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国際特許分類[H01L21/027]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの (23,597)

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無機物層からなるもの

国際特許分類[H01L21/027]に分類される特許

2,001 - 2,010 / 23,597


【課題】硬化性樹脂材量の滴下位置のずれをなるべく早く検知することのできるインプリント装置を提供すること。
【解決手段】インプリント装置は、硬化性樹脂材料を被処理基板に滴下して、被処理基板に滴下された硬化性樹脂材料に、テンプレートに凹凸で作成されたパターンを転写するインプリント装置である。インプリント装置は、吐出部と、ステージと、移動部165と、観察部181aと、を備える。吐出部は、被処理基板に向けて硬化性樹脂材料を吐出して滴下させる。ステージには、被処理基板が載置される。移動部は、所望の位置に硬化性樹脂材料を滴下させるためにステージと吐出部とを相対的に移動させる。観察部は、滴下された硬化性樹脂材料とパターンとが平面的に重なる状態で、テンプレートを接触させる前にパターンと滴下された硬化性樹脂材料とを観察する。 (もっと読む)


【課題】熱によるスタンパの寸法変化を防止され、製造コストを削減可能なインプリント装置を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸パターンを有するスタンパ56を、基板52上に供給された紫外線硬化樹脂材料54の上に配置し、該スタンパ56の背面を流体を用いて加圧することにより該スタンパ56を押圧し、紫外線を照射することにより、前記紫外線硬化樹脂材料54を硬化させ、前記基板52の表面に前記凹凸パターンの反転凹凸パターンを形成するインプリント装置10において、前記基板52を保持する保持部材14と、前記保持部材14と対向する耐圧体12と、前記紫外線の光源20と、を有し、前記耐圧体14はその底部に導光板16を収容し、該導光板16は前記保持部材14と対向して配置されており、前記光源20から発生した紫外線は、該導光板の側面16bから入射して該導光板16の前記保持部材14側から出射し、前記紫外線硬化樹脂材料に照射されることを特徴とするインプリント装置。 (もっと読む)


【課題】熱によるスタンパの寸法変化が防止され、製造コストが削減されたインプリント装置を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸パターンを有するスタンパ56を、基板52上に供給された紫外線硬化樹脂材料54の上に配置し、該スタンパ56の背面を流体を用いて加圧することにより該スタンパ56を押圧し、紫外線を照射することにより、前記紫外線硬化樹脂材料54を硬化させ、前記基板52の表面に凹凸パターンを形成するインプリント装置10において、前記基板52を保持する保持部材14と、前記保持部材14と対向する耐圧体12と、を有し、前記耐圧体12は、その底部に前記紫外線硬化樹脂材料54に紫外線を照射するLED16を備え、且つ前記耐圧体12の底部と前記保持部材14とが対向するように配置されていることを特徴とするインプリント装置。 (もっと読む)


【課題】インプリントにおけるプロセス評価を効率良く行うことができるインプリント装置を提供すること。
【解決手段】実施形態のインプリント装置は、レジスト滴下部が、基板にレジストを滴下する。また、パターニング部は、テンプレートパターンに前記基板上のレジストを充填させて前記レジストを硬化させ、その後、離型処理を行なう。前記制御部は、前記基板上に設定された複数のショットに対し、前記レジスト滴下部によるレジスト滴下処理の滴下条件をショット毎に変化させるよう制御する。前記制御部は、前記滴下条件として、前記テンプレートパターンのうち評価対象となる評価パターンが押し当てられる前記基板上の位置から、前記基板に滴下されるレジストの液滴位置までの距離を制御する。 (もっと読む)


