【課題】面内記録方式と垂直記録方式の両者において、より大きな磁気抵抗変化率を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子２は、記録媒体から生じる、記録媒体の媒体面に対して平行方向の外部磁界を検知する第１の感磁膜９と、記録媒体から生じる、記録媒体の媒体面に対して直交方向の外部磁界を検知する第２の感磁膜７と有している。 （もっと読む）

【課題】 製造が容易且つ媒体設計が容易なティルテッドメディア型の垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 基板１１と、この基板１１上に形成された下地層１２と、この下地層１２上に形成された磁気記録層１３と、この磁気記録層１３上に形成された保護層１４とを備え、磁気記録層１３は、互いに交換結合された主記録層１４と補助層１５とから構成されており、このうち、主記録層１４は、磁性粒子とそれを取り囲む非磁性体とを有し、且つ、垂直磁気異方性を有しており、補助層１５は、負の結晶磁気異方性を有する材料を用い、媒体面が磁化容易面となる異方性を有している。 （もっと読む）

【課題】２つのSynthetic Pin層の磁気結合条件をみたし、諸特性調整用のための材料変更可能な多目的機能付加磁性層の挿入を可能とする薄膜磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】強磁性機能層は、ピンニング層側から、第１のＣｏ含有層、磁気結合保全層、多目的機能付加磁性層、第２のＣｏ含有層、Ｒｕ層、および第３のＣｏ含有層が順次積層された多層膜をなし、ピンニング層は、ＩｒＭｎ、第１のＣｏ含有層は、Ｃｏを５０〜８０ａｔ％（原子％）含むＣｏＦｅからなり、磁気結合保全層は、ピンニング層と第１のＣｏ含有層の磁気的結合を保全させるために形成され、ＮｉＣｒ、Ｔａ、Ｚｒのグループの中から選ばれた化合物または元素からなり、膜厚が２〜５Åであり、多目的機能付加磁性層は、強磁性体またはフェリ磁性体から構成され、第２のＣｏ含有層は、Ｃｏを６０〜１００ａｔ％（原子％）含むＣｏＦｅまたはＣｏからなり、膜厚が４〜１０Åとして構成される。 （もっと読む）

磁気バイアス膜９は、磁性層を含み、長辺、短辺、（積層方向の）厚さの順に長さが短くなる略直方体形状に加工され、磁性層の積層方向に垂直な面内に磁界を発生する磁気バイアスマグネット１１を備える。そして、磁気バイアスマグネット１１は、短辺に対する長辺の長さの比が５〜２００の範囲である。
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【課題】フリー磁性層または固定磁性層の構成を工夫することにより磁気検出素子における高再生出力と再生波形の非対称性（アシンメトリー）の低減の両立を図ることのできる磁気検出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フリー磁性層６がＣｏＭｎＺ合金層６ａ、ＣｏＭｎＸ合金層６ｂ、ＣｏＭｎＺ合金層６ｃの３層構造として成膜される。ＣｏＭｎＸ合金層は、組成式が、Ｃｏ_ａＭｎ_ｂＸ_ｃ（元素ＸはＧｅ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｓｂのうち１種または２種以上、ａ，ｂ，ｃは原子％でありａ＋ｂ＋ｃ＝１００原子％）で表される金属化合物、ＣｏＭｎＺ合金層は、組成式がＣｏ_ｄＭｎ_ｅＺ_ｆ（元素ＺはＡｌ，Ｓｉのいずれか又は両方、ｄ，ｅ，ｆは原子％であり、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００原子％）で表される金属化合物で形成された層である。 （もっと読む）

【課題】高集積化が可能であるとともに、固定磁化層からの漏洩磁界のばらつきによる誤書き込みや誤読み出しを抑制しうる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の強磁性層５０と、第１の強磁性層５０上に形成された非磁性層５２と、非磁性層５２上に形成された第２の強磁性層５４と、第２の強磁性層５４の側壁部分に形成された側壁絶縁膜６４とを有し、第１の強磁性層５０の端部は、側壁絶縁膜６４の端部に整合している。 （もっと読む）

【課題】 記録層中への書き込み磁界の強度と勾配を高める裏打ち層を備える情報記録媒体において、信号再生時、ノイズ発生を抑制できる情報記録媒体、その製造方法および情報記憶装置を提供する。
【解決手段】 基板２と記録層８と軟磁性体より形成される第１の裏打ち層３と補償温度が信号再生温度である第２の裏打ち層４とを、基板２上に第１の裏打ち層３、第２の裏打ち層４、記録層８の順に積層して設ける。上記構成では、信号再生時、ノイズの原因となる各裏打ち層３、４からの漏洩磁束を抑制し、かつ、信号記録時、各裏打ち層３、４により磁気ヘッドから発生する記録磁界を記録層８中に集中させることが可能となる。よって、各裏打ち層３、４を有する情報記録媒体においても、信号再生時、各裏打ち層３、４に起因したノイズを抑制できる情報記憶装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 非磁性中間層との界面に存在する磁性材料に見合ったＭＲ変化率を実現しながら、磁化自由層の磁歪を抑制して単磁区化を妨げないことによって、低ノイズで良好な検出動作を示すＭＲ効果素子及びこのＭＲ効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】 磁化方向が固定されている磁化固定層と、この磁化固定層上に積層された非磁性中間層と、この非磁性中間層上に積層されており印加される磁界に応じて磁化方向が可変の磁化自由層とを有するＭＲ積層体を備えており、磁化自由層が、非磁性中間層に接する側とは反対側に、ＣｏＦｅを含む磁歪調整膜を備えているＭＲ効果素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】 記憶素子に流す電流の極性を変えなくても情報の記録を可能にすることにより、構造を簡素化することができるメモリを提供する。
【解決手段】 記憶層５に対して中間層４を介して磁化固定層３が設けられ、記憶層５に対して、非磁性層６を介して、磁化の向きが積層方向にほぼ固定されている駆動層７が設けられ、積層方向に電流を流すことにより、記憶層５の磁化Ｍ２の向きが変化して記憶層５に対して情報の記録が行われる記憶素子１０と、この記憶素子１０に対して積層方向の電流を流す電流供給手段とを備え、電流供給手段から記憶素子１０に電流が供給される時間の長さにより、記録される情報の内容が変わるメモリを構成する。 （もっと読む）

【課題】半選択セルの誤書き込み防止とスイッチング磁場の低減を図る。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、第１及び第２強磁性層とこれらの間に配置される非磁性層とからなる積層構造を有し、第１及び第２強磁性層のうちの少なくとも１つは、第１方向に磁気異方性を有する第１部分と、第１部分に結合され、第１方向及びこれと逆向きの第２方向とは異なる第３方向に磁気異方性を有する第２部分とから構成される。 （もっと読む）