【課題】磁性層のエッチングに使用した磁性層上のエッチングレジストを、磁性層の磁気特性を劣化させること無く完全剥離する工程を含むパターン化磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】磁性層のエッチングに用いたエッチングレジストの剥離工程が、磁性層または保護層上のエッチングレジストに、減圧下にエキシマＶＵＶレーザを照射する工程、および磁性層または保護層上に残存するレジストをレジスト剥離剤溶液に浸漬して洗浄除去する工程、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、基板と複合磁性膜の間に優れた密着性を有するバッファ層を具備する磁性材料、この磁性材料を用いたアンテナデバイス、およびその磁性材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
表面を有する基板と、長手方向が前記基板の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体、およびこの柱状体の間隙に形成された無機絶縁体を有する複合磁性膜と、前記基板と前記複合磁性膜の間に形成され、前記複合磁性膜と同一の構成元素を有するバッファ層と、を具備することを特徴とする磁性材料、およびこの磁性材料を含むアンテナ基板とこのアンテナ基板の主面近傍に配置されたアンテナを有するアンテナデバイス、ならびに前記磁性材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本基板上に磁性層を成膜したのちに磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法において、従来の磁性層加工型やイオン注入型と比較して格段に製造工程を簡略化し、汚染リスクがすくなく、表面の平滑性に優れた磁気記録媒体が製造可能な方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に磁性層を形成した後、該磁性層の表面を部分的に酸素、ハロゲン等の反応性プラズマにさらし、もしくは該プラズマ中に生成した各種反応性イオンにさらし、該箇所の磁性層を非晶質化せしめ、磁気特性を改質することにより磁気的に分離した磁気記録パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の記録再生時のノイズを抑えつつ、適切な保磁力Ｈｃを有するよう、補助記録層を改善し、さらに、補助記録層が、生産の再現性、量産性を得られるだけの十分な厚さを有する、垂直磁気記録媒体を提供。
【解決手段】少なくともコバルト（Ｃｏ）を含有する結晶粒子の間に粒界部を形成する非磁性物質を含むグラニュラー構造の磁気記録層２２と、磁気的に連続した薄膜からなる補助記録層２４とを備える垂直磁気記録媒体１００において、補助記録層２４はコバルト、クロム（Ｃｒ）、プラチナ（Ｐｔ）を含有する単層からなり、補助記録層２４の膜厚は４〜１２ｎｍであり、当該垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎ比は１７〜２５（ｄＢ）であり、当該垂直磁気記録媒体の保磁力は３５００〜５０００（Ｏｅ）であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】ホイスラー合金である強磁性体層を形成すること。
【解決手段】本発明は、反応抑制層１４上に形成された半導体層１６上に磁性元素層２０を形成する工程と、半導体層１６と磁性元素層２０とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層１４上にホイスラー合金層２６である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、基板Ｓ上にシクロペンタジエンを含むエッチングガスＬを供給し、エッチング領域５１Ｅとシクロペンタジエンとの熱反応により、エッチング領域５１Ｅの磁性層５１をメタロセンＭＣにして排気させた。 （もっと読む）

【課題】 特に、プラズマ処理を施す場所を適正化することで、従来よりもＲＡを低減でき、ひいては、従来と同等以下の層間結合磁界Ｈｉｎを得ることができるトンネル型磁気検出素子の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 絶縁障壁層５の直下に位置する第２固定磁性層１２の上面１２ａよりも下側の位置でプラズマ処理を施している。例えば図に示す（１）〜（６）の少なくともいずれか一箇所でプラズマ処理を施す。これによって、ＲＡ（抵抗値Ｒ×素子面積Ａ）を、前記第２固定磁性層１２の上面１２ａにプラズマ処理を施した従来例に比べて低減させることが可能であり、また、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）やＲＡの特性のばらつきを、プラズマ処理自体を行わない比較例に比べて十分に、また、上記の従来例に比べても抑制することが可能である。 （もっと読む）

【課題】面内方向の磁場に対して等方性の高い応答を示し、かつスイッチ素子として利用可能な薄膜磁気抵抗素子を提供する。また、この素子を用いた実用的な薄膜磁気センサを提供する。
【解決手段】薄膜磁気抵抗素子については、絶縁基板１上に形成された内側軟磁性膜２、外側軟磁性膜３、薄膜磁気抵抗素子４及び必要な配線５を有し、内側軟磁性膜２の外縁部と外側軟磁性膜３の内縁部との間に形成された一定間隔の間隙６内に磁気抵抗効果膜４を形成するという構成にする。薄膜磁気センサについては、この薄膜磁気抵抗素子を可変抵抗とするブリッジ回路を組むという構成にする。外側軟磁性膜３には、半径方向に延びるスリット状の切欠部８を形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】 軟磁性合金薄帯を用いた積層体の熱処理工程の簡略化を行い、製造コストを低減する。
【解決手段】 軟磁性合金薄帯に前記軟磁性合金薄帯の焼鈍温度よりも高い溶融温度を持つ樹脂を塗布する工程と、前記樹脂を溶融した状態で複数枚の軟磁性合金薄帯を圧着する工程と、前記樹脂の溶融温度よりも低い温度で熱処理を行う工程を有することを特徴とする軟磁性合金薄帯積層体の製造方法。前記樹脂は、溶融温度が３００℃以上であるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法を用い、Ｐｂの含有量を削減した磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎａ、Ｂｉ及びＢを含む溶媒に、Ｆｅ、Ｇａ及びＡｌのうちＦｅを含む少なくとも一種の元素を９．０ｍｏｌ％以上２５．５ｍｏｌ％以下の配合率で溶解して溶液を生成し、当該溶液にＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）基板の片面を接触させ、６００℃以上、９００℃以下の育成温度で磁性ガーネット単結晶を育成する。 （もっと読む）