説明

国際特許分類[H01L21/288]の内容

国際特許分類[H01L21/288]に分類される特許

11 - 20 / 1,357


【課題】信頼性を向上させることができる光半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】n−InP基板1上に、分離溝13で互いに分離された光半導体素子14,15を形成する。光半導体素子14,15の上面に、Ptを含む電極21,22をそれぞれ形成する。電極21,22に電気的に接続された電極24を形成する。電極24を給電層とした電解メッキ法により電極21,22上にAuメッキ層26,27をそれぞれ形成する。Auメッキ層26,27を覆うレジスト23をフォトリソグラフィにより形成する。レジスト23をマスクとして電極24をエッチングして電極21と電極22を電気的に分離する。電極24を形成する際に、分離溝13内に電極24が形成されないようにする。 (もっと読む)


【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、比較的簡単な構成で、基板の表面の全域に亘ってめっき液がより均一に流れるようにして、膜厚や膜形状の面内均一性を高めためっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽80と、複数枚の基板Wを鉛直方向に並列に保持してめっき槽80内のめっき液に浸漬させる基板ホルダ84と、基板ホルダ84で保持してめっき液に浸漬させた各基板Wの周囲をそれぞれ囲繞して、各基板Wの外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板150,152を有する。 (もっと読む)


【課題】メッキ液から水分蒸発によるメッキ液の濃度および各種成分の状態変化を抑制してメッキレートおよびメッキ膜厚の安定化を図る。
【解決手段】メッキ処理槽2内の処理液の液面上方にある気体中のメッキ処理液の蒸気圧を制御する蒸気圧制御手段としての超音波式加湿機9と、メッキ処理液の液面位置が所定位置になるように蒸気圧制御手段としての超音波式加湿機9を制御して処理液量を調節する電装制御ユニット11とを有する。 (もっと読む)


【課題】透明電極層との密着性に優れ且つ接触抵抗が小さい電極構造、及びその電極構造を備えた太陽電池等を提供する。
【解決手段】透明電極層5上にパターン状に設けられて導電性粒子及び高分子化合物を有する第1導電層6aと、第1導電層6a上に設けられてバインダーとしての高分子化合物を有さずに導電性粒子を有する第2導電層6bとを備える電極構造6によって、上記課題を解決した。第2導電層6bは、粒径分布の異なる少なくとも2種類の導電性粒子群を含み、かつ該導電性粒子群の含有率が99.0質量%超であることが好ましい。高分子化合物を120℃以上180℃未満で硬化する硬化剤とすることにより、カルコパイライト化合物半導体層を有する太陽電池の集電電極として好ましく用いることができる。 (もっと読む)


【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより金属酸化物又は金属となる液体材料を準備する第1工程と、基材上に液体材料を塗布することにより金属酸化物又は金属の前駆体組成物からなる前駆体組成物層を形成する第2工程と、前駆体組成物層に対して凹凸型を用いて型押し加工を施すことにより前駆体組成物層に残膜を含む型押し構造を形成する第3工程と、型押し構造が形成された前駆体組成物層に対して大気圧プラズマ又は減圧プラズマによるアッシング処理を施すことにより残膜を処理する第4工程と、前駆体組成物層を熱処理することにより、前駆体組成物層から金属酸化物又は金属からなる型押し構造体を形成する第5工程とをこの順序で含む型押し構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】表面電極にめっき層を形成する際に、裏面電極に不必要なめっき層が形成されることによる裏面電極の電気抵抗の影響を抑制しつつ、表面電極にめっき層を欠陥無く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面1aに半導体素子の表面電極2が形成され、裏面1bに半導体素子の裏面電極が形成された半導体ウェハ1を用意する工程と、半導体ウェハ1の表面電極2にめっき層3を形成するめっき工程とを有する半導体装置の製造方法において、めっき工程では、表面電極2と半導体ウェハ1の側面1cとを露出した状態とし、かつ、半導体ウェハの裏面1bの全域を被覆した状態として、半導体ウェハ1をめっき液に浸してめっき層を形成する。 (もっと読む)


【課題】ウエハに設けられた微細孔内に流動性充填材を、より確実に充填し得、しかも、ウエハ上から充填材残渣を取り払い得る充填方法、そのための充填装置及びウエハを提供すること。
【解決手段】ウエハ7に存在する微細孔73内に流し込まれた流動性充填材9を、加圧手段1,3により加圧する工程において、ウエハ7の受圧面71に対する流動性充填材9の表面張力と、加圧手段1,3の加圧面311に対する流動性充填材9の表面張力とを互いに異ならせる。 (もっと読む)


【課題】有機電子デバイスにおいて、仕事関数を制御することにより、電極から有機半導体への電荷注入障壁をより小さくすることが可能となる銀ナノ粒子を適用した電極及びそれを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】平均粒径が30nm以下であり、沸点が100〜250℃の範囲内にある中短鎖アルキルアミンと沸点が100〜250℃の範囲内にある中短鎖アルキルジアミンを主成分とする保護分子により覆われた銀ナノ粒子を有機電子デバイス用電極として用いる。 (もっと読む)


【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。TFTの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 (もっと読む)


【課題】 溝パターン内への絶縁層や配線層等の埋め込みを簡易に行うことができ、工程短縮やコスト低減をはかる。
【解決手段】 基板10の表面に形成された溝内に溶媒を埋め込むための基板処理方法であって、基板10の表面上に溶媒42を供給しながら、基板10の表面に弾性材料で形成された溶媒保持材22を接触させた状態で、基板10の表面と溶媒保持材22とが摺動するように、基板10及び前記溶媒保持材22をそれぞれ回転させる。 (もっと読む)


11 - 20 / 1,357