【課題】高分解能のパターニング工程を用いることなく、微細構造体を形成することが可能なパターニング方法を提供する。
【解決手段】材料１２の層を基板１０上にプリパターニングする工程と、膜形成物質溶液１６をプリパターニングされた基板上にスピンコートする工程と、膜形成物質の膜１６を乾燥させる工程と、プリパターニングされた材料の側面にのみ乾燥された膜が残るように、当該膜をエッチングする工程と、プリパターニングされた物質の輪郭に対応した形状を有する隆起部２０が基板上に残るように、プリパターニングされた材料を取り除く工程と、を有することを特徴とする。 パターニングされた基板上に、金属層を蒸着して隆起部を取り除く。そして、半導体、絶縁体及び導電体、ソース及びドレイン電極の組にそれぞれ設けられ後の工程で形成されるゲート電極の領域に選択的に蒸着することによって、薄膜トランジスタのアレイを形成する。 （もっと読む）

【課題】隔壁により区画領域を設けて液滴塗出法により液滴を配置する際に、区画領域端部で液滴が十分に塗れ広がらず空隙が残ったり、局所的に膜厚が薄くなったりしてしまう、という課題を解決することを目的とする。
【解決手段】本発明の膜パターンの形成方法は、機能液の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、前記基板上に前記膜パターンに応じた隔壁を形成する工程と、前記隔壁によって区画された領域に前記機能液の液滴を配置する工程とを有し、前記区画領域の端部は曲率を持たせて形成し、液滴が塗れ広がる距離を短くして機能液の充填性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】微細なViaホールに欠陥無く金属を充填することができる電解めっき方法およびその装置を提供する。
【解決手段】微細配線およびViaホールを有する半導体あるいは化合物基板への電解めっきにおいて、めっき開始するまでの間に導電膜の化学的溶解を防止するため、導電膜の電位が自然電位より卑になるように基板とアノード電極間に微弱電流を流す。またViaホールを有する基板のパルス電解めっき方法において、めっき電流の休止時間に、導電膜およびめっき膜の電位が自然電位より卑になるように、微弱直流電流を通電しながらパルス電解電流を重畳する。パルス電解条件は、Viaホールの開口径と深さの比及び基板上に形成された導電膜の厚さあるいは電気抵抗により通電電流密度及び通電/休止時間比を設定する。 （もっと読む）

【課題】温・湿度依存性の低い導電膜の形成方法を提供すること。また、温・湿度依存性が低く、耐イオンマイグレーション性に優れた金属配線を製造する際に好適な導電膜の形成方法を提供すること。更に、温・湿度依存性が低く、耐イオンマイグレーション性に優れた導電パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、該基板表面に直接結合し、且つ、親水性基を有するグラフトポリマーを生成させる工程と、該グラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与する工程と、無電解メッキを行う工程と、前記親水性基を疎水性に変換する工程と、をこの順に有することを特徴とする導電膜の形成方法、及び該方法で得られた導電膜をエッチングする工程を含む導電パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】補完的撥水領域を基体の表面に予め形成することなく、滲みが抑制されたパターンを基体の表面に形成できる吐出用溶液、および、上記パターンを形成する方法などを提供する。
【解決手段】例えば、インクジェット法を用いて、滲みが抑制されたパターンを基体の表面に形成する吐出用溶液などを提供する。基体の表面にパターンを形成するための吐出用溶液であって、前記液体は、第１のパターン形成材料としてフルオロアルキル鎖を有する有機分子を含み、前記液体の表面張力が２０dyne/cm以上であることを特徴とする吐出用溶液とする。
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液、近臨界および／または超臨界流体から材料を選択的かつ制御可能に基材または表面に付着させて、表面または基材に付着される材料の位置および／または厚さを制御する方法が開示される。一つの例示的なプロセスでは、金属を選択的に付着させて基材の形体パターン(たとえば通路)を充填する。プロセスはさらに、たとえばシリコンウェーハ表面へのバリヤ膜の付着のために複合または構造化シリコンウェーハの表面下への材料の付着を制御するために使用することもできる。材料としては、過装入材料、金属、非金属、成層材料、有機材料、ポリマーおよび半導体材料があるが、これらに限定されない。本発明は、半導体チップ製造のような工業プロセスで用途を見いだす。特に、選択的付着は、液、近臨界または超臨界流体から付着される金属によるパターン形体の選択的充填および／またはコーティングにより、半導体チップ製造におけるケイ素面のケミカルメカニカル平坦化のようなプロセスの代替を提供する、またはその必要性を減らすものと想定される。

