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国際特許分類[H01L21/288]の内容

国際特許分類[H01L21/288]に分類される特許

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【課題】 下地に最適化された処理液で触媒付与処理等の活性化処理を行うことで、特に、配線等の表面に、該配線の電気特性を劣化させることなく、高品質の金属膜(保護膜)を効率よく形成できるようにする。
【解決手段】 液温を15℃以下に調整した処理液に、好ましくは15℃以下の所定の温度に冷却した基板の表面を接触させて該表面を活性化させ、この活性化させた基板の表面をめっき液に接触させて該表面に金属膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパターン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留まり高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 微細化や細線化が図られた膜パターンを、精度よく安定して形成することができる薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基板P上にバンクBを形成する工程と、バンクBによって区画された領域に機能液Lを配置する工程と、基板P上に配置された機能液Lを乾燥させて膜パターンFを形成する工程とを有する。バンクBは、基板P上にバンクの形成材料からなる薄膜B0を形成し、その表面に撥液処理を施した後、パターニングすることにより形成する。これにより、バンクBの上面のみが撥液化され、バンクBの側面は撥液化されない状態(機能液Lに対して濡れ性の良い状態)となるため、機能液Lを配置したときに、スムーズにバンク間に濡れ拡がらせることができる。 (もっと読む)


【課題】 細い線状の微細パターンを、精度よく安定して形成する。
【解決手段】 機能液Lを基板P上に配置して線状の膜パターンFを形成する方法であって、基板P上にバンクBを形成する工程と、前記バンクBによって区画された領域に液滴吐出法を用いて機能液Lを配置する工程とを有し、前記バンクBは、線状の膜パターンFに対応して設けられた第1凹部31と、第1凹部31の長手方向の一端部33に接続され、第1凹部31よりも幅が広い形状に設けられた第2凹部32と、第1凹部31の長手方向の他端部34に形成された開口部35とを備え、機能液Lの液滴を第2凹部32内に配置し、機能液Lの自己流動によって機能液Lを第1凹部31に配置し、開口部35又はその手前で機能液Lの自己流動を停止させる。 (もっと読む)


【目的】 本発明は駆動力を与えることでドリフトさせた原子または分子を集約、成長させることによりナノワイヤを形成し金属ナノワイヤを作製する方法および金属ナノワイヤを提供する。
【解決手段】 駆動力を与えることによりドリフトさせた金属原子を物理的な拘束を用いることで集約、成長させる金属ナノワイヤの作製法で、金属薄膜配線が陰極部上面と同一平面レベルに成すように形成され、かつ陰極部と一体化している金属薄膜配線に電子流が陽極側へ平行移動することで、少なくともドリフトが生じるスリット部分に電子流を集約させ、金属薄膜配線の上層にSiOなどの保護膜にある孔より金属薄膜配線と同じ成分を有する金属ナノワイヤを形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】安定性及び溶解性が最も優れ薄膜形成が容易であり、低温においても容易に焼成されて基板の種類に関わらず高い伝道度を有しながら均一且つ緻密な薄膜またはパターン形成が可能であり、これを用いた多様な応用製品ができる導電性インク組成物及びこの製造方法を提供する。
【解決手段】金属もしくは金属化合物とアンモニウムカルバメートまたはアンモニウムカーボネート系化合物を反応させて得られる金属錯体化合物と添加剤を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、均一な膜厚の無機酸化物膜を容易かつ安価に形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された無機酸化物膜を備える電子デバイス用基板、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基板(基材)2上に、無機酸化物を主材料として構成される無機酸化物膜6を形成する成膜方法であり、無機酸化物膜6を形成する膜形成領域31に無機粒子4を付着させる第1の工程と、基板2を加熱しつつ、この基材2に無機酸化物の前駆体を含有する液状材料をミスト5として供給し、この前駆体を熱により反応させて無機酸化物に変化させ、無機粒子4を核としてこの無機酸化物を膜形成領域31上に集積して、無機酸化物膜6を成長させる第2の工程とを有するものである。 (もっと読む)


【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】節を有する形状の導電層を、均一な間隔をもって隣接して形成する。隣接する導電層において、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、導電層同士の線幅の最大個所(節の最大値)同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接して設けることができる。 (もっと読む)


【課題】 所望の高さの隔壁を容易に形成することができる隔壁形成技術等を提供する。
【解決手段】 第1層間絶縁膜140の上に形成されるパターニング用のレジスト膜150を厚く形成することにより、パターニング用のマスクとして利用するだけでなく、隔壁としても利用する。まず、有機材料からなるレジスト材をインクジェット装置などを用いて第1層間絶縁膜140の上に全面塗布する。次に、レジスト膜150(レジストマスク)を利用して第1層間絶縁膜140をエッチングする。この第1層間絶縁膜140をパターニング用のマスクとして利用するだけでなく、インクジェット法を用いてゲート電極160を形成するための隔壁として利用する。 (もっと読む)


【課題】開口幅が小さく、アスペクト比の大きいトレンチを有する絶縁性の基体に対して、メッキ法によるトレンチ埋め込みのための導電性下地膜を形成するための方法、乃至多層化構造のスルーホールの内面に厚さの均一な導電性膜を形成する方法として有用なアルミニウム膜の形成方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム膜を形成する方法は、(1)トレンチ又は孔を有する基体を準備する工程、(2)該基体上に、チタン、パラジウム及びアルミニウムよりなる群から選ばれる少なくとも一種の原子を含有する化合物及び溶媒を含有する組成物を、第一の圧力下で塗布する工程、(3)塗布後の基体を、上記塗布工程における第一の圧力よりも小さい第二の圧力下におく工程、(4)該基体を加熱処理する工程、(5)該基体上に、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体及び溶媒を含有する組成物を塗布する工程、及び(6)該基体を加熱処理する工程、からなる。 (もっと読む)


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