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国際特許分類[H01F10/26]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択 (25,313) | 磁性薄膜,例.1磁区構造のもの (1,431) | 基体または中間層に特徴のあるもの (258)

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【課題】 熱的に安定した垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 下部膜と上部膜との間に垂直磁気記録膜を具備する垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録膜の厚さt1、t2は、


このような垂直記録媒体はKが大きく、そのエネルギー障壁がKVによらない場合にも熱的特性が安定した所定の厚さを有する垂直磁気記録膜を含んでいるので、書き込まれたデータを10年以上長期間安全に保存できる。 (もっと読む)


【課題】 抵抗変化量ΔRと素子面積Aの積ΔRAが大きいCPP型磁気検出素子を提供する。
【解決手段】フリー磁性層25と固定磁性層23の第2磁性層23cのいずれか一方または両方が(Co0.67Fe0.33100−a合金層(ZはAl、Ga、Si、Ge、Sn、Sbのうち1種または2種以上の元素であり、aはat%で0<a≦30)として形成されている。(Co0.67Fe0.33100−a合金はハーフメタル的な性質を有しており、これによって本願発明ではフリー磁性層25と固定磁性層23の第2磁性層23cの磁化方向が平行方向であるときと反平行方向であるときの磁気検出素子の直流抵抗値の変化量を大きくすることができる。 (もっと読む)


本発明は磁気抵抗メモリデバイスを含む。メモリデバイスは、第1磁性層、第2磁性層、及び第1磁性層と第2磁性層の間の非磁性層を有するスタックからなるメモリビットを含む。第1導電性ラインはスタックに近接して設けられ、メモリビットから情報を読み出すように構成される。第2導電性ラインは、第1導電性ラインがスタックから離れている距離よりはもっとスタックから離れて設けられ、メモリビットへ情報を書き込むように構成される。本発明はまた、クロスポイントアレイ構造における情報の記憶及び再生の方法を含む。
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【課題】 特に、固定磁性層を構成する複数の薄膜層の磁歪を全体的に増強でき、前記固定磁性層を強固に固定できる磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 固定磁性層23を構成する複数の薄膜層のうち、GMR効果に直接寄与しない第1薄膜層23aに第1磁歪増強層22を接合させ、前記第1薄膜層23aの磁歪定数を外部から増強させるとともに、前記第2薄膜層23cの内部に第2磁歪増強層23c2,23c4を挿入することで前記第2薄膜層23cの磁歪定数を内部から増強させ、これによってGMR効果を良好に維持しながら前記固定磁性層23全体の磁歪定数を大きくでき、また保磁力をも増強でき、前記固定磁性層23を適切に磁化固定できる。 (もっと読む)


磁気メモリに用い得る磁気素子を提供するための方法及びシステムを提供する。磁気素子は、固定層と、非磁性スペーサ層と、自由層と、を含む。スペーサ層は、固定層と自由層との間に存在する。自由層は、書き込み電流が磁気素子を通過する時、スピン転移を用いて切換え得る。磁気素子は、更に、障壁層と、第2固定層とを含み得る。他の選択肢として、第2固定層と、第2スペーサ層と、自由層に静磁気的に結合された第2自由層とを含む。一つの態様において、自由層(1つ又は複数)は、非磁性材料(1つ又は複数)で希釈された強磁性材料(1つ又は複数)か、フェリ磁性的にドープされた強磁性材料(1つ又は複数)か、又は、非磁性材料(1つ又は複数)で希釈され且つフェリ磁性的にドープされた強磁性材料(1つ又は複数)を含み、低飽和磁化(1つ又は複数)を提供する。 (もっと読む)


【構成】磁性希土類金属と導電性物質を積層して磁気凍結状態から強磁性へのスピン再配列現象を有する多層構造の磁性体を作成し、その多層膜磁性体への加熱温度を制御することにより任意の磁化状態を作り、任意の温度で書き込みおよび書き込み温度以上の任意温度で消去が可能とした。
【効果】垂直磁気異方性および多重記録特性を有する光磁気記録材料がえられ、これによりレーザー光線による書き込み、消去が可能となり、高密度、大容量の記録が可能となる。 (もっと読む)


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