【課題】高倍率化しても有効視野が小さくなることがない走査荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】本発明の走査荷電粒子線装置によると、試料の観察時に、試料の表面が焦点深度の上限の位置に又は上限の位置より僅か下方に配置されるように、焦点位置を調整する。更に、試料の表面における合焦領域である有効視野の範囲を計算する。 （もっと読む）

【課題】各ビーム個別のビーム特性の計測及びビーム間の配列間隔の計測の高速化が可能で、かつマルチ荷電粒子ビームの高精度な計測と補正を実現するマルチ荷電粒子ビームの計測方法、露光装置 及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】マルチ荷電粒子ビームを発生する発生装置（電子銃１、コンデンサレンズ群３）と、マルチ荷電粒子ビームの照射により発光する蛍光体材料を有する試料４１と、マルチ荷電粒子ビームが照射される試料４１上の被照射位置の蛍光体材料の発光を導入してマルチ荷電粒子ビームの特性を検出する検出部（画像入力手段４７）とを有し、蛍光体材料の発光の検出に基づいてマルチ荷電粒子ビームの特性（照射位置、強度）を比較演算手段５１、個別偏向手段４５、コンデンサレンズ群３により制御（補正）する。 （もっと読む）

【課題】 自動焦点合わせ可能な範囲を超える程度の反りが発生した場合でも、半導体ウエハ表面のすべての欠陥に焦点を合わせて欠陥画像を取得することができる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 表面上の欠陥の位置情報が知られている半導体ウエハを、撮像装置のステージに載置する。半導体ウエハの表面上の複数箇所の、高さ方向の位置を測定する。測定された高さ方向の位置に基づいて、表面内を複数の部分領域に区分する。部分領域から、欠陥画像の取得が終了していない部分領域を１つ選択する。選択された部分領域内が、撮像装置の自動フォーカス範囲内に位置するように、ステージの高さを調整する。選択された部分領域内の欠陥を撮像装置で撮像し、欠陥画像を取得する。すべての部分領域内の欠陥の欠陥画像が取得されるまで、部分領域の選択からｅから撮像までの工程を繰り返す。 （もっと読む）

低倍率基準画像と高倍率画像とを同一スクリーン上で組み合わせて、電子顕微鏡の高倍率画像に慣れていないユーザが、サンプル上のどこで画像が得られているかを容易に判断し、その画像とサンプルの残りとの関係を理解できるようにする走査型電子顕微鏡装置を操作するためのユーザ・インタフェース。また、アーカイブ・スクリーンおよび設定スクリーンなどの他のスクリーンによって、ユーザが保存された画像を比較することおよび係るシステムの設定を調節することがそれぞれ可能になる。
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【課題】本発明は荷電粒子線装置に関し、試料の凹凸が激しい場合でも、試料の前面にわたって正確な試料像を得ることができる荷電粒子線装置を提供することを目的としている。
【解決手段】試料上を３次元的に走査して試料からの２次的粒子を検出器で検出して試料像を得るようにした荷電粒子線装置において、各走査位置でのＺ方向のフォーカス位置が記述されたフォーカスパターン記憶部１３と、対物レンズ３に近接して配置され、試料のＺ方向のフォーカスを微調整するフォーカス微調整コイル６と、を有し、走査コイル５で２次元的に走査すると共に、試料２上の走査位置に応じて、前記フォーカスパターン記憶部１３に記憶されたデータに基づき、前記フォーカス微調整コイル６でＺ方向の位置を調整しながら３次元走査を行なうように構成する。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを高い位置精度で試料の所定の位置に照射して情報を記録することができる電子ビーム記録装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム記録装置１０は、電子ビームを用いて試料の表面上に情報を記録するものであって、電子ビームｂを放射する電子源と、電子ビームの照射軸線上に進入または退避可能に設けられ、照射軸線上における磁界情報を得る磁気検出器３６と、この磁気検出器による磁界情報から、試料の表面に対する電子ビームの収束位置を補正するための補正量を求める収束位置制御部２１と、電子ビームの試料表面に対する収束位置を調整する収束位置調整手段７８とを有する。さらに、収束位置制御部は、補正量に基づいて、収束位置調整手段に電子ビームの試料表面に対する収束位置を調整させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターン照合方法およびパターン照合装置に関し、平坦試料上で電子光学系の焦点深度を超えた歪みがある場合などに再フォーカス合わせによる電子光学系のパラメータの変化による影響を受けることなく平坦試料の全面に渡って高精度にパターンマッチングしてパターンの位置およびパターン測長を正確に行うことを目的とする。
【解決手段】フォーカスしたときの焦点位置Ｚ０を取得して記憶するステップと、フォーカスしたときの焦点位置Ｚ１を取得するステップと、焦点位置Ｚ０と焦点位置Ｚ１との差ΔＺをもとに、テーブルを参照して回転量ΔＲ１および拡縮倍率ΔＭ１を算出するステップと、回転量ΔＲ１および拡縮倍率ΔＭ１した設計データパターンを生成するステップと、生成した設計データパターンと、他の場所にフォーカスして取得した画像上のパターンとを照合し、パターンの位置および寸法のうちの必要なものを測長するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】一次荷電粒子線を用いて、試料上の多数の測定点を迅速に処理することができる技術を提供する。
【解決手段】統括制御部２０１において、計算部２０１ａは、半導体ウェハ１３上の各測定点（一次荷電粒子線１１の照射位置）について、データ格納部２０１ｂに格納されている半導体ウエハ１３の表面電位分布関数から求まる当該測定点での表面電位の確からしさを求め、この確からしさに基づいて当該測定点での荷電粒子線光学系１０の設定パラメータ（例えばリターディング電圧）の振り幅を決定する。そして、決定した振り幅の範囲で設定パラメータを変化させながら一次荷電粒子線の集束状態を調べ、測定に用いる設定パラメータを決定する。 （もっと読む）

【課題】オートフォーカスを動作させても、画像の明るさが変化することがない透過電子顕微鏡を提供することにある。
【解決手段】オートフォーカスによって対物レンズの電流値が変化しても画像の明るさが変化しないように、収束レンズの電流値、電子銃のエミッション電流値、又はＣＣＤカメラのゲインもしくは露光時間を調整することにより画像の明るさを調整する。 （もっと読む）

【課題】
電磁式対物レンズを用いた走査型電子顕微鏡において、焦点合わせの応答性の優れた走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
電子線を試料上で走査する走査手段と、試料から生じた二次電子および反射電子の少なくともひとつを検出する検出手段と、検出手段により検出された信号に基づいて生成された試料像を表示する表示手段と、電子線に収束作用を与え試料上に焦点を合わせる電磁式対物レンズと、該対物レンズの磁路、もしくは該磁路に配置されて電気的に絶縁された電極と、該電極に電圧を印加する電圧制御手段とを備え、該電圧制御手段により印加される電圧によって対物レンズを通過する電子線のエネルギーが高くなるように、かつ試料から生じた二次電子および反射電子の少なくともひとつを加速させるように電極が配置されるとともに、電圧制御手段により対物レンズを通過する電子線の焦点位置を変化させる構成とする。 （もっと読む）