【課題】パターン転写方法及びパターン転写装置、これを適用したフレキシブルディスプレイパネル、フレキシブル太陽電池、電子本、薄膜トランジスター、電磁波遮蔽シート、フレキシブル印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明によるパターン転写方法は、基板上にパターン物質を形成する第１段階と、パターン物質を固相状態に硬化させる第２段階と、硬化された固相状態のパターン物質にレーザー光を照射して、パターン物質をパターニングする第３段階と、パターニングされた固相状態のパターン物質と柔軟基板をお互いに突き合わせて加圧して、パターン物質から柔軟基板方向に、または柔軟基板からパターン物質方向にレーザー光を照射して、パターン物質と柔軟基板を突き合わせた部位で発生する柔軟基板の粘性力によって、パターン物質を柔軟基板に転写する第４段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光起電力素子の製造において金属インクを用いて金属コンタクトを形成する方法を提供する。
【解決手段】金属インクは選択的にインクジェットおよびエアロゾル装置によって半導体コーティング上に選択的に堆積される。この複合体は金属インクがコーティングをバーンスルーして半導体との電気コンタクトを形成するのに選択的な温度に加熱される。次いで、光誘起もしくは光アシストめっきによって金属層が電気コンタクト上に堆積される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積及び平坦化に関し、特に、局所堆積を利用して薄膜をより効果的に堆積させ、更に局所平坦化を可能にする装置及び方法を提供する。
【解決手段】メッキヘッド１１０は、陽極として正に荷電され、メッキメニスカス１１１を介してウェーハＷに電気的に接続される。メッキヘッド１１０は、メッキ化学物質１１８を収容するリザーバの両側に陽極１１２を有する。多孔性アプリケータ１１４は、実質的に垂直な入射角度で、陽極１１２からウェーハＷ表面への電流Ｉの流れを提供する。局所金属メッキは、一定の時点でメッキヘッド１１０の下でのみ発生する。ウェーハＷの表面上での更なる金属メッキを達成するために、メッキヘッド１１０は、ウェーハＷの別の表面領域を移動する。 （もっと読む）

【課題】焼成無しで、酸素雰囲気に安定であり、かつ低抵抗な配線材料を提供する。また、従来の配線材料よりも低い温度で還元焼成できる配線材料を提供する。
【解決手段】銅と窒素を含む配線材料であって、当該配線材料には、添加材料として、エリンガム図において銅よりも酸化しやすい材料が０．５atm％以上１０atm％以下添加されている。添加材料として、例えば、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ａｌのうち少なくとも１種類の金属を含む。この配線材料を加熱還元して低抵抗化する場合、１０００Ｐａ以下に減圧した雰囲気で加熱を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】パターン形成のタクトタイムの短縮を実現し、ＰＤＰ製造のトータル的低コスト化が可能な白黒二層構造のバス電極パターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る白黒二層構造のバス電極パターン形成方法は、基材上に、耐熱顔料を含む塗膜を形成する工程と、上記塗膜の上に、導電性粉末を含む塗膜を形成し、二層塗膜を得る工程と、上記二層塗膜に対し、レーザー照射によりパターンを描画するレーザー照射工程と、上記パターン以外の部分を除去する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】析出膜厚が均一で、めっき反応の促進効果を持ち皮膜の未析出問題がなく、自己分解による浴内析出のない浴の安定性に優れ、被めっき物となる導体の組成等に影響されない無電解Ｐｄめっき液と無電解Ａｕめっき方法を提供する。
【解決手段】表面がＣｕ、Ｎｉ−Ｐからなる導体上にＰｄあるいはＡｕの皮膜を形成する無電解めっき方法において、前記導体表面に触媒層として置換還元めっき方法によりＰｔとＲｕを０．０５ｍｇ／ｄｍ^２以下の付与量で形成する工程と、前記ＰｔとＲｕからなる触媒層を付与した導体上にＰｄあるいはＡｕの無電解めっき皮膜形成処理を行う工程とからなり、前記無電解めっき液の、ｐＨが５以下で、炭素の数が３以下のアルコールを含有していることを特徴とする無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いて、高精細な配線を、簡単に、かつ生産性良く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エアロゾルジェット手段により、カーボンナノチューブ含有分散液を、基板３上にエアロゾル状態にて吹き付け、電極１に接続するカーボンナノチューブからなる配線２を形成する。配線はカーボンナノチューブがネットワーク状に絡み合った構造になっているので導電性が高い。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき方法において、パラジウム等の貴金属を使用することなく、またクロム酸等の有害な薬剤を使用せずにめっきと被めっき物間の良好な密着性を確保でき、かつ、めっき液を繰り返し使用することができる無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】被めっき物の表面上に、めっき金属の金属イオンを還元する能力を有する有機残基を側鎖に含有するポリマーを塗設する工程（１）と、前記ポリマーが塗設された被めっき物の表面上に、前記金属イオンを含みこの金属イオンを還元しうる還元剤を含まない溶液中において、前記金属イオンの部分還元金属酸化物を析出させる工程（２）と、前記金属イオンを還元しうる還元剤を含む溶液中において、前記部分還元金属酸化物を自己触媒性を有するめっき金属に還元する工程（３）と、被めっき物の表面上に、無電解めっき液中においてめっき金属の被膜を形成する工程（４）と、を含む無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 ウェット法により電極を形成した場合においても、マイグレーションによる不具合が起きず、配線抵抗も十分小さく、かつトランジスタ特性の優れた薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】 基板１０上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極及びドレイン電極、有機半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が３層の積層体からなり、かつ３層の積層体の膜厚が第1層目、第２層目、第３層目の順に薄くする薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】低温加熱（例えば３００℃以下）によって良好な導電膜を形成可能な導電膜形成用材料、ならびに、これを用いた導電膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】ギ酸銀および炭素数１〜１０の脂肪酸銀から選ばれる少なくとも１種の銀塩と、アミン化合物と、該銀塩および該アミン化合物が可溶な有機溶媒と、を含有する導電膜形成用材料を、基材上に塗布して塗膜を形成し、該塗膜を３００℃以下の温度で処理する。 （もっと読む）