【課題】 製品の品質精度を向上し、歩留りを向上させることである。
【解決手段】 プロセス工程における処理を行う複数の製造装置１００と、この製造装置１００の処理の制御を行う複数のクライアントコンピュータ２００と、製造装置１００の処理が終了した加工対象材料を次の処理を行う製造装置１００に搬送する搬送手段３００と、クライアントコンピュータ２００の要求に応じて処理を行うサーバコンピュータ４００と、を備え、複数のクライアントコンピュータ２００及びサーバコンピュータ４００をネットワークで接続して各製造装置１００ごとに分散制御を行うようにしてある。 （もっと読む）

【課題】 エリプソメトリを使い、ウェハ上に形成されたパターンの横方向への寸法を、非接触かつ非破壊に、しかも高速に求める加工物寸法測定工程を含み、求められた寸法にもとづいて半導体装置の製造プロセスを制御する。
【解決手段】 ウェハ上に形成された、寸法が確認されている較正パターンについて、偏光状態パラメータを求めてデータベースを作成し、測定試料の偏光パラメータにもとづいてデータベースを検索し、寸法を求める。 （もっと読む）

【課題】クリーンルーム内に無機物が発生しないようにすることのできる経済的な方法を提供する。
【解決手段】クリーンルーム１の天井面の図１における右側部分に非ガラス系エアフィルター２１Ａを、左側部分にガラス系エアフィルター２１Ｂを配置した。天井仕切り板４および床下仕切り板５により、クリーンルーム１への空気導入経路を、非ガラス系エアフィルター側エリア６Ａとガラス系エアフィルター側エリア６Ｂとに分割した。非ガラス系エアフィルター２１Ａから吹き出す空気の速度Ｖ₁ をガラス系エアフィルター２１Ｂから吹き出す空気の速度Ｖ₂ より大きくした。 （もっと読む）

【目的】シリコンウェハとガラス基板を陽極接合する工程において、ボイドの発生がなく、電極の長寿命化と接合時間の短縮が図れる陽極接合装置の提供。
【構成】円筒電極１１は、アーム１６、１６′に回転自在に装着されネジリコイルバネ２２で常にガラス基板９に押圧され、円筒電極１１をモータ１０の駆動によりシリコンウェハ８とガラス基板９が重ね合わさった端部から平行移動させることにより、順次接合部を広げていく。 （もっと読む）

【目的】 基板を高速で冷却して冷却時間を短縮することができる基板冷却装置を提供する。
【構成】 ペルチェ素子を備えた冷却プレートに基板を載置することにより、基板を冷却する基板冷却装置において、制御部によって、冷却プレートに基板が載置された時点から、プレート温度Ｔ_P が基板を冷却すべき第１の設定温度Ｔ_S1（目標温度）よりも低い第２の設定温度Ｔ_S2になるようにペルチェ素子の制御が開始され、次いで、プレート温度Ｔ_P が第２の設定温度Ｔ_S2に達すると、プレート温度Ｔ_P が第１の設定温度Ｔ_S1になるようにペルチェ素子の制御が切り換えられる。これにより、基板を高速に冷却することができる。 （もっと読む）

【目的】 画面数が増加しても、１画面に表示する情報量を減らすことなく、見る頻度の高いレベル１の画面を１回の操作で切替え表示し、見る頻度の低いレベル２の画面の切替えも２回の操作で行え、操作性，作業効率が向上する。
【構成】 作業者が見る頻度の高いレベル１の画面とそれ以外のレベル２の画面に分類し、モニタ画面に、レベル１の画面を選択する複数の第１の画面選択キー４を常時表示し、モニタ画面に、レベル２の画面を選択する複数の第２の画面選択キー５を必要時にのみ表示し、これらの第１，第２の画面選択キー４，５の中から該当する画面選択キーを選択することによりモニタ表示面に所望のモニタデータ画面を表示することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 シリコンウェハーに対する薄膜形成過程において、各種処理条件評価及び検査に用いられるダミーウェハーを提供する。
【構成】 平均強度４５０ＭＰａ以上、平均結晶粒径が５μｍ以下、嵩密度３９８０ｋｇ／ｍ３以上で、純度が９９．９％以上である多結晶酸化アルミニウム焼結体からなるダミーウェハー。 （もっと読む）

【目的】 光透過性基板等の絶縁性基板上に、結晶性が単結晶ウェハー並に優れたＳｉあるいは化合物半導体単結晶層を得るうえで、生産性、均一性、制御性、コストの面において卓越した半導体基板の作製方法を提案する。
【構成】 多孔質層１２を有する第１の基体１１の前記多孔質層１２上に非多孔質単結晶半導体層１３を形成する工程（ａ），（ｂ）、前記非多孔質単結晶半導体層１３を第２の基体（１４，１５）と貼り合わせる工程（ｃ）、前記貼り合わせて構成された基体を前記多孔質層１２において分離する工程（ｄ）、前記分離された第２の基体（１４，１５，１３）上に配された多孔質層１２を除去する工程（ｅ）、及び前記分離された第１の基体１１を構成する多孔質層１２を除去する工程を有することを特徴とする半導体基板の作製方法。 （もっと読む）