【目的】装置改良に技術的な工夫をほとんど必要としない希土類薄膜磁石の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】アモルファス薄膜状に作製した希土類化合物を熱処理で結晶化させる段階で磁界をかけながら熱処理（光照射または電気炉を用いたヒーター加熱）を行うことにより、結晶化させることを特徴とする希土類薄膜磁石の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法やレーザアブレーション法では基板の加熱処理なしでは得られない固有保磁力の高い膜磁石を、基板を加熱処理することなく得られる製造方法を提供するものである。
【解決手段】 磁石材料を含む電極と導電性の基板との間に所定の間隔を設け、電極と基板との間に電圧を印加してアーク放電を発生させることにより磁石材料を基板の表面に付着させて、内部に平均粒径が２０ｎｍ以上で５００ｎｍ以下の強磁性結晶相が分散した膜磁石を製造する製造方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、強磁性若しくはフェリ磁性の材料から成る層であって、該層は基板上に施されていて、強磁性若しくはフェリ磁性の材料内の磁区パターンの調整のための少なくとも１つの細長いスリットを備えており、スリットの深さは層の厚さに相当しており、スリットの幅は前記材料の置換長さよりも大きくなっており、スリットは層の縁と接触しないように配置されている。さらに本発明は、前記層の形成のための方法、及び磁気電気式の構成部材若しくはスピントロニック式の構成部材への該層の使用にも関する。
（もっと読む）

【課題】 高い共鳴周波数を有し、高周波特性に優れた磁性薄膜を提供する。
【解決手段】 基板２の上に、斜め成長磁性層３を形成する。その際、斜め成長磁性層３を、基板２の表面に対して斜め方向に柱状に結晶成長させる（斜め成長磁性体４）。また、この斜め成長磁性層３において、斜め成長磁性体４を軟磁性化させるため、この斜め成長磁性体４に絶縁体５を混入する。斜め成長磁性層３が面内結晶磁気異方性を示すようなると共にこの面内結晶磁気異方性が強まり、異方性磁界Ｈｋが増加する。磁性薄膜１の組成を変化させることなく、斜め成長磁性層３の結晶成長方向のみで異方性磁界Ｈｋを変化させることができるので、飽和磁化４πＭｓを減少させることなく異方性磁界Ｈｋを増加させることができ、磁性薄膜１の共鳴周波数ｆｒを高めることができる。よって、高周波特性に優れた磁性薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

島状磁性結晶粒（３２）は第１分離層（３３）に覆われる。島状磁性結晶粒（３６、３８）は結晶層（３５、４１）上に形成される。結晶層（３５、４１）の働きで磁性結晶粒（３６、３８）の配向は揃えられる。結晶層（３５）および磁性結晶粒（３２）の間や結晶層（４１）および磁性結晶粒（３６）の間には非晶質層（３４、３９）が介在する。非晶質層（３４、３９）によれば、製造過程で磁性結晶粒（３２、３６）および結晶層（３５、４１）の間で界面反応は十分に抑制される。磁性結晶粒（３２、３６）の配向は確実に維持される。
（もっと読む）

【課題】高周波で高透磁率と低損失とを示し、平面インダクタや平面トランスなどの平面型磁気素子に有効に適用できる軟磁性薄膜を提供する。
【解決手段】基板上に磁性薄膜および保護膜を形成し、前記磁性薄膜の膜面に平行に磁場を印加しながら熱処理を行って、局所異方性分散量を極めて小さくした後、前記磁性薄膜の膜面に対して垂直方向に磁場を印加しながら熱処理を行い、前記磁性薄膜の膜面に非平行に、膜面内成分を含む誘導磁気異方性を導入することを特徴とする磁性薄膜の磁気異方性の制御方法。 （もっと読む）