【課題】 チャネル長の短い薄膜トランジスタを簡便に、かつ、低廉なコストで形成することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 液滴乾燥法を用いることによってバンク３０を形成し、このバンク３０を挟んでソース電極４０ａとドレイン電極４０ｂを形成する。その後、バンク３０を剥離することによって得られる溝パターン５０に半導体材料を供給して半導体層を形成し、ゲート絶縁膜、ゲート電極等を形成することにより、薄膜トランジスタを製造する。 （もっと読む）

導電性有機ポリマーと複数のナノ粒子との水性分散液を含んでなる組成物が提供される。発明組成物からキャストされるフィルムは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のようなエレクトロルミネセンスデバイスおよび薄膜電界効果トランジスタ用電極での緩衝層として有用である。ナノ粒子を含有する緩衝層は、ナノ粒子なしの緩衝層よりもはるかに低い導電率を有する。さらに、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）デバイス中へ組み込まれた場合に、本発明による緩衝層はＥＬデバイスのより高い応力寿命に寄与する。
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【課題】 セルフアライン形成技術によりセルフアライン形成領域の絶縁膜に形成されたコンタクトホールの径に比較してさらに開孔幅の大きな穴部を絶縁膜の上部に形成するためセルフアライン形成領域を再度エッチング処理する必要があったとしても、セルフアライン形成領域内のセルフアラインマスク膜に悪影響が及ぼされることなく、さらにセルフアライン形成領域に対して複数回に分けて接続配線を埋込み形成する必要をなくす。
【解決手段】 領域ＣＢ２に対して第１のコンタクトホール１６を形成した後、フォトレジスト３８、塗布型酸化膜３９、フォトレジスト４０の３層構造の多層レジスト構造４１を形成し、第５のシリコン酸化膜２３の上部に穴部２４および２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置において、セル面積の縮小化を図ることにある。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板１０と、半導体基板１０の内部に形成され、コントロールゲートとして機能する不純物領域２２と、半導体基板１０の上方に形成されたゲート絶縁層１６と、ゲート絶縁層１６の上方に、不純物領域２２とオーバーラップして形成されたフローティングゲート１８と、フローティングゲート１８の上方に形成された層間絶縁層５０と、層間絶縁層５０の上方に、フローティングゲート１８とオーバーラップして形成された遮光層５２と、を含む。遮光層５２は、不純物領域２２と電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】 従来の多層配線構造においては、配線格子及び垂直接続孔の制限があるため、上層配線１の接続点と、下層配線２の接続点とを結ぶ接続配線は最短経路ではなかった。
そこで、本発明は、半導体装置の多層配線のうち、異なる配線層に属する所定の２点間を、短縮した距離で接続する接続配線を含む多層配線構造、及び、該多層配線構造中の該接続配線の形成方法を提供する。
【解決手段】
上記課題を解決するため、多層配線構造であって、第１の配線と、前記第１の配線が属する配線層とは異なる配線層に属する第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線を接続する第３の配線を備え、前記第３の配線は、異なる配線層に属し、かつ、平面的に異なる位置にある２点を結ぶ立体対角線にそった配線を含むことを特徴とする多層配線構造を提供する。また、前記第３配線を形成する工程が、前記立体対角線に沿った貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電材料を充填する工程とを含むことを特徴とする多層配線構造を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるセルフアラインドコンタクトを形成する製造方法であって、基板のコアエリアとターミネーションエリアの一部分まで拡張してトレンチをエッチングで形成する方法を提供する。
【解決手段】第一の酸化物はトレンチの壁部に隣接した前記基板上に生成される。ポリシリコン層は前記コアエリアと前記ターミネーションエリアに蒸着される。このポリシリコン層は、前記コアエリアの前記トレンチの一部分にゲート領域を形成するように選択的にエッチングされる。このポリシリコン層のエッチングは、また、前記ゲートインターコネクト領域の第一部分を前記ターミネーションエリアの前記トレンチ部分に形成し、ゲートインターコネクト領域の第二部分を前記ターミネーションエリアにおける前記トレンチの外側に形成する。 （もっと読む）

【目的】炭化ケイ素基板に対して、メッキ法によりニッケル−炭化ケイ素基板間に汚染物質の少ないニッケル電極形成方法および装置を提供することにある。
【構成】炭化ケイ素基板にメッキによりニッケル電極を形成する前に、炭化ケイ素のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する波長領域の光を照射しつつ、陽極側に電圧を印加することでエッチングを行う。このとき電解液の温度を６０℃以上に上昇させることで、エッチングが効果的に行える。エッチング後、炭化ケイ素基板に陰極側の電圧を印加することでニッケルのメッキを行う。これにより、ニッケル−炭化ケイ素界面に汚染物質の少ないニッケル電極を形成することができる。さらに、本発明の電極形成方法を半導体素子の製造工程において、ニッケルショットキー電極の形成、ニッケルオーミック電極の形成に適用することにより、良質の半導体素子を効率的に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 酸素雰囲気下での熱処理や合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた正極構造を提供し、さらにその正極を使用した発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 この正極構造は、化合物半導体発光素子の透明正極であって、白金族から選ばれた少なくとも１種類の金属の薄膜からなるコンタクトメタル層と、金、銀または銅からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属もしくはそれらのうち少なくとも１種を含む合金からなる電流拡散層、及びボンデイングパッドからなる。 （もっと読む）

本発明は、比誘電率が８以上の膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）とシリコン酸化膜とが表面に形成されたものをエッチング処理するのに好適なエッチング液であって、Ｈｉｇｈ−ｋ膜のエッチングレートが２Å／分以上であり、熱酸化膜（ＴＨＯＸ）とＨｉｇｈ−ｋ膜のエッチングレートの比が５０以下であるものを提供する。前記エッチング液としては、フッ化水素（ＨＦ）と種々のエーテル系有機溶媒とを混合したものが好ましく使用される。
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【課題】 簡単な方法によりゲート電極を斜めに傾け、ゲート長を短縮することができる半導体素子の製造方法を得る。
【解決手段】 まず、半導体基板１１上にゲート電極１５を形成する。次に、半導体基板上にゲート電極の一方の側面のみに接触するようにレジスト１６を形成する。そして、レジストを収縮又は膨張させることによりゲート電極を傾ける。ここで、ゲート電極の断面形状をΓ型、Ｔ型又はＹ型とするのが好ましい。また、ゲート電極をソース側へ傾けるのが好ましい。 （もっと読む）