【課題】像形成条件に連動して、最適な焦点ずらし量で複数画像を取得し、最小の画像取り込み数で、最大の焦点深度拡大効果が得る電子線装置の提供。
【解決手段】電子源から放出された１次電子ビーム４を対物レンズ７で細く絞るビーム収束手段５，６と、１次電子を試料１０上で走査するビーム走査手段と、該ビーム走査によって試料から発生する２次信号１２を検出する検出手段１３と、２次信号１２から試料像を形成する像形成手段を備え試料の走査像を得る電子線装置において、像形成条件に連動してビーム収束位置変化幅を決めるフォーカス制御量決定手段１５と、フォーカス制御量
に対応してビームのフォーカス条件を制御するフォーカス制御手段と、画像の枚数を決定する画像数決定手段と、該フォーカス制御手段１５で制御された異なる複数のフォーカス条件の画像を連続して取り込む画像取得手段と、複数画像を記憶する記憶手段とを有する電子線装置。 （もっと読む）

【課題】 視差を利用した焦点補正システム等、画像ペアの位置ずれを元に補正
値を求めるシステムの性能は位置ずれ解析法に大きく依存する。しかし従来採用
された位置ずれ解析法は解析精度が１画素以下にならない、解析結果の信頼性を
検証する機能が無い、バックグラウンド変化の影響を受け易い等の問題点があっ
た。
【解決手段】 位置ずれ解析法として、画像ペアS1(n,m)とS2(n,m)のフーリエ変
換像間の位相差画像P’(k,l)を計算し、該画像の逆フーリエ変換像上に現れるδ
的なピークの重心位置から求める方法を採用する。
【効果】 位置ずれ解析精度が１画素未満になるので焦点解析精度が向上する。
もしくは同じ解析精度を得るために必要な画素数を削減する事ができる。δ的な
ピークの強度で解析結果の信頼性を評価できる。位相成分を用いるのでバックグ
ラウンド変化の影響を受け難い。以上の性能向上によって未熟練者でも熟練者と
同等の補正が可能となる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、上述のような画質の違いによる位置ずれ検出精度の低下を防ぎ、光学条件を変更した場合や光軸の経時変化によって荷電粒子線の状態が変化した場合においても、容易にかつ高精度に、光軸の自動調整を実現できる荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】
光軸調整用のアライメント偏向器の偏向条件を変化させる前に焦点評価、或いは調整を行うか、又はアライメント偏向器の偏向条件に応じた焦点調整量のテーブルを備え、アライメント偏向器の偏向条件を変化させたときに、前記テーブルに従い、焦点調整を行う荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
解像度を低下させることなく低収差で取り込める電子ビーム量を向上し、また広いサブフィールドを得ることでスループットを向上させる荷電粒子ビーム応用装置を提供する。
【解決手段】
試料６に荷電粒子ビームを照射する照射光学系と、試料６に照射した荷電粒子ビームにより試料６から放出される荷電粒子を結像する結像光学系と、結像光学系により結像した荷電粒子ビームを検出する検出装置１２と、照射光学系と結像光学系とを分離するビーム分離器４とを有し、ビーム分離器４と検出装置１２との間に、球面収差、色収差、コマ収差、歪曲収差、像面湾曲、軸外非点収差のうち少なくとも一つの収差を補正する収差補正器１０を設けた構成とする。 （もっと読む）

【課題】不必要な調整を行わないことができ処理の高速化が実現できる電子線装置の自動調整方法を提供すること。
【解決手段】電子線を偏向手段により偏向して走査し、任意の形状をなす試料上から発生する荷電粒子を検出して試料像を得るステップ、この走査を対物レンズの励磁強度を変化させながら得られる試料像に対し、任意の形状をなす試料形状の所定の方向におけるエッジ成分の鮮鋭度を求めるステップ、さらに対物レンズの励磁強度の変化と得られた所定の方向ごとの鮮鋭度をもとに、所定の方向ごとの対物レンズの励磁強度に対応するピーク位置を算出するステップ、この所定の方向のピーク位置の距離により、対応する非点収差補正コイルを補正するかどうかを判断するステップを備えた。 （もっと読む）

荷電粒子システムは、荷電粒子ビームを生成する粒子源と、粒子光学投影系とを含む。粒子光学投影系は、径方向内端を有する外側磁極片、及び、外側磁極片の径方向内端に最も近接して配置された最下端を有する内側磁極片を含み、これら端部間に隙間が形成された集束用の第１の磁気レンズと、前記隙間の領域に配置された少なくとも第１及び第２の電極を有する集束用の静電レンズと、第１の磁気レンズの基板に最も近接して配置された部分から基板の表面までの距離を示す信号に基づいて、第１の静電レンズの集束力を制御するように構成された制御器とを含む。 （もっと読む）

【課題】レンズの個数を増やさずに焦点距離を長く設定することができる電子ビーム制御装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 集束レンズ１４と絞りレンズ１５との間にはクロスオーバを形成せずに、絞りレンズ１５と対物レンズ１６との間にクロスオーバＣを形成するビームモードを採用する。集束レンズ１４と絞りレンズ１５との間にはクロスオーバを形成しないので、アパーチャ１５ａの絞りによる絞りレンズ１５の焦点距離を長く設定することができる。したがって、弱い励起強度で用いることが可能となる。また、絞りレンズ１５と対物レンズ１６との間にクロスオーバＣを形成するので、絞りレンズ１５を縮小モードで使用することになる。したがって、レンズの個数を増やして縮小率を確保せずとも、縮小モードによって十分な総合レンズの縮小率を確保することができる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、正確かつ迅速なフォーカス制御を必要とする荷電粒子線装置、特に半導体ウェハやフォトマスク等の表面の観察、検査を行う荷電粒子線装置および荷電粒子線フォーカス制御方法に関し、静電レンズの可変電圧を極めて小さくして正確にフォーカス制御することを目的とする。
【構成】 磁界型対物レンズのレンズ磁界内に配置した静電レンズと、静電レンズを構成する電極に電圧を印加し、磁界型対物レンズの磁界中を通過する荷電粒子線ビームを加速あるいは減速して磁界型レンズによるレンズ作用を弱めあるいは強めさせると共に、静電レンズで荷電粒子線ビームをフォーカスさせ、フォーカス制御するフォーカス制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 Ｚマップの作製を不要とし、高スループットを実現すると共に、高価なステージを必要とせず、また、軸上色収差を補正して大きい開口角を用いた電子光学系を用いてもフォーカスずれを少くして試料の評価ができる電子線装置を提供する。
【解決手段】 試料台を連続移動させパターン評価を行う電子線装置に於て、試料台の連続移動方向と直交する方向にはストライプ幅より大きく、試料台の連続移動方向には上記ストライプ幅の少くとも１／４の視野を有する電子光学系を有し、パターン評価に先立ち、試料台の移動方向にビームを移動させ、合焦条件を測定するための信号波形取得を行い、その結果得られた最適合焦条件でパターン評価を行う。 （もっと読む）

【課題】
走査型電子顕微鏡のトータルスループットを向上させる。
【解決手段】
ロードロック部１５に設けた高さ検出器や光学顕微鏡３０といった試料情報取得手段によって、試料室２２で観察する試料の高さ情報やアライメント情報といった試料情報の取得を、ロードロック部１５から試料５を試料室２２への搬送するに際して実行されるロードロック部１５の減圧作業と並行して、ロードロック部１５に収容されている試料５に対して実行する。 （もっと読む）