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【課題】金属粒子を用いた直接回路描画法において、耐熱性の低い基板材料上においても低抵抗の実装部品を短時間に作成することが可能な、新しい技術手法及びこの方法を用いて製造した製品さらに、これに用いる金属粒子を相互融着するための金属粒子焼成用材料を提供する。
【解決手段】高周波電磁波吸収性の優れた金属粒子２もしくは高周波電磁波吸収性の優れた焼結助剤を混合した金属粒子２を、各種基板１上に表面塗布又は回路パターンニングを行なった後に高周波電磁波照射を行うことで、金属粒子部分を選択的に加熱する金属粒子の相互融着方法と、この方法を用いて形成した導電材、導電路、アンテナ、バンプ、パッド、ビア等の電子実装部品や立体配線基板及び熱伝導路、触媒電極、立体配線である。 （もっと読む）

【課題】 レーザパターニングされた金属ゲートを有するＭＯＳトランジスタ、及びその製造方法。
【解決手段】 本方法は概して、誘電体薄膜上に金属含有材料の層を形成することであって、その誘電体薄膜は無機半導体を含む電気的機能性基板上にある、形成すること；金属含有材料層から金属ゲートをレーザパターニングすること；及び、金属ゲートに隣接する場所にある無機半導体内にソース端子及びドレイン端子を形成することを含む。そのトランジスタは概して、電気的機能性基板と；電気的機能性基板の少なくとも一部の上にある誘電体薄膜と；誘電体薄膜上にあるレーザパターニングされた金属ゲートと；金属ゲートに隣接する、ドープされた無機半導体層を含むソース端子及びドレイン端子とを備える。本発明は、１つ又は複数の従来のフォトリソグラフィ工程をなくすことにより、信頼性がある電気的特性を有するＭＯＳ薄膜トランジスタを迅速に、効率的に、及び／又は低コストで提供する点で好都合である。 （もっと読む）

【課題】均一な粒子径および高い銀濃度を有し、分散安定性に優れ導電回路形成に利用可能であり、かつ良好な塗膜物性が得られる金属微粒子分散体の製造方法の提供、流動性および安定性に優れ、低温かつ短時間の乾燥（硬化）条件で、優れた導電性と塗膜性能を持った導電回路を形成できる導電性インキの提供、および薄膜で高い導電性を発現する導体回路を具備する非接触型メディアの提供。
【解決手段】還元剤を含む非水性溶媒中に、金属化合物を添加して金属化合物を還元する金属微粒子分散体の製造方法、該方法で製造される金属微粒子分散体および金属粉を含む導電性インキ、および該導電性インキを用いて形成された導電回路と、該導体回路に導通された状態で実装されたＩＣチップとを具備する非接触型メディア。 （もっと読む）

【課題】凹部を有する被めっき物に対して、煩雑なめっき液の調整を行うことなく、凹部に対する良好な埋込性を発揮できる新規な電気めっき液を提供する。
【解決手段】銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を必須成分として含有する酸性電気銅めっき液であって、塩化物イオン濃度が、２〜１５ｍｇ／Ｌの範囲内であることを特徴とする、凹部に対する埋込性に優れた酸性電気銅めっき液。 （もっと読む）