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国際特許分類[H01L21/288]の内容

国際特許分類[H01L21/288]に分類される特許

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【課題】 半導体基板に形成された溝内部の良好なメッキ埋め込み性を得ることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 溝パターンと、少なくとも前記溝パターン内部に第1の電極となる電極層が形成された絶縁膜を備えた半導体基板を、第2の電極が設置されるメッキ液中に導入する工程と、前記第1、第2の電極間に、直流電界に周波数100Hz以上の交流電界を重畳して印加し、前記金属層上に金属膜を形成する工程を備える。 (もっと読む)


【課題】手短で、高速であり、経済的に微細回路配線を形成することができる基板の表面処理方法、配線形成方法、配線形成装置及び配線基板が提示される。
【解決手段】本発明による基板の配線形成方法は、アルカリ金属化合物を含む表面処理液を吐出方式にてベースフィルム上の配線パターンに応じて選択的に吐出させる基板の表面処理段階、表面処理された配線に応じて金属ナノ粒子を含む導電性インクを吐出させる導電性インクの吐出段階、及び導電性インクが吐出されたベースフィルムを還元性雰囲気中で焼成させる焼成段階を含むことができる。 (もっと読む)


【課題】 互いに接続されたインク領域においてインク領域間のインクの流れ出しを防止したインク吐出パターンを提供する。
【解決手段】 基板上に形成されるインクを吐出すべき第であって、互いに接続して形成される第1のパターン形成部10であって、それぞれライン状の太線部11と細線部12とを有する第1のパターン形成部10において、太線部11と細線部12との間に、太線部11との接続部における幅が太線部11よりも狭いと共に、細線部12との接続部における幅が細線部12よりも狭い、液滴流動阻止部13を設けている。 (もっと読む)


【課題】高解像度、特にパターン間の短絡の発生を抑制するパターン形成方法、並びに、これを用いた電気配線回路の形成方法および印刷トランジスタの形成方法を提供する。
【解決手段】スクリーンマスクもしくはステンシルマスク10の開口部10aに第一のインキ14を通過させて、前記第一のインキ14からなるパターンを形成する孔版印刷法において、前記スクリーンマスクもしくはステンシルマスク10の非開口部10bに第二のインキ12を塗布した後、前記スクリーンマスクもしくはステンシルマスク10の開口部10aに第一のインキ14を通過させて、前記第一のインキ14および前記第二のインキ12を基材上に塗布し、前記第一のインキ14および前記第二のインキ12からなるパターンを形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的の1つは、パターン精度の向上が図れるめっき方法を提供することにある。
【解決手段】 めっき方法は、(a)遮光層12が形成された第1の基板10の上方に界面活性剤層14を形成すること、(b)第1の基板10の遮光層12以外の領域を透過する光24を、第1の基板10に対して界面活性剤層14が形成された側とは反対側から照射し、界面活性剤層14をパターニングすること、(c)界面活性剤層30を第1の基板10から第2の基板20に転写すること、(d)界面活性剤層30の上方に触媒層32を形成し、触媒層32の上方に金属層34を析出させること、を含む。 (もっと読む)


【課題】良好な電極能を有しつつ低コストで、且つ圧電体に対する充分な吸着性を有する圧電素子、及びそれを備える液滴吐出ヘッドを提供することを目的とする。
【解決手段】共通電極46(下部電極)、圧電体48、及び信号電極50(上部電極)がこの順で積層して構成された圧電素子34において、共通電極46及び/又は信号電極50の構成層の少なくとも1層として、Ta,V,Nb,Mo,W,Ti,Zr,及びHfの金属、前記金属の元素を1種以上含む合金、前記金属の元素を1種以上含む窒化物、前記金属の元素を1種以上含む珪化物、並びに、前記金属の元素を1種以上含む硼化物から選択される少なくとも1種で構成される電気伝導層の少なくとも1層を適用する。これにより、良好な電極能を有しつつ低コストで、且つ剥がれ難い電極を持つ圧電素子34となる。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的の1つは、金属層の所望の厚みを容易に得ることができる、めっき方法及び電子デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 めっき方法は、基板10の同一面の少なくとも第1及び第2のパターン領域12,14の上方に金属層を形成することを含み、(a)第1のパターン領域12の上方に第1の界面活性剤層20を形成し、第1の界面活性剤層20の上方に第1の触媒層40を形成し、第1の触媒層40の上方に第1の金属層50を析出させ、(b)第2のパターン領域14の上方に第2の界面活性剤層60を形成し、第2の界面活性剤層60の上方に第2の触媒層70を形成し、第2の触媒層70及び第1の金属層50の上方に第2の金属層80,82を析出させる。 (もっと読む)


【課題】 単位面積当たりの電磁波の照射エネルギー量の大幅な低減と照射時間の短縮とを図り、光源の設備の小型化を図った機能性膜パターン形成装置、機能性膜パターン形成方法、電磁波照射装置、および電子機器を提供する。
【解決手段】 機能性膜パターン形成装置20は、液滴吐出ヘッド23とレーザ光照射ヘッド24を備える。液滴吐出ヘッド23は、膜パターン40が基板21上に形成されるように機能性材料を含む液滴30を基板21上に吐出する。レーザ光照射ヘッド24は、レーザ光50を照射スポット面積を広くして膜パターン40に照射し、光熱変換で熱が発生する領域を大きくする。レーザ本体51から出射されるレーザ光50は照射スポット面積を広くした照射スポットで膜パターン40に照射される。光熱変換で発生する熱が膜パターン40を介して逃げる領域が狭くなり、膜パターン40で発生した熱を効率良く保持できる。 (もっと読む)


【課題】目的とする方向に沿って正確に形成された細幅の導電膜を備える半導体装置を製造し得る半導体装置の製造方法、これにより製造された半導体装置、かかる半導体装置を備える表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板2上に半導体層5と、ソース電極3と、ドレイン電極4と、を形成する工程と、半導体層5上にゲート絶縁層6を形成する工程と、ゲート絶縁層6上に一定方向へ延びる溝61を複数形成する工程と、複数の溝61上に液状材料を吐出しゲート電極7を形成する工程とを有し、ゲート電極7は、複数の溝61に重なるように、この溝61と同一方向へ延在する。 (もっと読む)


【課題】 電磁波の照射エネルギー量の低減を図り、基板に与える熱のダメージを抑制することができ、必要な光源の設備の小型化を図った機能性膜パターン成膜方法、機能性膜パターン、および電子機器を提供する。
【解決手段】 薄い膜パターン40を一層だけ基板21上に形成し、この膜パターン40にレーザ光50を照射し凹凸41a,41bのある熱伝導防止膜41を形成する。この後、熱伝導防止膜41上にメインの膜パターン43を形成し、この膜パターンにレーザ光を照射して配線パターン19を形成する。熱伝導防止膜41の表面には凹凸41a,41bがあり(図1(A)の拡大部62参照)、熱伝導防止膜41と基板21の接触面積が減少するので、膜パターン43にレーザ光50を照射して配線パターン19を形成する際に、膜パターン43と基板21との間の見かけ上の熱伝導率を下げることができる。 (もっと読む)


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