【課題】コンデンサの数を削減することができる電池を提供する。
【解決手段】発電要素１１１と、前記発電要素に接続され、前記発電要素を外部と電気的に接続する電極１１２と、前記発電要素を内包する外装部材１１４，１１５と、を備える電池１１において、前記外装部材は、前記発電要素を内包する絶縁層１１４２と、前記絶縁層に接する導電層１１４１とを有し、前記導電層は、外部と電気的に接続する接続部１１４４を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１００ＭＨｚ〜１Ｈｚにおける、比透磁率および比誘電率の高い磁性体と誘電体との複合焼結体、およびそれを用いたＬＣ複合電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＣｕがＢａ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＺｎおよびＣｕの合量に対し３．３〜７．５原子％占めるＹ型六方晶Ｂａフェライトを主結晶とし、ＣｕがＦｅ、Ｃｏ、ＺｎおよびＣｕの合量に対し８．７〜１６．３原子％占めるＺｎスピネル型フェライトおよびＳｒＴｉＯ_３を他の結晶として含む磁性体と誘電体との複合焼結体であって、該複合焼結体の結晶中の前記Ｙ型六方晶Ｂａフェライトおよび前記Ｚｎスピネル型フェライトの合量の割合が６３〜７７であり、前記Ｚｎスピネル型フェライトの割合が１５〜３１質量％であり、前記ＳｒＴｉＯ_３の割合が１０〜１７質量％である磁性体と誘電体との複合焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、六方晶Ｂａフェライト、ＳｒＴｉＯ_３およびＢｉを含む複合焼結体層と銀系導体層が積層されている積層型電子部品において複合焼結体層の絶縁性を向上させることを目的とする。
【解決手段】 Ｙ型六方晶Ｂａフェライトを主結晶とし、Ｍ型六方晶Ｂａフェライト、ＳｒＴｉＯ_３およびＢｉ−Ｆｅ−Ｏ化合物を他の結晶として含む磁性体と誘電体との複合焼結体層と銀系導体層とが積層された積層型電子部品であって、前記複合焼結体層と前記銀系導体層との界面から３μｍ以内の前記複合焼結体層のＢｉの含有量をＡ質量％とし、前記複合焼結体層の積層方向中央部のＢｉの含有量をＢ質量％としたとき、Ａ−Ｂが０〜４質量％である積層型電子部品を用いる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１０００℃以下でも焼成可能であるとともに、１００ＭＨｚにおける比透磁率および比誘電率を高くできる磁性体と誘電体との複合焼結体およびそれを用いたＬＣ複合電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｙ型六方晶Ｂａフェライトを主結晶とし、Ｍ型六方晶Ｂａフェライト、ＳｒＴｉＯ_３結晶およびＢｉ−Ｆｅ−Ｏ結晶を含む磁性体と誘電体との複合焼結体であって、前記複合焼結体の結晶中のＹ型六方晶ＢａフェライトおよびＭ型六方晶Ｂａフェライトの合量の割合が７３．４〜７６．８質量％であり、ＳｒＴｉＯ_３結晶およびＢｉ−Ｆｅ−Ｏ結晶の合量の割合が２２．３〜２６．２質量％であるとともに、前記複合焼結体にＢｉがＢｉ_２Ｏ_３換算で５．７〜１２．０質量％含まれている磁性体と誘電体との複合焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】チップ素体にクラックが発生するのを抑制し、耐衝撃性に極めて優れたチップ型電子部品を提供すること。
【解決手段】グランド端子電極１８ａは、第３の側面１２ｅの中央部分に設けられている。グランド端子電極１８ｂは、第４の側面１２ｆの中央部分に設けられている。接続電極１８ｃは、端子電極１４ａ〜１４ｄの第２の主面１２ｂに位置している端部と端子電極１６ａ〜１６ｄの第２の主面１２ｂに位置している端部との間を第３及び第４の側面１２ｅ，１２ｆの対向方向に伸びた形状を呈している。接続電極１８ｃの一端はグランド端子電極１８ａの他方の端部に連続すると共に、接続電極１８ｃの他端はグランド端子電極１８ａの他方の端部に連続しており、接続電極１８ｃは、一対のグランド端子電極１８ａ，１８ｂ同士をつないでいる。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板の一主面と導体パターンの一主面とを同一平面上に位置させることで、導体パターンへの電子部品の実装が容易にする。
【解決手段】第１セラミック基板１０Ａは、導体成形体１２を有し、熱硬化性樹脂前駆体とセラミック粉末と溶剤とが混合されたスラリー１４を、導体成形体１２を被覆するように供給した後に硬化して得られる第１セラミック成形体１６Ａと、導体成形体１２のない第２セラミック成形体１６Ｂとを積層して第１セラミック積層体１８Ａを作製し、該第１セラミック積層体１８Ａを焼成することによって得られる。これにより、セラミック焼成体２０の一主面２０ａは平滑で平坦な面となり、しかも、セラミック焼成体２０の一主面２０ａと導体パターン１９の一主面１９ａとが同一平面上に存在する形態となる。 （もっと読む）

