【目的】 半導体基板１の両面に形成された回路パターン等を導通性を備えた多結晶シリコン層６を用いて接続する。
【構成】 シリコン半導体基板１に設けられた貫通孔２は、内壁面３にシリコン酸化膜５および導電性を備えた多結晶シリコン膜６を積層した構造である。半導体基板１上に作製された加速度センシングエレメント12と信号処理素子13とは、配線層10，11および前記貫通孔に形成された導電体として機能する多結晶シリコン膜６を介して接続する。 （もっと読む）

【目的】複数の処理室を有する装置におけるウエ−ハ搬送ロボットのティ−チングを短時間で且つ正確に行う。
【構成】ウエ−ハの処理をそれぞれに実施可能な複数の真空処理室８，１１と、それぞれに接続された真空搬送室６と、真空搬送室６内に設けられた真空搬送ロボット７と、ウエ−ハ配置面上部に画像中心がくるように設けられたカメラ１０，１３と、それぞれのカメラ１０，１３からの映像デ−タを入力しウエ−ハのずれを算出する画像処理装置１５と真空搬送ロボット７の移動量を調整するロボットコントロ−ラ１６とで構成される。 （もっと読む）

【目的】 有機系不純物によるクリーンルーム内および半導体処理装置の汚染を防止することができるエアフイルタ装置することを目的とする。
【構成】 半導体製造用エアフイルタ装置は、熱処理装置等の空気循環路に設置するエアフイルタ装置２４を、フイルタ枠３３をアルミニウム等の金属によって形成するとともに、エアフイルタ３４を、ステンレス等の金属繊維を焼結してシート状に形成し、フイルタ枠３３にロー付けによって固定したことにある。 （もっと読む）

【構成】 半導体プロセスにおいて使用されるダミーウェハにおいて、珪素含浸の炭化珪素からなる基材の表面にアルミナとシリカからなるＣＶＤコーティング膜が設けられており、ＣＶＤコーティング膜の全膜厚が２０〜２００μｍであり、最内層はアルミナ含有率が５０〜７５重量％で、シリカ含有率が２５〜５０重量％であり、最外層はアルミナ含有率が９０〜１００重量％で、シリカ含有率が０〜１０重量％であることを特徴とするダミーウェハ。
【効果】 ＩＣ製造工程において、ダミーウェハの被膜に亀裂と剥離が発生することを抑止する。 （もっと読む）

【目的】 逆漏れ電流及び順電圧降下を増大することなく、高速でかつ高耐圧の半導体装置を得る。
【構成】 Ｎ⁺ 型半導体層４上に設けられたＮ型半導体層３とＰＮ接合を形成すると共に、前記Ｎ型半導体層３の表面に該Ｎ型半導体層３の複数個の露出した領域を画成するように設けられたＰ⁺ 型半導体層２を形成し、前記Ｎ型及びＰ⁺ 型半導体層の表面に亘って接触させ、ショットキ接触又はオーミック接触を有する金属電極１を設け、前記Ｎ型半導体層３と金属電極１の接触面ｅからの深さＤと、該接触面ｅの直下にあってＰ⁺ 型半導体層２の対向する領域間の最近接距離Ｗとの関係をＤ≧０．５Ｗとすることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 シリコン基板等の貼り合わせ基板の熱処理中における金属汚染を低減する。
【構成】 シリコン基板１，２を貼り合わせ、貼り合わせ後の熱処理の雰囲気を塩化水素（ＨＣｌ）を含むガスとする。この塩化水素を含む雰囲気中で熱処理することで、シリコン基板１，２中の金属不純物４は塩素と結合してハロゲン化して蒸発し易くなる。従って、シリコン基板１，２中の金属不純物４による汚染が低減される。 （もっと読む）

【目的】 絶縁体上に結晶性が単結晶ウエハー並に優れた単結晶層を有する半導体部材を提供すること、及び該部材を得るうえで、生産性、均一性、制御性、経済性の面においても優れた方法を提供すること。
【構成】 多孔質単結晶半導体領域上に非多孔質単結晶半導体領域を配した部材を形成し、前記非多孔質単結晶半導体領域の表面に、表面が絶縁性物質で構成された部材の表面を貼り合わせた後、前記多孔質単結晶半導体領域をエッチングにより除去することを特徴とする半導体部材の製造方法。 （もっと読む）