【課題】表面粗度が小さく、平滑性や緻密性に優れ、しかも、基材への密着性やエッチング性に優れた金属被膜と、前記金属被膜を形成するための形成方法と、前記金属被膜をパターン形成した金属配線とを提供する。
【解決手段】金属被膜は、金属微粒子と、水と、分子量２０００〜３００００の分散剤とを含む金属微粒子分散液を、基材の表面に塗布し、焼成して形成され、
(1) Ａｇと、
(2) Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、およびＩｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
を含む合金からなり、合金の総量中の、Ａｇの含有割合が８０〜９９．９原子％、平均結晶粒径が０．２〜５μｍである。形成方法は、金属微粒子分散液を、基材の表面に塗布し、乾燥後、７００℃以下の温度で焼成する。金属配線は、金属被膜をパターン形成した。 （もっと読む）

【課題】 所望の領域にメッキ層を高精度に形成することができると共に、コストを低減して環境破壊を低減することができる無電解メッキ方法及びシリコンデバイスを提供する。
【解決手段】 被メッキ部材をメッキ液１１が充填されたメッキ槽１２に浸漬し、メッキ槽１２内でメッキ液１１の流れを作りながら、被メッキ部材のメッキ層を形成するメッキ領域のメッキ液１１の流れを実質的に停止させて、メッキ領域３のみにメッキ層を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】スクリーン印刷を用いて微細な形状のアンテナを有する半導体装置について、歩留まりを低下させない半導体装置の作製方法および当該半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、素子群上に第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出してダミーパターンとなる導電膜を形成した後に、続けて第２の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出してトランジスタと電気的に接続するようにアンテナとして機能する導電膜を形成する。そのため、当該半導体装置は、基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、素子群上に設けられ且つトランジスタと電気的に接続したアンテナとして機能する第１の導電膜と、第１の導電膜に隣接して設けられ且つトランジスタと電気的に接続しないダミーパターンとなる第２の導電膜とを有している。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰプロセスのやりやすいめっき膜を形成して、次工程のＣＭＰプロセスでの負担を軽減できるようにしためっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持部３６と、基板保持部３６で保持した基板Ｗと接触して通電させるカソード電極８８を備えたカソード部と、基板Ｗの表面に対向する位置に配置されるアノード９８と、基板保持部３６で保持した基板Ｗとアノード９８と間に基板Ｗと接離する方向に移動自在に配置され、該移動方向に沿って直線状に貫通して延びる貫通孔１１２ａを有する接触材１１２を有する。 （もっと読む）

【課題】マイクロエンボス加工による電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の基板１０上での形成方法であり、基板１０をエンボス加工する工程と、基板をくぼみでない部分１１が第１の材料６０の溶液をはじくように表面処理する工程と、エンボス加工によって形成された基板１０上のくぼみ１２に第１の材料６０の溶液を堆積する工程と、を含む。その後、第１の材料が基板の表面と同一平面となるよう、基板はアニール処理される。くぼみ中の第１の材料６０はその後、たとえば後続のＴＦＴの形成におけるソースおよびドレインとして使用できる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、反転オフセット印刷法による半導体装置の電極回路の形成方法を提供すること及びそれに用いる除去版を提供するものである。
【解決手段】
ブランケットに電極インクを塗布する工程と、少なくとも３回は除去版にてブランケット上の電極インクを除去する工程を有し、ブランケット上の電極インクを基材上に転写することを特徴とする半導体装置の電極回路の形成方法において、除去の工程において複数の除去版を用い、除去版の凸状部の最も細い部分の線幅をＸ、当該凸状部の高さをＺとした時に、Ｚ≦２Ｘの関係を有し、除去版の凹状部の最も太い線幅をＹ、当該凹状部の深さをＷとした時に、０．０１Ｙ≦Ｗの関係を有することにより、除去版の形状を正確に反映した高解像度領域と低解像度領域の電極パターンを形成することが可能となった。 （もっと読む）

基板上に複合金属層を形成する方法は、第一金属の複数のナノ結晶粒子を提供する工程と、複数のナノ結晶粒子を、第二金属の複数のイオンを持つ一のめっき槽に加えて一のコロイド状懸濁を形成する工程と、一の基板をめっき槽に浸漬する工程と、第二金属と第一金属の複数のナノ結晶粒子とを基板上に共析出させて、一の複合金属層を形成する工程と、を含む。共析出させる工程は、一の負のバイアスを基板に与えることと、一の電流をめっき槽に加えて、一の電気めっきプロセスを生じさせることとを含み、第二金属の複数のイオンは基板により還元され、基板上で第一金属の複数のナノ結晶粒子とともに共析出されて、複合金属層を形成する。 （もっと読む）

【課題】液滴吐出法などのマスクレスプロセスを用いて円形薄膜トランジスタを作製することにより、工程の簡略化、作製時間の短縮、及び作製費用の低減を図ると共に、従来よりもその形状が制御された円形薄膜トランジスタの作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】液滴吐出法等のマスクレスプロセスを用いて、基板上に同心円状の薄膜を積層し、円形の電極を有する円形薄膜トランジスタを形成する。また、液滴吐出法等のマスクレスプロセスを用いて、基板上に同心円状の薄膜を積層し、円形の半導体層を有する円形薄膜トランジスタを形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】 バンクに撥液化処理を行う際の、機能膜へのダメージを解消した膜パターンの形成方法と、これによって得られた膜パターンを備えた半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐに設けられたゲート絶縁膜２８（機能膜）上に機能液を配置して膜パターンを形成する方法である。基板Ｐにゲート絶縁膜２８を設け、ゲート絶縁膜２８上にポリシラザン液、ポリシラン液またはポリシロキサン液のいずれかを塗布し乾燥してバンク膜３１を形成する。そして、マスクＭを用いてバンク膜３１を選択的に露光し、バンク膜３１に撥液処理を施す。バンク膜３１を現像処理することでゲート絶縁膜２８を露出させ、パターン形成領域を区画するバンクを形成する。パターン形成領域に前記機能液を配置し、膜パターンを形成する。少なくとも、バンク膜３１に撥液処理を施す工程は、バンク膜３１を現像処理しバンクを形成する工程より前の工程で行う。 （もっと読む）

【課題】鉛を含むことなしに、優れた電気性能を提供する導電体組成物の提供。
【解決手段】（ａ）アルミニウム含有粉末と；（ｂ）１種または複数種のガラスフリット組成物と；（ｃ）有機媒質とを含み、成分（ａ）および（ｂ）が成分（ｃ）中に分散され、ガラスフリット組成物の少なくとも１種は４００℃未満の軟化点を有することを特徴とする厚膜導電体組成物。この厚膜導電体組成物は、太陽電池の裏面電極を形成することにおいて有用である。 （もっと読む）