【課題】 生産管理システムとシミュレーションシステムの双方に入力可能なプロセスデータを用いる事によりシミュレーションを有効に活用できる製造工程仕様運営システムを提供する。
【解決手段】 このシステムは前記製造プロセスの各工程で用いられる製造装置に指示を行い或いは前記製造装置の制御を行う生産管理システム２と、前記製造プロセスの各工程のシミュレーションを実行するシミュレーションシステム３と、前記生産管理システムと前記シミュレーションシステムの双方の入力データとして使用が可能なプロセスデータを格納する記憶装置及び前記プロセスデータの編集を行う編集装置を備えたプロセスデータ作成システム１とを有する。製品開発にシミュレーションの効果的な活用ができ、製品製造に関する技術的なノウハウやシミュレーション上のノウハウを一括して容易にデータベース化できる。 （もっと読む）

【課題】 貼合せ基体の分離前には多孔層の破壊が起こらず、かつ貼合せ後の基体の分離は確実容易に行なうことにより安定に均一で欠陥のないＳＯＩ基板を低コストで製造することを課題とする。
【解決手段】 表面に多孔質層１１，１２を形成した第一の基体１０上に非多孔質半導体層１３を形成し、その表面に第二の基体１４と貼り合わせ、多孔質層１１，１２を分離して、第二の基体表面に非多孔質半導体層１３を移し取る半導体基板の作製方法において、多孔質領域が、前記非多孔質半導体層１３に隣接する第一の多孔質層１１と、該第一の多孔質層１１より多孔度が高く且つ厚みが小さい第二の多孔質層と、を有し、且つ該第二の多孔質層１２の厚みが該第一の多孔質層１１の８０％以下で、該第二の多孔質層１２の多孔度が３０％乃至６０％となるように、前記多孔質領域を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 設置面積を増加させることなく雰囲気ガス中の所定の物質の濃度を安価に管理することが可能な基板処理装置および気中濃度管理システムを提供することである。
【解決手段】 気中濃度管理システム３は基板処理部１上に設けられる。第１の測定ポート３１は１次フィルタ２１の下流側に配置され、第２の測定ポート３２は基板処理部１内に配置される。三方弁３３は第１の測定ポート３１および第２の測定ポート３２のいずれか一方を選択的に濃度判定器３４に導通させる。濃度判定器３４は、第１の測定ポート３１または第２の測定ポート３２から供給される雰囲気ガス中のアンモニア濃度が所定の基準値以上であるか否かを判定し、アンモニア濃度が基準値以上になったときに警報を発生する。 （もっと読む）

【課題】搬送過程でウエハが接触する部分よりも広い領域に粘着性の物質を固着したウエハを、ウエハ処理装置内に搬送することにより、装置の稼働率を落とさずに異物の除去効果を向上させるウエハ処理装置のクリーニング方法を提供する事を目的としている。
【解決手段】半導体製造装置内に、粘着性の物質を固着した基板を空搬送することにより、搬送系および処理ユニットの異物を吸着除去する。 （もっと読む）

【課題】ガス処理ユニットが他の処理ユニットに影響を及ぼすことがない処理装置を提供すること。
【解決手段】鉛直方向に沿って延在する搬送路21と、搬送路21の周囲に配置され、各々被処理体に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して構成される複数の処理部G1-G5と、搬送路21を移動するとともに、複数の処理部の各処理ユニットに対して被処理体Wを搬入出する搬送機構21と、搬送路22にダウンフローを形成するダウンフロー形成機構とにより処理装置が構成される。処理部G3は、加熱または冷却するための複数の熱的ユニット41-45と、ガス処理ユニット47と、装置外に対して被処理体の搬入出を行う搬送ユニット46とを有し、ガス処理ユニット47が熱的ユニット41-45および搬送ユニット46より下方位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 トレンチ溝やコンタクト孔形状に対する、気相及び他の物質表面からの入射フラックスについて、基本的な式は与えられているが、具体的な形が与えられていないか、ストリングモデル形状には適用しにくい表現になっている。
【解決手段】 半導体集積回路の加工形状を予測するために気相及び他の物質表面からの入射フラックスを算出する際、シャドウイングにより範囲を狭め、気相からの入射フラックスの算出は、シャドウイングの開き角度について積分された解析関数を用いて行い、物質表面からの入射フラックスの算出は、シャドウイングの軸の周りの角度について積分された解析関数を用いて行う。 （もっと読む）

【課題】 シミュレーション技術を用いた半導体製造工程に実測データを効果的に反映させ、半導体製造工程の設計精度を向上させる。
【解決手段】 与えられた半導体装置の製造手順Aに基づき、シミュレーション実行手順Bを作成し、Dのシミュレーション実行を管理する。製造手順Aで指定した工程の中で、測定可能なデータについては測定手段10を介し、実測データaを得る。実測データaの測定条件は、ハードディスク等の二次記憶装置Cに作成された測定条件テーブルbに記録され、データベース化される。シミュレーション実行手順Bにおいて、指定された条件に一致する測定条件の実測データを、データ検索手段30を介して測定条件テーブルbから検索する。さらにモデル式抽出手段40により、実測データを物理的／数学的理論式に基づいて再現し、シミュレーションDに取り込む。 （もっと読む）

【課題】 半導体熱処理工程において、洗浄等の後処理をすることなく連続して繰り返し再使用可能なダミーウエハを提供し、半導体製造工程の生産性及び歩留を向上させる。
【解決手段】 半導体熱処理炉に配設され、その長さ方向にほぼ等間隔に複数配置された保持溝を有するウエハボートに載置される円形状のダミーウエハであって、該ダミーウエハの外周部の肉厚が中心部より薄く形成されてなることを特徴とする半導体熱処理用ダミーウエハ。中心部の肉厚が３００μｍ以上であり、且つ、外周部の肉厚が中心部の肉厚の４０〜７０％であることが好ましい。また、外周部が、ダミーウエハ外周端部からウエハ直径の２．５〜４％の幅を有し、その幅が前記保持溝の溝深さより広く形成されていることが好ましく、更に、ガラス状カーボンで形成されることが好ましい。 （もっと読む）