本発明は、表面ビット線（ＤＬｘ）および埋め込みビット線（ＳＬｘ）を備えたビット線構造に関するものである。これに関して、埋め込みビット線（ＳＬｘ）は、トレンチ絶縁層（６）を備えたトレンチに形成されており、トレンチの上部に設けられた被覆接続層（１２）と自動調心電極層（１３）とを介して形成された接触部とともに、ドープ領域（１０）に接続されている。
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本発明は、半導体材料の予めパッシベーション化した表面を金属被覆するための方法及びその結果得られる材料に関する。本発明は、マイクロエレクトロニクスに適用可能であり、材料（２）の表面を前処理することにより、材料内に水素原子又は金属元素を吸着可能な結合を形成するステップ、表面をパッシベーション化化合物に露出することにより、好ましくは表面の直下に位置する一又は複数の層をパッシベーション化するステップ、及び表面（４）を水素原子へ又は金属元素に露出することにより、該表面を金属被覆するステップを含むことを特徴とする。
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【課題】 チャネル長の短い薄膜トランジスタを簡便に、かつ、低廉なコストで形成することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 液滴乾燥法を用いることによってバンク３０を形成し、このバンク３０を挟んでソース電極４０ａとドレイン電極４０ｂを形成する。その後、バンク３０を剥離することによって得られる溝パターン５０に半導体材料を供給して半導体層を形成し、ゲート絶縁膜、ゲート電極等を形成することにより、薄膜トランジスタを製造する。 （もっと読む）

導電性有機ポリマーと複数のナノ粒子との水性分散液を含んでなる組成物が提供される。発明組成物からキャストされるフィルムは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のようなエレクトロルミネセンスデバイスおよび薄膜電界効果トランジスタ用電極での緩衝層として有用である。ナノ粒子を含有する緩衝層は、ナノ粒子なしの緩衝層よりもはるかに低い導電率を有する。さらに、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス中へ組み込まれた場合に、本発明による緩衝層はＥＬデバイスのより高い応力寿命に寄与する。
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【課題】 セルフアライン形成技術によりセルフアライン形成領域の絶縁膜に形成されたコンタクトホールの径に比較してさらに開孔幅の大きな穴部を絶縁膜の上部に形成するためセルフアライン形成領域を再度エッチング処理する必要があったとしても、セルフアライン形成領域内のセルフアラインマスク膜に悪影響が及ぼされることなく、さらにセルフアライン形成領域に対して複数回に分けて接続配線を埋込み形成する必要をなくす。
【解決手段】 領域ＣＢ２に対して第１のコンタクトホール１６を形成した後、フォトレジスト３８、塗布型酸化膜３９、フォトレジスト４０の３層構造の多層レジスト構造４１を形成し、第５のシリコン酸化膜２３の上部に穴部２４および２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】炭素混入量が低く、かつ金属／Ｓｉ比が良好に制御され、良好なｈｉｇｈ−ｋ絶縁膜として用いることができる金属シリコンオキシナイトライドを製造できる方法を提供する。
【解決手段】炭素フリーのシリコン源たとえば（ＳｉＨ₃）₃Ｎと、一般式ＭＸ_nで表される金属前駆体たとえばＨｆ（ＮＥｔ₂）₄と、酸化剤たとえばＯ₂とをＣＶＤチャンバーへ導入して基板表面で反応させる金属シリコンオキシナイトライドの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ナノインプリント法を用いることでコストを抑えることができる、半導体装置の作製方法の提案を課題とする。
【解決手段】 本発明は、島状の半導体膜上にゲート絶縁膜と、導電膜と、レジストとを順に形成し、パターンが形成されたモールドをレジストに押し付けた状態でレジストの硬化を行なうことで、パターンをレジストに転写し、導電膜の一部が露出するまでパターンが転写されたレジストの表面をアッシングし、アッシングされたレジストをマスクとして用い、導電膜をエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

トランジスタ構造の少なくとも一部分が実質的に透明であるエンハンスメント・モード電界効果トランジスタである。該トランジスタの一変形形態は、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２及びＩｎ_２Ｏ_３から選択された実質的に絶縁性で実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。実質的に透明な材料から構成されるゲート絶縁体層は、チャネル層／ゲート絶縁体層境界面を形成するようにチャネル層に隣接して配置される。該トランジスタの第２の変形形態は、アニーリングにより生成される実質的に絶縁性のＺｎＯ、ＳｎＯ_２及びＩｎ_２Ｏ_３から選択される実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。該トランジスタを含む装置、及び該トランジスタを作る方法も開示されている。
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【課題】 薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備えた平板表示装置及びその平板表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンネル領域、ソース、及びドレイン領域を有する活性層と、前記チャンネル領域に信号を印加するゲート電極と、前記ソース及びドレイン領域にそれぞれ接続し、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｔａ、及びＴａ合金のうち少なくとも一つを含むソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極と前記活性層との間に介在され、シリコンナイトライドを含む絶縁膜と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。これにより、ソース／ドレイン電極の配線抵抗を低め、活性層からの汚染を防止し、画素電極との接触抵抗特性が改善され、活性層への水素供給を円滑にして移動度、オンカレント特性、スレショルド電圧特性などに優れたＴＦＴ及びそれを備えた平板表示装置が得られる。 （もっと読む）

発光ダイオードなどの半導体発光素子は、基板と、基板上に設けられ、発光ダイオード領域などの発光領域を含むエピタキシャル領域と、エピタキシャル領域上に設けられ、反射層を含む多層導電スタックとを含む。反射層上にはバリア層が設けられ、反射層の側壁上に延びている。多層導電スタックは、反射体とエピタキシャル領域の間にオーミック層も含むことができる。バリア層はさらに、オーミック層の側壁上に延びている。バリア層は、多層導電スタック外部のエピタキシャル領域上へも延びていてもよい。バリア層は、交互に重ねた一連の第１および第２の副層として製作できる。
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