【課題】 製造工程を簡略化して生産性を向上したＴＦＴの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に、ゲート電極８０の形成領域に対応する第１バンクの前駆体ＢＰ１をポリシラザン液によって形成する工程と、前駆体ＢＰ１上の所定位置に、ソース電極およびドレイン電極の形成領域に対応する第２バンクの前駆体ＢＰ２を、ポリシラザン液を液滴吐出法で配置することによって形成する工程と、前駆体ＢＰ１と前駆体ＢＰ２とを共に焼成処理し、ポリシロキサンを骨格とする無機質層からなる第１バンクＢ１と第２バンクＢ２とを共に形成する工程と、前駆体ＢＰ１又は第１バンクＢ１によって区画された領域にゲート電極８０を形成する工程と、ゲート電極８０の直上部に絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、第２バンクＢ２によって区画された領域にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、を備えた薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 機能液をパターン形成領域の全域、及びその端部まで十分に流し込むことで、信頼性の高い膜パターンを安定して形成可能とした、膜パターンの形成方法、この形成方法により得られた膜パターン、この膜パターンを備えたデバイス、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 機能液Ｘ１を基板Ｐ上に配置して膜パターンＸ１´を形成する方法である。基板Ｐ上に膜パターンＸ１´の形成領域に対応したバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画されたパターン形成領域３４に機能液Ｘ１を配置する工程と、機能液Ｘ１を硬化処理して膜パターンＸ１´とする工程と、を有する。そして、機能液Ｘ１の配置を、バンクＢによって区画されたパターン形成領域３４の底面３５に対する機能液Ｘ１の接触角と、バンクＢの側面に対する機能液Ｘ１の接触角との和が９０°以下となる条件のもとで行う。 （もっと読む）

【課題】 幅の異なる領域を有するパターン形成領域に機能液を配置するに際し、形成される膜パターン間での膜厚さを無くした、バンク構造体、膜パターン形成方法、デバイス、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 機能液が配置され流動するパターン形成領域Ｐをバンク３４により区画するバンク構造１である。パターン形成領域Ｐは、第一のパターン形成領域５６と、第一のパターン形成領域５６に連続し、かつ第一のパターン形成領域５６より幅が広い第二のパターン形成領域５５とからなり、第二のパターン形成領域５５には、第二のパターン形成領域５５を仕切って機能液の流動方向を規制する仕切りバンク３４ａが少なくとも一つ設けられ、仕切りバンク３４ａによって規制された機能液の流動方向と略直交する方向の仕切り幅Ｈが、第一のパターン形成領域５６の幅Ｈ２の±２０％以内に形成されてなる。 （もっと読む）

基板上に固体層を形成するための化学反応を活性化するために、基板上に活性剤含有層を形成するための液体混合物は、活性剤、界面活性剤、および、溶媒および／または結合剤を含む。液体混合物は、基板の表面上に、好ましくはインクジェット印刷により、塗布される。その層は、化学反応を活性化するのに用いられ、基板上に固体層、たとえば導電金属層を生成する。液体混合物中の界面活性剤は、特定の基板に付着されたときに液体混合物の挙動に有利な影響を有する。 （もっと読む）

受理基板上にレーザアブレーション転写プロセスで電気導体のパターンを形成する方法が、電導材料である金属ナノ粒子を形成するステップを含んで提供される。ドナー基板（４５）を形成する。リリース材料（７５）の層をドナー基板の第一面の側に堆積する。金属ナノ粒子をリリース材料の上に堆積する。金属ナノ粒子層を受理基板と緊密に接触して配置する。ドナー基板と受理基板の間に形成されたサンドイッチにパターンを書き込み、ナノ粒子層（９０）から得られる金属ナノ粒子を受理基板にアニールし、転写して、受理基板の上に電気導体のパターンを形成する。
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この発明は、自立複合エレメント及びそれを製造する方法に関するものである。この複合エレメントは、電気伝導性材料の基材とそれを覆う本質的に基材と垂直な平面に沿って配向した金属ナノワイヤよりなる。基材の厚みは、数？ｍから数百？ｍに及ぶ。このエレメントは、被覆されるべき基材により形成されたカソード、少なくとも一つのアノード及び金属材料の前駆物質の溶液により形成され適宜伝導性のイオン性塩を含む電解液、カソードと各アノードとの間に置かれた平坦な多孔性膜及び各膜とそれに隣接するアノードとの間のスペーサーエレメントを含むセルにおいて製造され、該セルの種々の構成部品は、接触を保っている。
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相互接続構造において導電性バリヤ層又は他のライナ層を堆積させるための製造法、プロダクトストラクチュア、製造法、及びスパッタリングターゲット。バリヤ層（８２）は、アモルファスであってもよいがそうである必要がない、耐火性貴金属合金、例えば、ルテニウム/タンタル合金の導電性金属を含む。バリヤ層は、同様の組成のターゲット（９０）からスパッタすることができる。バリヤとターゲットの組成は、耐火性金属と白金族金属の組合わせ、例えば、ＲｕＴａから選ばれてもよい。銅貴金属シード層（１１２）は、誘電体（６６）の上のバリヤ層（７０）と接触させた銅とルテニウムの合金から形成することができる。 （もっと読む）

本発明は、第１の物質からなる犠牲層が部分又は全面に形成された基板を提供する第１の段階と、直接犠牲層を線加工する第１の手段を用いて、前記犠牲層に、第１の物質が存在しないと共に、線幅が最高第１の解像度を持つパターン溝を形成する第２の段階と、第２の手段を用いて、第２の解像度で第２の物質を前記パターン溝に充填する第３の段階とを含む、基板上に第２の物質によりパターンを形成する方法及び前記方法によりプレパターンが形成された基板を提供する。
本発明によるパターン形成方法は、パターン形成用第２の物質を浪費することなく、或いは最小化して、高解像度のパターンが得られるため、生産費用を節減でき、インクジェット方式のように低解像度を持つ第２の手段と、レーザーなどの集束可能なエネルギービームのように高解像度を持つ第１の手段とを組合わせることで、高解像度のパターンを高い工程効率で生産できる。
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本発明は、半導体工業における型ＮｉＭ−Ｒ（但し、ＭはＭｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｃｒであり、ＲはＢ、Ｐであるものとする）の無電解メッキされた三成分系ニッケル含有金属合金の使用に関する。殊に、本発明は、半導体構造素子中での銅の拡散およびエレクトロマイグレーションを阻止するための、バリヤー材料としてかまたは選択的なケーシング材料としての前記のメッキされた三成分系のニッケル含有金属合金の使用に関する。 （もっと読む）

集積回路メタライゼーションまたはパッケージングビアの比較的大きな開口あるいはフィーチャ（１０２）が、順に２つのめっきあるいは電着処理によって埋め込まれる。第１の電着処理は、大きな、高アスペクト比のフィーチャ（１０２）を第１の層（１０４）でコンフォーマルに覆い、内部キャビティ（１１６）を画定する。第２の層（１１８）を形成する第２の電着処理は、異なる溶液を使用して、第１の電着処理によって残された内部キャビティ（１１６）をボトムアップ式で埋め込む。コンフォーマル性が第１の電着処理においてレベラーの使用によって典型的に引き起こされるのに対して、促進剤及び抑制剤が第２の電着処理においてボトムアップ埋め込みを促進するために使用されうる。但し、いずれの処理も３つの添加剤のうちの何かを使用することができる。 （もっと読む）