【課題】レジストの残存溶剤の濃度分布に起因する金属薄膜の寸法精度の悪化を防止する。
【解決手段】基層の上にシード層を形成し（Ｓ４）、シード層の上に、上部の残存溶媒濃度が低く下部の残存溶媒濃度が高い第１のフォトレジスト層を形成し（Ｓ６）、第１のフォトレジスト層の上に、第１のフォトレジスト層まで到達する第１の開口を有するマスクパターン層を形成し（Ｓ７〜１０）、マスクパターン層をマスクとして第１のフォトレジスト層をエッチングし、第１のフォトレジスト層に、第１の開口と連通し、かつシード層まで達する第２の開口を形成し（Ｓ１１）、第１のフォトレジスト層をフォトレジストフレームとして、かつシード層を電極として、電気めっき法により、第２の開口内に金属層を形成し（Ｓ１２）、第２の開口内に金属層を形成した後に第１のフォトレジスト層およびマスクパターン層を除去する（Ｓ１3）。 （もっと読む）

【課題】記録層構造中の他の強磁性層における粒間交換結合を仲介するための強磁性粒間交換強化層を含む多層記録層構造を備えた垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】記録層構造は、グラニュラ多結晶コバルト合金及びTa酸化物から成る強磁性層１、グラニュラ多結晶コバルト合金及びSi酸化物から成る強磁性層２、強磁性層２の上部に接して配置された、強磁性層１と強磁性層２における粒間交換結合を仲介するための酸化物を含まずCoCr合金から成るキャッピング層によって構成された多層構造である。或いは、記録層構造は、いずれも粒間交換結合を減少させた、或いは粒間交換結合が無い二層の強磁性層１と強磁性層２とその間に挟まれた粒間交換強化中間層によって構成された多層構造とすることもできる。中間層は強磁性層１と強磁性層２に直接接して設けられているので、強磁性層１と強磁性層２それぞれにおける粒間交換結合を直接仲介することができる。 （もっと読む）

【課題】パターン化された磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体であって、磁気記録層は、多層であり、かつ磁気記録層の間の磁気的相互作用を抑制する手段を備えることを特徴とするパターン化された磁気記録媒体である。ここで、磁気記録層は、第１強磁性層、磁気記録層の間の磁気的相互作用を抑制する手段及び第２強磁性層が順次に積層された構造であり、手段は、軟磁性層でありうる。 （もっと読む）

【課題】記録層の磁化容易軸の配向性を向上し、高記録密度化が可能な磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に、第１下地層１２、第２下地層１３、第３下地層１４、第４下地層１５、熱安定化層１６、非磁性結合層１７、記録層１８等が順次形成され、基板表面にはテクスチャ１１ａが形成された構成からなる。第１下地層１２はＣｒまたはＣｒＭｎからなり、第２下地層１３はＣｒＭｎからなり、第２下地層１３が第１下地層１２よりもＭｎ含有量が多く設定され、第３下地層１４がＣｒ−Ｘ１合金（Ｘ１＝Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｔａ，およびＮｂからなる群のうち、少なくとも一つ）からなる。 （もっと読む）

【課題】低電流での磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁化の方向が固定された磁化固定層３を含む。磁化可変層２は、磁化の方向が可変で、ＢＣＣ構造を有するＦｅ_1-x-yＣｏ_xＮｉ_y（０≦ｘ＋ｙ≦１、０≦ｘ、ｙ≦１）からなる磁性合金からなり、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎのうちの１つ以上である添加元素を０＜ａ≦２０ａｔ％（ａは含有量）の範囲で含有する。中間層４は、磁化固定層と磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる。磁化可変層の磁化の方向は、磁化固定層と中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって可変とされる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高出力でかつ外部磁界に対する感度が良好な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】ＧＭＲ膜３０は、下地層３１、反強磁性層３２、固定磁化積層体３３、非磁性金属層３７、拡散防止層３８、自由磁化層３９、保護層４０が順次積層された構成からなる。自由磁化層３９はＭｎ系ホイスラー合金からなり、拡散防止層３８はＣｏＦｅＡｌからなる。ＣｏＦｅＡｌの組成は、三元系の組成図において、各組成の座標を（Ｃｏ含有量，Ｆｅ含有量，Ａｌ含有量）として表すと、点Ａ（５５，１０，３５）、点Ｂ（５０，１５，３５）、点Ｃ（５０，２０，３０）、点Ｄ（５５，２５，２０）、点Ｅ（６０，２５，１５）、点Ｆ（７０，１５，１５）として、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆ、および点Ａをこの順にそれぞれ直線で結んだ領域内に設定されてもよい。 （もっと読む）