【課題】ノイズ透過率を小さくすることができるだけでなく、ノイズ反射率をも小さくすることもできるノイズ対策部品の実装構造を提供する。
【解決手段】ノイズ対策部品１は入力側外部電極３−１（３−２〜３−４）と入力側引き出し電極４０とコイル体４−１（４−２〜４−４）とコンデンサ５−１（５−２〜５−４）と出力側引き出し電極５０と出力側外部電極３−１′（３−２′〜３−４′）とで構成されるＬ型フィルタを４つ備える。配線基板１００には、入力側の信号配線１０１〜１０４と出力側の信号配線１０１〜１０４とグランド配線１１１，１１２と平面導体１０とが設けられている。平面導体１０は、コイル体４−１〜４−４を含む大きさに設定されている。平面導体１０は、コイル体４−１〜４−４の下側で入力側引き出し電極４０に対向し、平面導体１０と入力側引き出し電極４０とで容量Ｃを生成する。 （もっと読む）

【課題】 チップ内部に形成する素子数の増加を抑えつつ性能の向上が図れて小型化に有利となる積層チップ部品を提供すること
【解決手段】 セラミック材料の絶縁膜ａと導体材料の導体パターンｂを適宜な順に積層してチップ体を形成する。絶縁膜層にはそれぞれ導体パターンｂを形成し、それらは容量素子Ｃおよび誘導素子Ｌとし、２段のＬＣフィルタの構成にする。絶縁膜層ａ２上で、容量素子パターンに帯状パターンｂ２３，ｂ２４，ｂ２５を突き出し形状に設けて特性調整用の容量素子Ｃ６１を形成する。絶縁膜層ａ６上で、誘導素子パターンに帯状パターンｂ６３，ｂ６４を設けて特性調整用の容量素子Ｃ６２を形成する。ＬＣフィルタの段間でビア６，７は積層方向にジグザグ状に形成し、特性調整用の誘導素子Ｌ３にする。 （もっと読む）

【課題】セラミック層を有する積層体を複数備える複合電子部品において、セラミック層がＢｉ成分を含有する場合であっても、積層体間のＢｉ成分の拡散移動を十分に抑制できる複合電子部品を提供する。
【解決手段】第１のセラミック層２１と第１の内部導体層２５とが積層された第１の積層体２と、第２のセラミック層３１と第２の内部導体層３５とが積層された第２の積層体３と、第１の積層体２と第２の積層体３との間に設けられる中間材層４と、を備え、第１の内部導体層２５と第２の内部導体層３５とが電気的に接続された複合電子部品１であって、第１のセラミック層２１及び第２のセラミック層３１のうち少なくとも一方のセラミック層がＢｉ元素を含有し、中間材層４がＴｉ元素を含有する複合電子部品１を提供する。 （もっと読む）

【課題】 積層体の端面と側面とで外部端子の大きさが異なるので、ツームストーン現象が発生する。また、小型のものは素子の上面でマイグレーションが発生しやすい。
【解決手段】 絶縁体層と導体パターンを積層して、積層体内に導体パターンによって回路素子が形成され、回路素子が積層体の外表面に形成された複数の外部端子間に接続される。複数の外部端子は、積層体の側面に形成された外部端子の幅と積層体の端面に形成された外部端子の幅が同じで、かつ、全ての外部端子の長さが積層体の厚みよりも薄くなる様に、積層体の底面から側面及び底面から端面に跨ってフォトリソ技術を用いて導体を形成することにより形成される。
【効果】 ツームストーン現象を防止できると共に、形状が小型化した積層型電子部品においても上面での端子間のマイグレーションを低減できる。 （もっと読む）