの辺に接する1つの結晶粒を含んでいる。MR素子5の製造方法では、MR素子5となる積層膜を形成し、この積層膜をパターニングした後、積層膜中のホイスラー合金層となる膜に含まれる結晶粒が成長して、ホイスラー合金層となる膜の一方の面における4つの辺に接する1つの結晶粒が形成されるように、パターニング後の積層膜を熱処理する。 (もっと読む)


【課題】拡散防止層を備える磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】基板、該基板上に形成された下地層及び該下地層上に形成された磁気抵抗構造体を備える磁気抵抗素子において、下地層及び磁気抵抗構造体間に形成された拡散防止層を備える磁気抵抗素子である。これにより、下地層及び反強磁性層間に拡散防止層を導入することにより、磁気抵抗素子の形成時、高温工程または、使用時高温に加熱される場合、主要成分の拡散を防止してその磁気的な特性を安定的に維持できる。 (もっと読む)


【課題】高抵抗率を有するとともに、高周波帯域での磁気特性が良好な積層磁性薄膜を提供する。
【解決手段】積層磁性薄膜10は、微細な磁性粒子14を絶縁体(ないし絶縁層16)で包み込んだグラニュラ層18と第1の絶縁層20をnmオーダーで積層したグラニュラ磁性体層12と、第2の絶縁層22を、基板30上に交互に積層した構造となっている。すなわち、グラニュラ層18は、薄い第1の絶縁層20と、それよりも厚い第2の絶縁層22によって分離される構造となっており、前記第1の絶縁層20が主に磁性粒子14の微細化,第2の絶縁層22が絶縁性の向上に寄与している。極めて薄い第1の絶縁層20を用いて磁性金属比率の高い状態で磁性粒子を微細化することにより、高抵抗率と高い磁気特性の両立が可能となる。 (もっと読む)


【課題】厚膜で高透磁率かつ低抵抗率の、高周波数帯域でも高い電磁波吸収能を有する複合磁性膜を提供する。
【解決手段】金属磁性体よりなる磁性相30aと、この磁性相中に島状に分散した高絶縁性フェライトの高電気抵抗相30bとにより構成されている、電磁波吸収機能を有する複合磁性膜30をAD法により作製する。 (もっと読む)


【課題】 優れた熱ゆらき耐性を保ちながら、同時に記録再生特性、特に媒体ノイズの低減を実現し、高密度の情報の記録再生が可能な垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 非磁性基板上に、少なくとも、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性層と、保護層とが設けられ、垂直磁性層が、Coを主成分とし、基板側から順に、少なくともCr、Ptと金属または半導体の酸化物、窒化物を含んだ材料を主成分とする垂直磁性層(1)とCoCr合金を主成分とする垂直磁性層(2)、CoCrPtB系合金を主成分とする垂直磁性層(3)の少なくとも3層以上から構成される。 (もっと読む)


【課題】 反強磁性相と強磁性相との交換結合を有する磁性材料において、交換結合をより強固にし、保磁力を向上させること。
【解決手段】 反強磁性−強磁性(又は、フェリ磁性)転移を起こすAF−FM合金からなる第1粉末と、強磁性体(又は、フェリ磁性体)からなる第2粉末とを混合し、混合粉末を得る混合工程と、前記混合粉末に磁界を印加した状態で、前記混合粉末を、前記AF−FM合金が反強磁性−強磁性(又は、フェリ磁性)転移を起こす転移温度(T)以上、かつ、ブロッキング温度(Tblock)以上の温度に加熱し、次いで少なくともブロッキング温度(Tblock)以下の温度まで冷却する磁場中熱処理工程とを備えた磁性材料の製造方法、及び、このような方法により得られる磁性材料。 (もっと読む)


【課題】 ガラス材料からなる基体上に1μm以上の厚い膜であっても密着性良く均一に無電解めっき法でめっき膜を形成することが可能なガラス基体へのめっき方法を提供する。
【解決手段】 ガラス材料からなる基体上に、少なくとも、ガラス活性化処理S2、シランカップリング剤処理S3、Pd触媒化処理S4、Pd結合化処理S5を順次施した後、無電解めっきS6により0.02μm以上0.5μm以下の膜厚にめっき膜を形成して200℃以上350℃以下の温度にてアニール処理S7を施し、そのめっき膜上に無電解めっきS8を施す。 (もっと読む)


【課題】 スピン注入書き込みに要する電流を低くすることを可能にする。
【解決手段】 磁化の方向が固着された第1磁化固着層4と、磁化の方向が可変な磁化自由層6と、第1磁化固着層と磁化自由層との間に設けられたトンネルバリア層5と、磁化自由層のトンネルバリア層とは反対側に設けられ第1磁化固着層の磁化と略反平行となる方向に磁化が固着された第2磁化固着層8と、磁化自由層と第2磁化固着層の間に設けられた非磁性層7とを備え、第2磁化固着層がCoを含む強磁性材料の場合には、非磁性層の材質にZr、Hf、Rh、Ag,Auから選ばれた少なくとも1種の元素を含み、第2磁化固着層がFeを含む強磁性材料の場合には、非磁性層にRh、Pt、Ir、Al、Ag、Auから選ばれた少なくとも1種の元素を含み、第2磁化固着層がNiを含む強磁性材料の場合には、非磁性層にZr、Hf、Au、Agから選ばれた少なくとも1種の元素を含む。 (もっと読む)


【課題】高集積化が可能であるとともに、固定磁化層からの漏洩磁界のばらつきによる誤書き込みや誤読み出しを抑制しうる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第1の強磁性層50と、第1の強磁性層50上に形成された非磁性層52と、非磁性層52上に形成された第2の強磁性層54と、第2の強磁性層54の側壁部分に形成された側壁絶縁膜64とを有し、第1の強磁性層50の端部は、側壁絶縁膜64の端部に整合している。 (もっと読む)


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