【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて第１の膜をパターニングして絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】安定な金属ナノ粒子組成物を用いて、数μｍの厚みを有し、高いアスペクト比と、低いアニーリング温度を有するような導電性構造を調製するのに適した方法を提供する。
【解決手段】基板の上に導電性部分を作成する方法であって、可とう性のスタンプを金属ナノ粒子組成物で満たすことと、金属ナノ粒子組成物を基板の上に堆積させることと、堆積させている間または堆積させた後に、堆積した金属ナノ粒子組成物を加熱して導電性部分を作成することとを含む、方法。 （もっと読む）

【課題】メッキ膜上に置換メッキ膜を十分な厚みで確実に形成されている電子部品を提供する。
【解決手段】基板２上に、無電解メッキにより形成された第１のメッキ膜と、第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜、すなわち置換メッキ膜とを有する電極３，４が形成されており、第１のメッキ膜において、面積をＳ、第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたき、比Ｓ／Ｌが０．２以下である、電子部品１。 （もっと読む）

【課題】UV露光でも電気的絶縁性が損なわれず、表面濡れ性の変化を利用して印刷法でソース・ドレイン電極のパターニングが可能なゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板7上にゲート電極42およびゲート絶縁層2が順次形成され、該ゲート絶縁層が形成されたゲート電極上に適宜の間隔でソース電極5aおよびドレイン電極5bが対向配置され、該間隔を含む領域に半導体層6が形成された薄膜トランジスタを、活性水素基と反応可能なメラミン誘導体および活性水素基を有する樹脂を含有する溶液を塗布・焼成し、紫外線照射で表面濡れ性が可変のゲート絶縁層を形成し、紫外線照射で該ゲート絶縁層の露光部位を親水性域に変え、親水性域に電極材料含有溶液を印刷法で塗布・乾燥し、ソース電極及びドレイン電極を形成して薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】特にシール部材の交換等のメンテナンス性を改善できるようにした基板ホルダを提供する。
【解決手段】基板Ｗの外周部を挟持して基板Ｗを着脱自在に保持する固定保持部材５４及び可動保持部材５８と、可動保持部材５８に取付けられ、可動保持部材５８と固定保持部材５４で基板Ｗを保持した時に、可動保持部材５８と基板Ｗの外周部との間、及び可動保持部材５８と固定保持部材５４との間をそれぞれシールする内側シール部材６６及び外側シール部材６８を有し、内側シール部材６６及び外側シール部材６８は、シールホルダ６２と該シールホルダ６２に取付けられる固定リング７０との間に挟持されて可動保持部材６８に取付けられている。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＭＰを伴うダマシン法を用いた配線や電極の形成は、製造工程が煩雑であり高コスト化している。表示装置等の大型基板に配線形成を行うには平坦性等の高精度が要求されて好適せず、また研磨による配線材料の除去・廃棄量が多いという課題がある。
【解決手段】配線の形成方法及び配線を有する表示装置の形成方法は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、金属シード層をＣＶＤ法により形成し、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、金属シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、金属シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成とにより配線及び電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】インクからナノ粒子の集合体をより確実に取り除き、これによって機能性に優れたパターンを形成可能とする。
【解決手段】ナノ粒子を含むインクの調製方法であって、インクを遠心分離し、ナノ粒子の集合体を取り除くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空装置を使用せずに、トランジスタ等の半導体装置に適用できるＭＯＳ構造の積層膜を形成する。
【解決手段】成膜方法は、半導体膜３を有する基板に、ポリシラン溶液を塗布し、半導体膜３上にポリシラン膜５を形成する工程（ＳＴＥＰ１）と、ポリシラン膜５上に、金属塩溶液を塗布し、金属イオン含有膜７を形成することにより、ポリシラン膜５をポリシロキサン膜５Ａへ、金属イオン含有膜７を金属微粒子含有膜７Ａへ、それぞれ改質する工程（ＳＴＥＰ２）を備え、ＭＯＳ構造の積層膜１００を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細パターン形成が可能であり、かつ、貴金属材料の使用量が少なくでき、低コスト化が可能な電極を形成できる感光性ペースト組成物を提供する。
【解決手段】樹脂粒子表面を金属で被覆した金属被覆樹脂粒子、反応性モノマー、カルボキシル基を含有するポリマーおよび光重合開始剤を含有する感光性ペースト組成物とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を破壊することを防止しつつ半導体素子の金属膜に対し安価に成膜できるとともに容易に厚膜化できる成膜付半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン層１１に重ねてアルミ膜１２を有する半導体素子１０に対しコールドスプレー装置３０によって成膜する成膜付半導体素子の製造方法は、第１工程と、第２工程とを有する。第１工程では、コールドスプレー装置３０が、アルミ膜１２の厚さＶ１より小さい粒径Ｒ１の第１銅粉末４１を噴射することにより、アルミ膜１２の表面に下地層２１を形成する。第２工程では、コールドスプレー装置３０が、第１銅粉末の粒径Ｒ１より大きく且つ下地層２１の表面からアルミ膜１２とシリコン層１１との境界面までの寸法Ｖ２より小さい粒径Ｒ２の第２銅粉末４２を噴射することにより下地層２１に重ねて厚膜層２２を形成する。 （もっと読む）