【課題】微細な形状で基材上に形成され、当該基材からの剥離が抑制された安定な構造の導電パターンを有する電気部品と、当該導電パターンを形成する導電パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】表面が撥液性を有する基材表面に導電パターンを印刷する第１の工程と、前記導電パターンが形成されていない前記基材表面を親液性処理する第２の工程と、前記導電パターンを覆う絶縁層を形成する第３の工程と、を有することを特徴とする導電パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】めっき槽内のめっき液を完全にドレーン排出できるようにするとともに、ウエハの全面を有効利用する。又、常に新鮮なめっき液をウエハ表面に供給できるようにする。
【解決手段】めっき液Ｍを収納するめっき槽１１と、該めっき槽の底部１１ｂの貫通穴に装着された、環状の陰極補助電極ホルダ１２と、該陰極補助電極ホルダに着脱自在に挿着され、その上面に被めっき物の載置部１３ｃを有する被めっき物ホルダ１３と、該被めっき物ホルダの上面側に設けられ、前記載置部上の被めっき物Ｗの下面に当接する陰極１５と、該被めっき物ホルダの位置決め手段１２ｄ、１３ｄと、ウエハ上を往復動するパドル２３と、陰極と間隔をおいて対向する陽極とを備えている。ウエハの上面と陰極補助電極、陰極補助電極ホルダ、底部の各上面１７c、１２c、１１cは同一平面を形成し、めっき終了後めっき槽底部からめっき液を排出すると、めっき液は完全にドレーン排出される。 （もっと読む）

【課題】 膜パターン上をより緻密なバリアメタル層で覆うことにより、金属元素が拡散することを防止した、導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に、第１の材料Ｍ１と第２の材料Ｍ２とを積層しバンク膜Ｍを形成し、バンク膜Ｍをパターニングして、第１のバンクＢ１と第２のバンクＢ２とが積層されてなるバンクＢを形成する。そして、バンクＢによって区画されたパターン形成領域ＡＲに、機能液Ｌを配置して、第１のバンクＢ１の高さ以下の膜厚を有した膜パターンＦ１を形成する。その後、膜パターンＦ１、及びバンクＢの上面を含む基板Ｐの全面に、バリアメタル層Ｆ２を成膜する。バリアメタル層Ｆ２の成膜後、リフトオフ法により、第２のバンクＢ２とともに第２のバンクＢ２上のバリアメタル層Ｆ２を除去し、導電膜パターンＦを形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂフリーのシステムを提供し、かつ電気性能およびはんだ接着性を維持する半導体デバイスを製造する、新規な組成物および方法を提供する。
【解決手段】導電性銀粉末と、亜鉛含有添加剤と、鉛フリーであるガラスフリットとが、有機媒体中に分散されている、厚膜導電性組成物。さらに、上記組成物から形成された電極であって、有機分散媒を除去しかつ前記ガラス粒子を焼結して前記組成物が焼成された電極を、対象とする。さらに、ｐ−ｎ接合を有する半導体と、この半導体の主要面上に形成された絶縁膜とからなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法を対象とし、この方法は、絶縁膜上に、厚膜組成物を付着させるステップと、前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含む。上記詳述された方法によって形成された半導体デバイスと、厚膜導電性組成物から形成された半導体デバイスとを対象とする。 （もっと読む）

