国際特許分類[H01L21/288]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造 (9,571) | 電極用の導電または絶縁材料の析出 (3,372) | 液体からの析出,例.電解液からの析出 (1,357)
国際特許分類[H01L21/288]に分類される特許
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太陽電池電極用ペーストおよび太陽電池セル
【課題】良好な印刷性を保持しつつ、体積抵抗率を低く、かつ、アスペクト比を高くすることができ、また、シリコン基板との密着性にも優れる電極を形成することができる太陽電池電極用ペーストおよびそれを用いた太陽電池セルの提供。
【解決手段】銀粉(A)と、所定の式で表される2種の脂肪酸銀塩(B)と、ビヒクル(C)とを含有し、
前記銀粉(A)が、平均粒子径が0.7〜5μmの球状の銀粉末である太陽電池電極用ペースト。
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パターン形成方法
【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等のパターンを作製する方法、さらには、層間絶縁膜、平坦化膜、ゲート絶縁膜等の絶縁膜、配線、電極、端子等の導電膜、半導体膜等の半導体素子の各部位の膜、良好なマスクパターン、及びコンタクトホールを形成する方法を提案し、更には低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一は、膜上にぬれ性の低い1のマスクパターンを形成した後、第1のマスクパターンを介して、膜上にぬれ性の高い材料を塗布又は吐出して第2のマスクパターンを形成し、第1のマスクパターンを除去して、第2のマスクパターンをマスクとして第1の膜の一部を除去する。
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接続されたナノ構造体及びそのための方法
種々の材料及びアプローチの1以上を用いてナノ構造体を接続する。種々の例示的実施形態で、ナノ構造体間の接続部で2つ以上のナノ構造体が接続される。ナノ構造体は、接続部で接触するかほぼ接触してよく、接続材料を接続部で堆積及び核形成させてナノ構造体同士を結合する。種々の用途で、核形成した接続材料はナノ構造体間の伝導率(熱的及び/又は電気的)を向上させる。いくつかの実施形態では、接続材料は更に、例えばナノ構造体に沿って成長することにより及び/又はナノ構造体にドープすることにより、ナノ構造体自身の伝導率を上昇させる。
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電極材料
【課題】溶融温度が低く、凝固後は高い融点を確保し得る導電性組成物を提供すること。
【解決手段】第1の金属粒子1は、平均粒径が、微細サイズ効果を生じ融点よりも低い温度で溶融可能なnm領域にある。第2の金属粒子2は、第1の金属粒子1の溶融により溶融する。
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銅導体インク及び導電性基板及びその製造方法
【課題】導電性を低下させることなく、基板との密着性が高い導電層を形成可能な銅導体インク、及び導電層と基板との密着性が高く、該導電層の導電性が高い導電性基板を製造し得る製造方法を提供することにある。
【解決手段】銅系ナノ粒子と、熱硬化前の熱硬化性樹脂とを含有する銅導体インクであって、前記熱硬化性樹脂の含有体積が、銅系ナノ粒子を最密充填したときの空隙体積の1/4の体積より大きく、該空隙体積よりも小さい体積である銅導体インクである。また、前記銅導体インクを基板上に塗布し塗布層を形成し、乾燥する工程Aと、乾燥した塗布層に導体化処理を施し導電層へと変化させる工程Bと、前記工程Aと前記工程Bとの間に、又は前記工程Bの後に、前記熱硬化性樹脂を熱硬化する工程Cと、を含む導電性基板の製造方法である。
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半導体デバイスにおける無電解ニッケルおよび金めっき
説明した例の半導体デバイスは、半導体基板及び金属コンタクトパッドの上に形成される不活性化層を含む。ENIG無電解めっきプロセスを用いて不活性化層及び金属コンタクトパッドの上にニッケルが、ニッケルの上に金が堆積される。ニッケルは、ニッケルの不活性化層とのインタフェースに及びニッケルの不活性化層及び金属コンタクトパッドとの接合に多孔質ニッケルのない第1非多孔質ニッケル領域(250A)を含み、第1ニッケル層の上の多孔質ニッケル領域(270)も含む。多孔質ニッケル層の上に金領域(260)がある。第2非多孔質ニッケル領域(250B)が多孔質ニッケル領域と金領域との間にあってもよい。金リッチ・ニッケル領域(275)が、多孔質ニッケル領域と金領域との間にあってもよい。堆積されるニッケル及び堆積される金の相対的厚さは、無電解金めっきプロセス中にニッケル層の腐食がデバイス層に達しないように選択される。
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パターン形成方法およびパターン形成装置
【課題】 バス配線パターン71aに対して交差するフィンガー配線パターン73aを基板9の主面に形成する際に、フィンガー配線パターン73aを厚膜(高アスペクト比)に形成するとともに、基板9の主面に開始太り3および開始細り4が発生することを防止する。
【解決手段】 基板の主面に形成された第1方向に延びるバス配線パターン71a上に、ノズルからペーストを供給した後、ノズルからのペーストの供給を継続しつつ、ノズルに対して基板9を第1方向と交差する第2方向に沿って移動させて、基板の主面にフィンガー配線パターン73aを形成する。
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電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極、その製造方法および電気銅メッキ方法
【課題】アノードスライムの発生およびメッキ欠陥の発生を抑えた半導体ウエハ等の電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極、該含リン銅アノード電極の製造方法およびこの含リン銅アノード電極を用いた電気銅メッキ方法を提供する。
【解決手段】リン含有量が0.01〜0.08質量%である電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極において、該アノード電極は熱処理により、その表面の残留歪みが0.05%以下とされ、該アノード電極は炭化水素系溶剤で洗浄され、回転リングディスク電極法で測定される一価銅の検出量が電解時間300sec以上において5×10−9mol/sec以下である表面清浄度を備える電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極とその製造方法および電気銅メッキ方法。
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半導体素子の製造方法
【課題】簡単な工程設備を用いて短い工程時間内に半導体素子のビアを形成できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板101に絶縁膜107と拡散防止膜109で内壁を被覆したビアホール105を形成する。荷電された金属粒子113を、電気力又は磁気力を利用して移動させて、このホールを金属粒子で充填する。ビアホールの下部から上方へ充填されるので、内部に空隙が発生することを抑制できる。従来技術による銅電気メッキ方式と比較すると、非常に短時間内に大きくて深いビアホールを金属粒子で充填できるため、シリコン貫通ビア(TSV)の工程コスト、及び工程時間を短縮することが出来る。また、従来技術の樹脂成分が多く含まれているメタルペーストを用いる乾式充填方式と比較すると、荷電された金属粒子を用いることで、より密なTSV金属配線を形成できる。
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圧膜用超低溶融金属ナノ粒子組成物
【課題】数マイクロメートルの厚さ及び約130℃以下の金属ナノ粒子のアニール温度を有する導電性構造部を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性構造部を形成する方法であり、該方法は、金属化合物、還元剤及び安定剤を含む実質的に無溶媒の反応混合物内において安定剤の存在下で金属化合物を還元剤と反応させて、金属ナノ粒子表面に安定剤の分子を有する複数の金属ナノ粒子を形成する工程を含む。前記金属ナノ粒子表面に前記安定剤の分子を有する前記複数の金属ナノ粒子を分離させた後に、ポリマー結合剤、液体及び前記金属ナノ粒子表面に前記安定剤の分子を有する前記複数の金属ナノ粒子を含む液体組成物を液体堆積技術により基板上に堆積して堆積された組成物を形成する。堆積された組成物を次に加熱して基板上に導電性構造部を形成する。
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