典型的には半導体ウェーハである基板（１）の、レリーフ状にパターニングされた基板表面（１０１）上に、堆積方法（ＡＤＬ；ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：原子層堆積）を用いて、基板表面（１０１）に対して傾斜し、および／または垂直である処理表面（２）に、被覆層（３）が提供される。被覆層（３）は、前駆材料の少なくとも１つの処理量の制限によって、および／または堆積方法の時間的制限によって、簡易な方法において、基板表面（１０１）に対して垂直な方向にパターニングされ、後続のプロセス工程のための機能層あるいはマスクとして形成される。
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【課題】 半導体装置の性能や信頼性を向上させる。
【解決手段】 ＣＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ａのゲート電極３１ａは、Ｐ、ＡｓまたはＳｂをドープしたシリコン膜をＮｉ膜と反応させることで形成されたニッケルシリサイド膜からなり、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ｂのゲート電極３１ｂは、ノンドープのシリコンゲルマニウム膜をＮｉ膜と反応させることで形成されたニッケルシリコンゲルマニウム膜からなる。ゲート電極３１ａの仕事関数はＰ、ＡｓまたはＳｂをドープすることによって制御され、ゲート電極３１ｂの仕事関数はＧｅ濃度を調節することによって制御される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、低抵抗であって且つ絶縁膜及び配線との間で高い密着性を有するバリアメタル膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、基板（１）上に形成された絶縁膜（６，８）と、絶縁膜（６，８）中に形成された埋め込み配線（１４）と、絶縁膜（６，８）と埋め込み配線（１４）との間に形成されたバリアメタル膜（Ａ１）とを有する。バリアメタル膜（Ａ１）は、絶縁膜（６，８）が存在している側から埋め込み配線（１４）が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜（１１）、遷移層（１２ａ）及び金属膜（１３）よりなり、遷移層（１２ａ）は、金属酸化物膜（１１）の組成と金属膜（１３）の組成とのほぼ中間的な組成を有する単一の原子層よりなる。 （もっと読む）

処理チャンバに配置された材料をアニールしてケイ化物層を形成するための方法及び装置が提供される。１つの態様において、シリコン材料が配置された基板を、チャンバ内の基板支持体上に配置するステップと、少なくともシリコン材料上に金属層を形成するステップと、上記基板をその場でアニールして、金属ケイ化物層を生成するステップとを備えた基板面を処理する方法が提供される。別の態様において、この方法は、ロードロックチャンバと、該ロードロックチャンバに結合された中間基板移送領域であって、第１基板移送チャンバ及び第２基板移送チャンバで構成される中間基板移送領域と、上記第１基板移送チャンバに配置された物理的気相堆積処理チャンバと、上記第２基板移送チャンバに配置されたアニールチャンバとを備えた装置において実行される。
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【課題】 シリコン基板上に形成された窒素化合物含有半導体層を含むヘテロ構造を備え、数百Ｖ以上の高耐圧を有する窒素化合物含有半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の実施の一形態に係る窒素化合物含有半導体装置は、シリコン基板と、シリコン基板上に島状に形成されたチャネル層としての第１の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１））層と、第１の窒化アルミニウムガリウム層上に形成された第１導電型又はｉ型のバリア層としての第２の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１，ｘ＜ｙ））層と、を備えているものである。 （もっと読む）

【課題】 少ない労力でビアホール等を形成するときのエッチング条件が適切か否かを確認できるようにする。
【解決手段】 基準部、該基準部より低地である低地部、及び前記基準部より高地である高地部を有する半導体基板１上に、導電膜２及び層間絶縁膜３を形成し、層間絶縁膜３の表面を平坦化する。層間絶縁膜３をエッチングすることにより、低地部の上方に位置する第1及び第２の接続孔３ａ、前記基準部の上方に位置する第３の接続孔３ｂ、及び高地部の上方に位置する第４の接続孔３ｃを同時に形成する。第１〜第４の接続孔３ａ〜３ｃそれぞれに、第1〜第４の導電体４ａ〜４ｃを埋め込む。層間絶縁膜３上に、第1の導電体３ａ、第３の導電体４ｂ及び第４の導電体４ｃを互いに接続する上部電極５ｂを形成し、上部電極５ｂと、第１の導電体３ａとの間の抵抗を測定する。 （もっと読む）

【課題】 成膜速度が速く、成膜時のダメージが小さい金属系膜の作製方法及び作製装置及び積層膜作製装置を提供する。
【解決手段】 圧力制御可能なチャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設され、３ｄ遷移金属からなる被エッチング部材１０の上方から、Ｂ又はＳｉを含有するハロゲン系の原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１９を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、被エッチング部材１０をエッチングして、被エッチング部材に含まれる３ｄ遷移金属成分の前駆体２０を生成し、被エッチング部材１０より低い温度に制御された基板３に、前駆体２０を成膜させると共に、成膜された前駆体２０をハロゲンのラジカルにより還元して、基板３上に３ｄ遷移金属、又は、Ｂ若しくはＳｉを含有する３ｄ遷移金属の金属系膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】 電気特性評価を伴う半導体装置の製造において、半導体チップコストを増大させることなく、外部装置との組立工程で接続不良を生じない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の電極パッド２に電気特性検査針４をあてて電気特性検査を行った後に、前記半導体装置の前記電極パッド２上に導電性薄膜６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 金属集積回路構造を好適に電気鋳造する方法を提供する。
【解決手段】 本発明による方法は、中間絶縁体を貫通するビアまたはラインといった開口部（１０８）を形成して基板（１０２）の表面（１０４）を露出し、中間絶縁体（１０６）と基板の表面との上にあるベース層（１１０）を形成し、ベース層の上にあるストライク層（１１２）を形成し、ストライク層の上にある最上層を形成し、選択的にエッチングすることにより基板の表面の上にある最上層を除去してストライク層（１１２）の表面を露出し、ストライク層の表面の上にある金属構造（１１４）を電気鋳造する。電気鋳造された金属構造（１１４）は、電気メッキまたは無電解堆積プロセスを用いて堆積される。典型的には、この金属はＣｕ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、ＰｔまたはＡｇである。 （もっと読む）

【課題】 Ｂモード故障とシリサイド未形成による動作不良の双方を解消した半導体装置を提供する。
【解決手段】 素子分離領域により画成された第１および第２の素子領域を有する基板と、前記第１の素子領域に形成された第１のポリシリコンゲート電極を有する第１の電界効果トランジスタと、前記第２の素子領域に形成された第２のポリシリコンゲート電極を有する第２の電界効果トランジスタと、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第２のポリシリコンゲート電極とを結んで前記素子分離領域上を延在するポリシリコンパターンと、前記第1のポリシリコンゲート電極の表面および前記第２のポリシリコンゲート電極の表面、さらに前記ポリシリコンパターンの表面に形成され、前記第1のポリシリコンゲート電極から前記第2のポリシリコンゲート電極まで、前記ポリシリコンパターン上を延在するシリサイド層とよりなる半導体装置において、前記シリサイド層は前記ポリシリコンパターン上において層厚が増大した厚膜部を含み、前記厚膜部では、前記シリサイド層の表面が上方に突出する。 （もっと読む）