【課題】 塗布膜に大気中にてプラズマを照射することにより、加熱処理や減圧雰囲気を必要とすることなく、高品位の透明導電膜を安定的に形成することができ、さらに、塗工法を用いたことにより量産性及びコスト面で優れている透明導電膜の形成方法及び透明導電膜を提供する。
【解決手段】 本発明の透明導電膜の形成方法は、導電性塗料を基材７上に塗布して塗膜８を形成し、この塗膜８上に大気圧下にて反応ガスを導入し該反応ガスをプラズマ化させて弱電離プラズマ状態のプラズマであるプルームＰ’を発生させ、このプルームＰ’を塗膜８に照射して塗膜８を改質することにより、基材７上に透明導電膜９を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ノンシアン系の金めっき液について、バンプ形状の形成能力に優れ、熱処理を行った場合であっても、下地との密着性が良好で、且つ、バンプの接合性を確保するために適度な硬度を有した金めっきを処理することが可能な金めっき液を提供する。
【解決手段】 金濃度５〜２０ｇ／Ｌの亜硫酸金ナトリウム又はそのエチレンジアミン錯体と、１０〜１００ｇ／Ｌの亜硫酸ナトリウムと、タリウム濃度１〜５０ｐｐｍのタリウム化合物とを含有する金めっき液において、亜硫酸カリウムを０．１〜５０ｇ／Ｌ含有するものとした。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を簡略化して生産性を向上したＴＦＴの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に、ゲート電極８０の形成領域に対応する第１バンクの前駆体ＢＰ１をポリシラザン液によって形成する工程と、前駆体ＢＰ１上の所定位置に、ソース電極およびドレイン電極の形成領域に対応する第２バンクの前駆体ＢＰ２を、ポリシラザン液を液滴吐出法で配置することによって形成する工程と、前駆体ＢＰ１と前駆体ＢＰ２とを共に焼成処理し、ポリシロキサンを骨格とする無機質層からなる第１バンクＢ１と第２バンクＢ２とを共に形成する工程と、前駆体ＢＰ１又は第１バンクＢ１によって区画された領域にゲート電極８０を形成する工程と、ゲート電極８０の直上部に絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、第２バンクＢ２によって区画された領域にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、を備えた薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 機能液をパターン形成領域の全域、及びその端部まで十分に流し込むことで、信頼性の高い膜パターンを安定して形成可能とした、膜パターンの形成方法、この形成方法により得られた膜パターン、この膜パターンを備えたデバイス、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 機能液Ｘ１を基板Ｐ上に配置して膜パターンＸ１´を形成する方法である。基板Ｐ上に膜パターンＸ１´の形成領域に対応したバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画されたパターン形成領域３４に機能液Ｘ１を配置する工程と、機能液Ｘ１を硬化処理して膜パターンＸ１´とする工程と、を有する。そして、機能液Ｘ１の配置を、バンクＢによって区画されたパターン形成領域３４の底面３５に対する機能液Ｘ１の接触角と、バンクＢの側面に対する機能液Ｘ１の接触角との和が９０°以下となる条件のもとで行う。 （もっと読む）

【課題】 幅の異なる領域を有するパターン形成領域に機能液を配置するに際し、形成される膜パターン間での膜厚さを無くした、バンク構造体、膜パターン形成方法、デバイス、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 機能液が配置され流動するパターン形成領域Ｐをバンク３４により区画するバンク構造１である。パターン形成領域Ｐは、第一のパターン形成領域５６と、第一のパターン形成領域５６に連続し、かつ第一のパターン形成領域５６より幅が広い第二のパターン形成領域５５とからなり、第二のパターン形成領域５５には、第二のパターン形成領域５５を仕切って機能液の流動方向を規制する仕切りバンク３４ａが少なくとも一つ設けられ、仕切りバンク３４ａによって規制された機能液の流動方向と略直交する方向の仕切り幅Ｈが、第一のパターン形成領域５６の幅Ｈ２の±２０％以内に形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 特に液滴吐出法によって形成する配線等の導電パターンを、その成分元素の拡散を起こさせることなく良好に形成することができるようにした導電パターンの形成方法等を提供する。
【解決手段】 導電性材料を含有してなる機能液を基板Ｐ上に配置して導電パターン８２を形成する方法である。基板Ｐ上に導電パターン８２の形成領域に対応したバンクＢ１を形成する工程と、バンクＢ１によって区画された領域に機能液を液滴吐出法で配置する工程と、配置した機能液上にポリシラザン液を液滴吐出法で配置する工程と、バンクＢ１によって区画された領域に積層した機能液とポリシラザン液とに対して所定の処理を施すことにより、ポリシロキサンを骨格とする無機質層８１で導電性材料からなる導電膜８０を覆った導電パターン８２を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）