【課題】金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切且つ効率よく形成する。
【解決手段】金属膜形成システム１は、ウェハＷを搬入出する搬入出ステーション２と、ウェハＷ上に前処理液を塗布し、ウェハＷ上に下地膜を形成する前処理ステーション３と、下地膜が形成されたウェハＷ上に金属混合液を塗布し、ウェハＷ上に金属膜を形成する主処理ステーション４と、搬入出ステーション２、前処理ステーション３及び主処理ステーション４を接続するロードロックユニット１０とを有している。前処理ステーション３、主処理ステーション４、ロードロックユニット１０は、それぞれ内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体の上に直接電着する方法を提供する。
【解決手段】 本開示は、半導体材料の少なくとも１つの表面上に金属又は金属合金を電着する方法を提供する。本発明の方法は、半導体材料の少なくとも１つの表面上の、電着された金属膜による完全な被覆を提供する。本開示の方法は、半導体材料を準備することを含む。半導体材料の少なくとも１つの表面上に、電着プロセスによって金属膜が付けられる。用いる電着プロセスには、最初に低電流密度を加え、所定の時間後に電流密度を高電流密度に変える電流波形が用いられる。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法を用いた場合でも高いスループットで微細な導電層を有する積層構造体を製造可能な積層構造体の製造方法、並びに積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリクス基板及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に、同一パターンの高表面エネルギー部４０を一定の間隔で周期的に配列しておき、インクジェット装置の主走査方向（Ｘ軸方向）における吐出ノズル１，２の間隔を、高表面エネルギー部４０のパターン間隔と一致させて選択的に機能液の液滴ｄを滴下してソース電極２３０、ソース電極線２９０、ドレイン電極２４０となる導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】充填時の溶融温度が低く、凝固後は高い融点を確保することができ、しかも、作業操作性に優れた充填用基材及びそれを用いた充填方法を提供すること。
【解決手段】充填用基材５は、第１金属層２１と第２金属層２２とを含む金属層２を支持基体１の一面上に設けた構造になっている。第１金属層２１は、その融点よりも低い温度で溶融可能なナノ金属粒子の集合したものでなり、第２金属層２２は、その融点が第１金属層２１の融点よりも低い金属粒子の集合したものでなる。充填用基材５の一面側を、微細空間３０の開口する基板３の一面上に重ねる。そして、充填用基材５を加熱し、かつ、加圧Ｆ１して、金属層２の溶融物を微細空間３０内に充填する。 （もっと読む）

【課題】パターン外析出を抑制し、密着力を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。 （もっと読む）

【課題】アンダーバンプメタル形成のための無電解めっき処理の際に、薄型ウェハのハンドリング性を維持しながら、めっき時のウェハの破損を防止すると共にウェハの非めっき面へのめっき付着を防止する。
【解決手段】ウェハ裏面のバックグラインディング工程１と、次いで、ウェハの裏面に再剥離型粘着剤を粘着面にもつ粘着フィルムを１枚又は２枚以上積層して貼り付ける工程２と、次いで、粘着フィルムが裏面に貼り付けられたウェハに対して、ウェハ表面にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成するための無電解めっき処理工程３と、次いで、粘着フィルムを剥離する工程４を実施することを含む半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高精細なパターニングが可能なパターン形成体の効率的な製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に形成され、表面が疎水性を示す疎水性層上にフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、上記フォトレジストパターンが形成された上記疎水性層の表面にエネルギーを照射して親水化し、親水性領域を形成する親水化工程と、上記フォトレジストパターンを剥離し、上記疎水性層表面に、上記親水性領域と上記親水化工程にて上記フォトレジストパターンで覆われていた疎水性領域とがパターン状に形成された親疎水パターンを形成するフォトレジストパターン剥離工程とを有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】めっき反応速度を調整することでめっき未着を防ぐことが可能な貫通孔配線基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】微小デバイスを構成する貫通孔配線基板の製造方法であって、基板４０の両表面を貫通する貫通孔４１を形成する工程と、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程と、を備え、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程では、Ｎｉめっきの析出レートを５０ｎｍ／ｍｉｎ未満にしてめっきを成長させる。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーションの影響を低減できるＣｕ配線を備えた半導体装置
及びその製造方法を目的とする。
【解決手段】
Ｃｕ配線１０を備える半導体装置１において、
Ｃｕ配線１０の断面構造は、側部及び下部をバリアメタル２０に接し、上部を絶縁膜３
０に接し、絶縁膜３０に接するＣｕ配線１０の上部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の
中央部のグレインサイズより小さ。さらに、バリアメタルに接するＣｕ配線１０の側部及
び下部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の中央部のグレインサイズより小さい。 （もっと読む）

【課題】ｎ型半導体とｐ型半導体が混在する半導体ウエハ上へ、ニッケル又はニッケル合金の無電解めっきを行うための前処理液ろ提供する。
【解決手段】該前処理液は過酸化水素水とアンモニア水及び／又は水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）からなる水溶液である無電解めっきの前処理液で、ＦＥＴなどのソース、ドレイン電極など、ｎ型半導体とｐ型半導体が混在するトランジスタ電極を形成する際に、シリコン基板表面の不純物を効果的に除去するか又は低減して活性化させることができ、さらにこのようなシリコン基板がｎ型半導体とｐ型半導体が混在する場合に、この洗浄液による処理を行った後、後続の無電解Ｎｉ又はＮｉ合金めっきに適合でき、均一な無電解めっきを行うことができる。 （もっと読む）