【課題】単結晶半導体層と半導体基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減し、貼り合わせ工程及び半導体装置製造工程においても十分な接着強度をもつＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】脆化層を形成する単結晶半導体基板側にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、該ハロゲンを含む絶縁膜に対してプラズマ処理を行い、ハロゲンを含む絶縁膜と半導体基板の一方の面とが向かい合うようにボンディング（接着）させ、熱処理を行うことにより、脆化層において単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、半導体基板に接着された単結晶半導体層に対して平坦化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置を用いて基板上に半導体膜を成膜する際、各結晶粒のグレインサイズが略均一となるとともに、面内において略均一な膜厚の半導体膜を形成することができることにより、信頼性の高いトランジスタを製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を、ＣＶＤ装置内に導入して、ヒータ上に載置し、ヒータを加熱することによって基板を設定された成膜温度まで加熱するステップＳ１と、ＣＶＤ装置内にモノシランガスを導入して、基板上に、非晶質の第１の半導体膜を第１の膜厚に成膜するステップＳ２と、ＣＶＤ装置内にジシランガスを導入して、第１の半導体膜上に、非晶質の第２の半導体膜を第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚に成膜して、第１の半導体膜及び第２の半導体膜により、半導体膜を設定厚さに形成するステップＳ３と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎ原子を含むIII−Ｖ族化合物半導体層の結晶性をより向上させ得るIII−Ｖ族化合物半導体層の製造方法、半導体光素子の製造方法、および半導体光素子を提供する。
【解決手段】Ｎ原子を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を製造する方法であって、III−Ｖ族化合物半導体層を構成する半導体結晶を半導体基板上に成長させてエピタキシャルウェハ１を形成する工程と、エピタキシャルウェハ１上におもり１０４を載せることで該半導体結晶に対して荷重を付与しつつ、該半導体結晶に対しその成長温度より高い温度で熱処理を行うアニール工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】微細化ＴＦＴに適用が可能な低抵抗のソース・ドレイン構造を低温プロセスで形成可能な薄膜半導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１導電型の不純物を含むソース領域及び第１導電型の不純物を含むドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成され、側壁に絶縁膜からなるサイドウオールスペーサを有するゲート電極、及び前記ソース領域並びにドレイン領域上にそれぞれ６００℃以下の温度で固相成長された、第１導電型の不純物を含む積上げソース多結晶半導体層並びに第１導電型の不純物を含む積上げドレイン多結晶半導体層を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とベース基板の貼り合わせを低温で行う場合であっても、半導体基板とベース基板との接合強度を十分に向上させることを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板と、絶縁体でなるベース基板とを用意し、半導体基板上に塩素原子を含有する酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、半導体基板上の酸化膜に対してバイアス電圧を印加してプラズマ処理を行い、単結晶半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に酸化膜を介して半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置を用いてジシランガスで基板上に半導体膜を成膜する際、工程数を増やすことなく、各結晶粒のグレインサイズが略均一となるととともに、各結晶粒の平均グレインサイズが適切な大きさとなるよう半導体膜を形成することができることにより、表示不良の少ない信頼性の高いトランジスタを製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を、ＣＶＤ装置内に導入して、ヒータ上に載置するステップＳ１と、ヒータを、６００℃〜６３０℃に加熱することによって基板を設定された成膜温度まで加熱するステップＳ２と、ＣＶＤ装置内に、ジシランガスを１０ｓｃｃｍ〜３０ｓｃｃｍの流量で導入して、基板上に、ａ−ｓｉ膜を成膜するステップＳ３とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

結晶膜を作製する方法は、選択された結晶表面配向のシード粒を含む膜を基板上に設けるステップと、混合液／固相が得られる条件下で、前記膜のパルス溶融が得られるように、パルス光源を用いて前記膜を照射するステップと、前記選択された表面配向を有するテクスチャ多結晶層が得られる条件下で、前記混合固／液相を凝固させるステップとを含む。１つ以上の照射処理が用いられ得る。前記膜は、太陽電池内での使用に適している。
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【課題】大面積を有する珪素膜に対するレーザー光の照射によるアニールの均一性を向上させる。
【解決手段】被照射面に対して線状のビーム形状を有するレーザー光を照射する構成において、線状ビームの長手方向における照射エネルギー密度の分布を制御するホモジナイザー１０３や１０４を構成するシリンドリカルレンズの幅や数を最適化することで、線状レーザーの長手方向における照射エネルギー密度の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜をチャネル形成領域として有する高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】高さが最大値から最大値と最小値の差分の１／２を示す領域の占める割合が、２９〜７２％である表面形状を持つ結晶性半導体薄膜を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 光ヘッド部の軽量化。
【解決手段】複数のレーザ発光部から発光したレーザビームを光ファイバ２を介して導光板１３に入射し、該導光板１３から出射したレーザビームを対物レンズ１６を用いて集光したレーザスポットを照射対象物に照射するものであって、この照射対象物から反射された反射レーザビームを導光板１３により受光し、この受光した反射レーザビームを導光板１３の端側面に接続した戻り光用ファイバ５によりＡＦ光学系３０に導き、ＡＦ光学系３０が前記反射レーザビームを用いて自動焦点合わせの制御を行うもの。 （もっと読む）