【課題】 低コストで歩留り良く製造でき、ゲート絶縁膜の信頼性が高く、しきい値電圧のばらつきが小さい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 金属シリサイド膜４は、ゲート絶縁膜３上にアモルファスＳｉ膜、金属膜及びＳｉ膜５を順次形成し、熱処理によって金属膜をシリサイド化することにより得られる。金属膜の上にＳｉ膜５を形成し、ゲート電極のゲート絶縁膜３側からのシリサイド化反応により金属シリサイド膜４を形成するため、不純物イオンがゲート電極とゲート絶縁膜３との界面に濃縮することが無い。これにより、不純物イオンのゲート絶縁膜３中又はチャネル領域への拡散を抑制し、ＭＩＳＦＥＴのしきい値のばらつきを低減できる。また、ゲート絶縁膜３とゲート電極との界面における不純物の偏析を抑制し、ゲート電極の剥離を防止することができるため、ゲート絶縁膜３の信頼性が高い。 （もっと読む）

【課題】 ランプアニールにより効果的に被処理膜を加熱処理するための方法を提供する。
【解決手段】 基板１０１の上面側からは紫外光ランプ１０４を用いて紫外光１０７が照射される。また、基板１０１の下面側からは赤外光ランプ１０８を用いて赤外光１１１が照射される。本発明では赤外光照射による振動励起効果に加えて紫外光照射による電子励起効果が付加されるため、被処理膜１０３の励起効率が大幅に高まり、効果的な加熱処理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 極めて簡単な手段を採ることで、窒化物系化合物半導体と電極との接触抵抗を低下させ、また、電極表面及び電極パターンエッジのモフォロジを良好に維持することを可能にして高い信頼性を実現できるようにする。
【解決手段】 金属窒化物、例えばＴｉＮを含む第１の層及びＭｏ_x Ｇａ_1-x （０＜ｘ＜１）を含む第２の層が半導体に近い側から前記の順に積層されてなる電極を備えてなることが基本になっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性の高く、且つしきい値電圧の変化量を高めることが可能な半導体不揮発性記憶素子を有する半導体装置の作製方法を提供する。また、信頼性の高い半導体不揮発性記憶素子を有する半導体装置を、大面積基板を用いて製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、固溶限界を超えるシリコンを有する固溶体をターゲットとしてスパッタリングを行い、固溶体の主成分である金属元素の導電層と、シリコン粒子とからなる導電膜を成膜した後、金属元素の導電層を除去してシリコン粒子を露出する。また、当該シリコン粒子をフローティングゲート電極とする半導体不揮発性記憶素子を有する半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 安定製造が可能であり、また安価に低電圧動作、低消費電力、高速動作が可能である極薄膜ＳＯＩ基板を用いたＭＯＳ型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 極薄膜ＳＯＩ基板を用いたＭＯＳ型半導体装置において、ソースおよびドレイン上に薄い絶縁膜中に設けたコンタクトを介して多結晶シリコンを形成し、次に比較的厚い絶縁膜を設けコンタクトを形成し、金属配線とソースおよびドレインの電気的接合は多結晶シリコンを介して行うようにした。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムの拡散を防止する層を設けることで、シリコン・ゲルマニウム層中のゲルマニウムが必要以上に拡散するのを防止することを可能とする。
【解決手段】ゲート電極１１５にシリコン・ゲルマニウム層１３２を有するＰチャネルトランジスタとゲート電極１１４にシリコン・ゲルマニウム層１３２を有するＮチャネルトランジスタとを備えた半導体装置であって、前記ゲート電極は、前記シリコン・ゲルマニウム層１３２と、前記各シリコン・ゲルマニウム層上に形成したシリコン層１３３との積層構造からなり、前記各シリコン層１３３中にゲルマニウムの拡散を防止する拡散防止層１３４が形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を簡略化することができ、低抵抗のソース、ドレインを具備した高性能かつ高信頼性の薄膜トランジスタを有する半導体装置、その製造方法、薄膜トランジスタアレイ基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 導電型が異なる薄膜トランジスタを含んで構成される半導体装置であって、上記薄膜トランジスタは、基板上に半導体層を形成し、この半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、ゲート電極をマスクにして半導体層に低濃度の不純物を注入して導電型が異なる低濃度不純物領域をそれぞれ形成し、ゲート電極の側面にサイドウォールスペーサーを形成した後に、ソース、ドレイン領域のみに高濃度不純物層としてＳｉＧｅを選択的に形成し、一方の導電型の低濃度不純物領域上のＳｉＧｅにのみ高濃度不純物層中の不純物とは異なる他の不純物をドーピングし、低濃度不純物領域上に同じ導電型の高濃度不純物領域を形成したものである半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の表面の荒れを防ぐ半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板１１上に層間絶縁膜１２を形成し、層間絶縁膜１２上にレジスト膜１４を形成し、レジスト膜１４にパターンを形成し、レジスト膜１４のパターン上面に表面膜１６を形成し、層間絶縁膜１２をエッチングする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 各共振器素子間における中心周波数のばらつきを抑制することにより周波数特性を確保することが可能な微小共振器を提供する。
【解決手段】 複数の共振器素子Ｆを有して共振動作に寄与する共振器素子構造体１１と共に、その共振器素子構造体１１の周囲に配設され、複数の非共振器素子Ｎを有して共振動作に寄与しない非共振器素子構造体１２を併せて備えるように、微小共振器構造体１０を構成する。微小共振器構造体１０の製造工程においてフォトリソグラフィ処理時に反射光の影響を受けたとしても、その反射光の影響が外郭の非共振器素子Ｎの形成精度に及びやすい一方で中央の共振器素子Ｆの形成精度に及びにくいため、非共振器素子Ｎの形成精度が低下する一方で共振器素子Ｆの形成精度が確保される。これにより、各共振器素子Ｆの形成寸法がばらつきにくくなるため、各共振器素子Ｆ間において中心周波数がばらつきにくくなる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に成膜配線して半導体素子を形成することにより銅の利点である耐ＥＭ性や耐ＳＭ性を十分に生かして高度耐腐食性の微細化配線を持つ半導体素子を製造することができる高純度単結晶銅とその製造方法、更に得られた単結晶銅からなるスパッタリングターゲットおよび同ターゲットを用いて成膜した配線を有する半導体素子を提供すること。
【解決手段】銀と硫黄の合計含有量が０．１ｐｐｍ以下である純度９９．９９９９ｗｔ％以上の高純度銅を出発原料として用い、これを電気炉１内に配置した原料るつぼ５内に入れて溶解し、るつぼ底部の溶解滴下孔４から下方の単結晶鋳型６に溶解銅を滴下する。この間上部、中部、下部ヒーター１０、１１、１２により温度を調節し、石英外筒３内を真空排気装置２により排気する。炉底部には断熱トラップ８がありその外側に冷却水９が貫流する水冷フランジ７が配置されている。この装置の単結晶鋳型内に半導体素子の配線形成用ターゲット材として好適な高純度単結晶銅が得られる。 （もっと読む）