【課題】本発明は、視野内に含まれるパターンの量に依らず、画像の定量的な焦点評価を行うことが可能な荷電粒子ビームの焦点評価方法及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子ビームの焦点評価方法であって、荷電粒子線の照射によって得られる画像の輝度ヒストグラムの標準偏差を算出し、当該標準偏差に関する値を、当該画像に含まれるパターンのエッジ量に関する値で除算し、当該除算に基づいて得られる値を用いて、前記画像の焦点調整状態を判定する焦点評価方法、及び荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】セミインレンズ型の対物レンズを用いたＥＢＳＤ方式による試料の結晶方位観察を良好に行う。
【解決手段】電子線装置は、電子線１１を試料６上で集束させて照射するためのセミインレンズ型の対物レンズ４と、試料６上での電子線１１の走査に応じて走査像を取得するための信号検出手段と、試料６への電子線１１の照射に応じてＥＢＳＰを取得するためのＥＢＳＰ検出手段２２と、対物レンズ４を駆動する駆動回路４ａ中の増幅器の増幅率を切り換えるための増幅率切換手段３１と、対物レンズ４を駆動する駆動回路４ａへ供給される信号を手動にて微調整可能とする手動調整部９とを備えており、制御部７は、ＥＢＳＰの取得時における当該増幅器の増幅率が、走査像の取得時における当該増幅器の増幅率に対して小さくなるように増幅率切換手段３１を制御する。 （もっと読む）

イオン注入システムと走査システムが提供され、それにおいて、焦点調整用構成要素が、イオンビームに対するスキャナーのゼロフィールド効果を減少させるために、上記イオンビームの焦点特性を調整するために提供される。上記焦点特性は、ワークピースを横切って走査された上記イオンビームのプロファイルが一定になるために、又は、ワークピースを横切るイオン注入が一定になるために調整され得る。方法は、ワークピースに走査されたイオンビームを提供するために開示されており、走査されたイオンビームを生成するために上記イオンビームを走査する工程と、上記イオンビームに対するスキャナーのゼロフィールド効果に関連してイオンビームの焦点特性を調整する工程と、上記イオンビームを上記ワークピースへ向き付ける工程とを含んでいることを特徴とする。
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【課題】走査型電子顕微鏡において任意のサンプルの観察あるいは測定部位におけるチャージアップの検出を、ハードウェアの改造を必要とせずに、実施できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】フォーカス値として走査型電子顕微鏡の観察サンプル載置用ステージの高さ方向の位置および／あるいは走査型電子顕微鏡の対物レンズの励磁電流値および／あるいは走査型電子顕微鏡のリターディング電圧値をフォーカス値とし、各パターンのフォーカス値が導電性膜リッチ領域と絶縁性部リッチ領域の境界付近で段差を持つ変化をする時にチャージアップが起こっていると判断する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ビーム照射によるシュリンクの抑制や、立体構造の測定を行う際にも、適正な焦点調整の実現が可能な荷電粒子線の焦点調整方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するために、同一視野領域内にて、フォーカス調整用信号を得るためのビーム走査位置と、パターン測定用信号を得るためのビーム走査位置とを違えて配置する焦点調整方法、及び荷電粒子線装置を提案する。より具体的な一態様として、同じＦＯＶ内にて、フォーカス調整用信号を得るためのビーム走査位置と、パターン測定用信号を得るためのビーム走査位置を交互（１本ごと、或いは複数本ごと）に配置して、焦点調整とパターン測定を実行する焦点調整方法、及び荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】ビームスキャン範囲（視野、ＦＯＶ）を拡大し、ＦＯＶ面内の測定値がばらつかないようにＣＤの面内分布を均一又は略均一に分布させ、ローカルなＣＤのばらつき、縦線と横線のＣＤの違いなどのプロセス管理が容易な、電子ビームを用いる検査画像、検査方法、検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム検査の検査画像が、複数枚の画像の各々を細分割したサブフィールドについての最適フォーカス位置での分割画像をつなぎ合わされて1枚の画像とする。対物レンズのフォーカス、若しくは、試料ステージの上下位置を所定の間隔で変化させ、複数枚の画像を取得する第１のステップ、取得した画像と設計データを比較し、ＦＯＶ内のＣＤ分布を計算する第２のステップ、ＦＯＶをサブフィールドに分割し、ＣＤ分布が均一になるように、各サブフィールドの最適フォーカス位置での分割画像をつなぎ合わせ、１枚の検査画像を得る第３のステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】
表面電界制御電極を設け，かつ一次電子ビーム径を縮小させた電子光学系を実現するには，表面電界制御電極をウェハに近接させる必要があり，このため，焦点あわせ用の高さ検出が行えなくなる。
【解決手段】
高さ計測位置を一次電子照射位置からずらし，高さ計測位置と一次電子照射位置との水平位置，および時間的な違いによる高さのずれを補正するための高さ補正機構を設ける。また，ずれ量を最小化するため，表面電界制御電極の周囲にウェハと同一電位のシールド板をおき，これに光路を設けて高さ計測を行う。 （もっと読む）

【課題】
微細なパターンの検査において、電子ビームの照射によって生じる試料表面の帯電現象による電子ビームの焦点ずれや照射位置のずれを抑制し、欠陥の誤検出を防止するとともに、検査時間を短縮できる検査装置，検査方法を提供する。
【解決手段】
ダイに設けられたアライメント用マークの画像を複数個取得し、アライメント用マークの画像の中心座標と該マークの座標との間のずれを、座標の補正値として記憶装置へ保存するとともに、試料の表面の複数の座標における高さを計測し、該計測された複数の座標の画像を撮像して焦点を調整し、該調整値と前記高さセンサで計測された高さとの関係を高さの補正値として記憶装置へ保存し、記憶装置に保存された画像の座標の補正値と高さの補正値とを含む検査条件を用いて、試料の画像の座標と高さとを補正する。 （もっと読む）

【課題】
走査型荷電粒子顕微鏡及び走査型荷電粒子顕微鏡装置で取得した画像の処理方法において、最適な撮像条件は，試料の形状や材質等によって異なるため，特定の撮像条件を用いた１枚の画像撮像のみでは十分良好な画質が得られない場合がある。
【解決手段】
異なる撮像条件下で試料を撮像して該試料の複数の画像を取得し，この取得した複数の画像についてそれぞれの画像の劣化関数を生成し、取得した複数の画像と生成したそれぞれの画像に対応する劣化関数とを用いて分解能を向上させた画像を生成し、この分解能を向上させた画像を処理するようにした。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、微小試料の傾斜シリーズ像を短時間で取得することに関する。
【解決手段】
本発明は、傾斜シリーズ像を取得する際の焦点ずれ量と一致度の関係をあらかじめ計測しておき、その関係に基づき一致度から焦点ずれを逆算して、ステージや対物レンズ等を制御して焦点ずれを補正し、傾斜シリーズ像を取得することに関する。また、本発明は、傾斜シリーズ像を撮影する際に参照画像をあらかじめ取得しておき、取得された画像と参照画像との相関を取り、一致度が設定値以下であった場合に、警告メッセージの発信や、画像取得シーケンスの停止、等の処理を実施することに関する。本発明により、傾斜シリーズ像を撮影する際の焦点合わせを高速に行うことが可能となり、傾斜シリーズ像の撮影時間を短縮できる。また、三次元再構築に適さない画像を排除することができる。これにより、半導体や先端材料の不良解析等のスループットを上げることができる。 （もっと読む）