【課題】基板の形状やサイズにかかわらず、光源から基板に至る照射光路に設けられた光学部品及び空間光変調器の交換作業の作業性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】露光装置100は光学ユニット40a,40bを備えている。光学ユニット40a,40bが備えるレーザ発振器41a,41bから出射された光が、照明光学系43a,43bを介して導入された空間光変調器441a,441bで空間変調されて基板W上に照射される。レーザ発振器41a,41bから照明光学系43a,43bに至る光路には光源からの光を通過又は遮断するシャッタ部49a,49bが設けられている。シャッタ部49a,49bの開閉制御を行うことにより、各光学ユニット40a,40bから照射された光がシャッタ部49a,49bよりも下流に設けられた光学部品を照射する時間は、各光学ユニット40a,40bで同一となる。 (もっと読む)


【課題】裏面洗浄の際に洗浄液が基板裏面に付着するのを抑制して洗浄効率の向上を図れるようにすると共に、装置の小型化を図れるようにする。
【解決手段】基板Gを水平状態に保持する基板保持部10、基板保持部を鉛直軸回りに回転する回転駆動部20、基板保持部にて保持された基板の裏面に洗浄液を吐出する洗浄液供給部50とを具備する基板洗浄装置において、基板保持部は、基板を支持する支持部材14を立設する環状部材13と、回転駆動部に連結される中空回転軸11の頂部に設けられるボス部12と、ボス部と環状部材とを連結する複数の中空状スポーク16と、を具備する。洗浄液供給部は、洗浄液供給源53に接続され、中空回転軸内に遊貫される洗浄液供給筒軸51と、洗浄液供給筒軸内を流れる洗浄液をスポークの中空部16aに案内すべくボス部に設けられる連通流路54と、スポークの軸方向に沿って設けられる複数の裏面洗浄ノズル55とを具備する。 (もっと読む)


【課題】追加工程なしに、厚い酸化膜の段差を緩和してマスクアライメントのアライメント精度を高くすることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板1上にドリフト層を、エピタキシャル成長とパターンアライメントによる選択的イオン注入とにより並列pn層として形成し、該並列pn層を所要の厚さとするために前記エピタキシャル成長とイオン注入とを所定の繰り返し回数行って積層する際に、エピタキシャル層の表面に形成する凹状のアライメントマーク3と同時に周縁耐圧構造部に耐圧部凹部4を形成した後、最終段のエピタキシャル層2fの表面に転写された前記耐圧部凹部4の深さを埋めるフィールド酸化膜5aを形成する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を防止する。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、レーザ光を内部に入射させるための少なくとも1つの入射口を有するチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも1つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、前記チャンバに接続される排気ポンプと、前記チャンバ内に配置される少なくとも1つの光学要素と、前記少なくとも1つの光学要素の温度を制御する少なくとも1つの温度調節機構と、を備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】装置内において基板上に存在する異物を検出することができる技術を提供する。
【解決手段】基板上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板上に存在する異物を検出する検出部を有し、前記検出部は、前記基板上に光を照射して前記基板上からの光を取得する取得部と、前記取得部で取得された光に基づいて、前記基板上に存在する異物が位置するショット領域を特定する特定部と、を含み、前記光は、前記基板上の複数のマーク又は複数のパターンからの光と、前記基板上に存在する異物からの光とを含み、前記特定部は、前記複数のマーク又は前記複数のパターンからの光から前記基板上の複数のショット領域の配列を特定し、前記異物からの光に基づいて前記特定した複数のショット領域のうち前記異物が存在するショット領域を特定することを特徴とするインプリント装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】オーバーレイ測定、非対称性測定、およびインダイオーバーレイターゲットの再構築を可能にする。
【解決手段】四分くさび光デバイス(QW)は、基板から散乱した放射の回折次数を別々に再誘導し、第1方向および第2方向の各々に沿って照明から回折次数を分離する。例えば、0次(0、0’)および1次(−1、+1’)を、各入射方向について分離する。マルチモードファイバ(MF)での捕捉の後、スペクトロメータ(S1−S4)を使用して波長(I0’(λ)、I(λ)、I+1’(λ)、およびI−1(λ))の関数としての空間的に再誘導された回折次数の強度を測定する。そして、これをオーバーレイエラーの計算、または単一格子の非対称パラメータの再構築に用いる。 (もっと読む)


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