【課題】従来のプラズマを用いたアモルファス型シリコン薄膜やポリシリコン薄膜の製造は、半導体層の形成に真空装置を用いるため、ｐ−ｎ接合やＴＦＴを形成する半導体薄膜を必要な部分にのみ選択的に形成することが難しいという課題がある。
【解決手段】 本発明は、印刷法を用いてチャネル領域が反応性単分子膜で被われたｎ型またはｐ型Ｓｉ微粒子で形成されているTFT やTFTアレイを製造提供することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細な穴を有する板状体を処理液に浸漬して行う湿式処理において、穴に気泡が残留することをより十分に抑制し、より均一な湿式処理を実現することが可能な湿式処理方法及び湿式処理装置を提供する。
【解決手段】密閉容器１１内に板状体３を保持した状態で密閉容器１１内を減圧する減圧工程と、減圧工程の後，密閉容器１１内が減圧された状態で密閉容器１１内へ処理液２に溶解可能な溶解性気体８を導入する溶解性気体導入工程と、溶解性気体導入工程の後，密閉容器１１内が溶解性気体８で充満された状態で密閉容器１１内へ処理液２を導入する処理液導入工程とを備えることにより、微細な穴に気泡が残留しない状態で基板３の湿式処理ができるようにしている。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】実施形態に係るめっき処理装置は、二つ以上の撥水性が異なる領域を有する基板の被処理面にめっき膜を形成するめっき処理装置であって、基板を収容するインナーチャンバと、インナーチャンバ内に配設され、基板を回転可能に水平保持する保持機構と、インナーチャンバを覆うように配設されたアウターチャンバと、アウターチャンバの上面に配設され、インナーチャンバとアウターチャンバとの間に所定のめっき処理温度以上の不活性ガスを供給するガス供給孔と、インナーチャンバの内部と外部との間に圧力勾配が形成されるように不活性ガスをインナーチャンバ内に導入するガス導入口と、インナーチャンバ内の不活性ガスの圧力が所定の値となった後に、基板の被処理面の所定位置にめっき処理温度のめっき液を供給するめっき液供給機構とを具備している。 （もっと読む）

半導体材料（１）上に少なくとも１つの導体を形成する方法は、（Ｅ１）−シルクスクリーン印刷によって第１の高温ペーストを堆積させるステップと、（Ｅ２）−前のステップの間に堆積された第１の高温ペーストに少なくとも部分的に重ねて、シルクスクリーン印刷によって、低温ペーストを堆積させるステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】所定パターンを有するとともに、表面抵抗率や光透過率等のばらつきが少ない金属酸化膜の形成方法およびそのような金属酸化膜を提供する。
【解決手段】基材上に、所定パターンを有する金属酸化膜の形成方法等であって、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩膜を形成する第１工程と、金属塩膜に対して、所定パターンを設ける第２工程と、金属塩膜に対して、熱酸化処理または所定のプラズマ酸化処理を行い、金属酸化膜とする第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕバリア上にダイレクトにめっきするプロセスにおいて、ボイドフリーの埋め込みを実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、半導体基板上の絶縁膜１０１に凹部１０２を形成する工程（ａ）と、凹部１０２の側壁及び底部を覆うようにバリアメタル膜１０３を形成する工程（ｂ）と、第１の電界めっき処理により、バリアメタル膜１０３の表面に沿ってコンフォーマルな第１の導電膜１０４を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、第２の電界めっき処理により、凹部内に第２の導電膜１０５を形成する工程（ｄ）とを有する （もっと読む）

【課題】自己組織化材料を用いて制御性の良いコンタクトを形成可能なコンタクト形成方法及び半導体装置の製造方法が提供する。
【解決手段】基板上に形成され、異なる層を電気的に接続するコンタクトの形成方法であって、第一の層上に形成された層間絶縁膜をエッチングし、前記第一の層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホール内に導電性高分子ブロック共重合体を含む高分子膜を形成する工程と、前記高分子膜を相分離させ、前記コンタクトホール内の露出した前記第一の層上に導電性の配列構造からなるコンタクトを形成する工程と、前記コンタクト上に第二の層を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】素子の特性の変動を抑えること。
【解決手段】シリコン（Ｓｉ）基板１にアルミニウム（Ａｌ）膜２を形成した後、アルミニウム膜２の形成されたシリコン基板１を炉入れして、シリコン基板１とアルミニウム膜２とをシンタリングする。このとき、炉内の酸素濃度に合わせて、熱処理温度を調整する。ついで、Ａｌ原子を亜鉛（Ｚｎ）原子で置換した析出核をＡｌ膜２の表面に形成し、Ｚｎ原子をスターターとして、無電解めっき処理によってニッケル（Ｎｉ）めっき層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】容易に作成可能なパターニングされたゲル状態のめっき用組成物を提供する。
【解決手段】ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で開口１３を介して基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に形成されている表面電極と、半導体基板の裏面に形成されている裏面電極とを備えている半導体装置において、半導体基板の反りを抑制する。
【解決手段】半導体装置の表面電極および裏面電極は、めっき層を含んでいる。表面電極のめっき層と裏面電極のめっき層の一方を、他方よりも厚くすることによって、半導体基板の反りを抑制する。この半導体装置は、表面電極のめっき層と裏面電極のめっき層とを同時に成長させる工程と、表面電極のめっき層と裏面電極のめっき層のいずれか一方のみを成長させる工程とを含んでいる製造方法によって、好適に製造することができる。 （もっと読む）