【課題】低抵抗領域（1平方ミクロンあたり１オーム以下の領域）において、巨大な磁気
抵抗比を持つＣＣＰ（current confined path: 電流狭窄）−ＣＰＰ（current perpendicular to plane: 電流が面直に流れる形状）型の巨大磁気抵抗素子、および当該巨大式抵
抗素子を用いた磁気センサを提供する。
【解決手段】ＣＣＰ−ＣＰＰ型巨大磁気抵抗素子Ａは、反強磁性層１と、磁化固定層３と、中間層７ａと、磁化自由層５による積層構造を有し、膜面に対して垂直に電流が流れる構造に形成されている。このとき、中間層７ａとして微小孔を有する（００１）方位に優先配向した極薄酸化マグネシウム層を使用することにより、磁化自由層５から磁化固定層３（あるいはその反対方向）に流れる電流が微小孔中の金属により狭窄され、電極層の寄生抵抗の影響が相対的に減少するため磁気抵抗比が増大する。 （もっと読む）

【課題】裏打層の上部の酸化による中間層及び記録層の結晶配向性の低下を回避でき、従来に比してより一層の高密度記録が可能な磁気記録媒体、その磁気記録媒体の製造方法、及びその磁気記録媒体を用いた磁気記録装置を提供する。
【解決手段】基板２１上に軟磁性体により裏打層２２を形成した後、裏打層２２の上にＴｂ、Ｇｄ、Ｓｍ及びＹ等の希土類金属により酸化防止層２３を０．１〜１．０ｎｍの厚さに形成する。この酸化防止層２３中の希土類金属が酸化することにより、その下の裏打層２２の酸化が防止される。次に、酸化防止層２３の上に中間層２４を形成し、その上に記録層２５を形成する。このようにして形成された磁気記録媒体２０は、中間層２４及び記録層２５の結晶配向の乱れが防止され、データを高密度に記録することができる。 （もっと読む）

【課題】 めっきにより磁性膜を形成して磁極とする場合に、めっき膜の析出レートを安定化させ、磁極の形成精度のばらつきを抑え、軟磁気特性にすぐれた磁極を形成し、高密度記録が可能な磁気ヘッドとして提供する。
【解決手段】 Ruからなるめっきシード層２２をめっき給電層として電解めっきにより磁性膜２６を形成することにより、ライトヘッドの磁極を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記Ruからなるめっきシード層２２を形成した後、めっきシード層２２の表面に、めっき膜の析出レートを安定化させるキャップ層３０を形成する工程と、前記めっきシード層２２とキャップ層３０をめっき給電層として前記磁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高密度記録が可能な磁性ドットを有する磁気記録媒体及びその磁気記録媒体の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】 非磁性基体１上に、少なくとも下地層３、磁気記録層４及び保護層５が順次積層されてなる磁気記録媒体において、下地層３は、Ｒｕ又はＲｕを主成分とする合金からなり、かつその表面に頭頂部が複数のライン状に所定間隔で形成されてなるライン状起伏構造を有しており、磁気記録層４は、少なくとも強磁性を有する結晶粒子と非磁性成分を含み、磁気記録層４中の粒径４ｎｍ以上の結晶粒子からなる磁性ドット４−１が頭頂部のラインに沿って下地層３の表面上に配列し、かつ磁性ドット４−１の各々は非磁性成分４−２で隔てられている。 （もっと読む）