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国際特許分類[H01L21/288]の内容

国際特許分類[H01L21/288]に分類される特許

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【課題】 集積回路や半導体センサ等のボンディングパッドを液滴吐出法を適用して形成する場合、基板表層との密着性が弱いという問題を解決するための電子デバイスとその製造方法を提供する。
【解決手段】 集積回路1は、導電配線5とコンタクトホール10を介して接続される二層構造のボンディングパッド8を備え、ボンディングパッド8は、ボンディングワイヤ9と接合する表面層7と、表面層7と被覆層4との密着性を高める下地層6を備えている。下地層6および表面層7は、液滴吐出法によって形成されるものであり、液滴吐出法に用いるのに適した条件で液状体化が可能なNiおよびAuが材料として用いられている。 (もっと読む)


【解決すべき課題】 無電解金めっき液において、硬質金皮膜を得ることができるめっき液を提供する。
【解決手段】 コバルト化合物、ニッケル化合物および鉄化合物からなる群から選択される1種または2種以上の硬化剤およびアスコルビン酸誘導体を含んでなる、無電解金めっき液。 (もっと読む)


【課題】 幅の異なる幾つかの領域を有するパターン形成領域に機能液を配置する場合等において、形成される膜パターン間での膜厚さを無くした該膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の膜パターンの形成方法は、基板48上に所定パターンのバンク34を形成するバンク形成工程と、前記形成したバンク34に対してフッ素化処理を施す撥液化処理工程と、前記撥液化処理後、前記バンク34に区画されたパターン形成領域55,56に機能液を配置する機能液配置工程と、前記配置した機能液を乾燥させる乾燥工程と、を含み、前記バンク形成工程は、前記基板48上に第1バンク層34aを形成する第1バンク層形成工程と、前記形成した第1バンク層34a上に、該第1バンク層34aよりもフッ素化され易い第2バンク層34bを形成する第2バンク層形成工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 表面側電極の表面にメッキ処理法を利用してニッケル膜を被膜するときに、半導体ウェーハの破損を抑制すること。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であり、半導体ウェーハ12の表面側に、性質を異にする複数の半導体領域が所定の位置関係で配置されている半導体素子領域14を形成する工程と、前記の位置関係に対して所定の位置関係でパターニングされている表面側電極を半導体ウェーハ12の表面側に形成する工程と、その半導体ウェーハ12の裏面にダイシングフレーム24付きのダイシングテープ22を固定する工程と、そのダイシングフレーム24を介して半導体ウェーハ12を支持しながら半導体ウェーハ12にメッキ処理する工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】 拡散防止機能を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 (a)半導体基板上に形成された酸素を含有する絶縁体の表面上に、銅以外に少なくとも2種類の金属元素を含む銅合金皮膜を形成する。(b)銅合金皮膜上に、純銅または銅合金からなる金属膜を形成する。(c)工程aまたは工程bの後に、絶縁体中の酸素と銅合金皮膜中の金属元素とが反応して絶縁体の表面に金属酸化物膜が形成される条件で熱処理を行う。 (もっと読む)


【課題】 幅の異なる幾つかの領域を有するパターン形成領域に機能液を配置する場合等において、形成される膜パターン間での膜厚さを無くした該膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基板48上に設けられたバンク34によって区画されるパターン形成領域55,56に、機能液を配置して膜パターンを形成する方法であって、基板48上に、その断面形状が基板側に向けて漸次拡径する逆テーパ状のバンク34を形成するバンク形成工程と、形成したバンクに対して撥液化処理を施す撥液化処理工程と、撥液化処理後、バンク34に区画されたパターン形成領域55,56に機能液を配置する機能液配置工程と、配置した機能液を乾燥させる工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 所望の微細パターンを高い精度で効率よく形成するパターン形成装置を得る。
【解決手段】 液体材料から複数の液滴を生成するミスト生成部103と、生成された複数の液滴を荷電する荷電部114と、複数の液滴から、第1の粒径の液滴を抽出し、第1の粒径と大きさの異なる第2の粒径の液滴を除去するミスト分級部104と、第1の粒径の液滴を散布するミスト散布部106と、第1の粒径の液滴の散布方向に設置された基板設置部107を備える。 (もっと読む)


【課題】Cu配線形成時のボイドの発生を抑制し、バリアメタル層とCu層の密着性低下を抑制できる半導体装置の製造方法とこの方法で製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板10に配線を形成する半導体装置の製造方法であって、まず、基板10にTa系バリアメタル材料とCu及び/またはAgとの合金からなるバリアメタル層16を形成する。次に、バリアメタル層16の上層にバリアメタル層16を電極とする電解メッキによりCuを含む金属層17を形成し、バリアメタル層16及び金属層17を配線パターンに加工する。 (もっと読む)


【課題】 微細な配線形成用途に適し、かつ低温焼結性が良好な高分散性球状銀粒子の分散液を安価かつ大量に高い収率で得る。
【解決手段】 粒子表面が有機保護剤で覆われた平均粒径(DTEM)50nm以下の銀粒子粉末を、沸点が60〜300℃の非極性もしくは極性の小さい液状有機媒体に分散させた銀粒子の分散液であって、前記の有機保護剤が1分子中に少なくとも1個以上の不飽和結合を有するアミン化合物であることを特徴とする。アミン化合物としては分子量が100〜1000のものを使用する。分散液中の銀粒子は結晶粒子径(Dx)が50nm以下で、単結晶化度(DTEM/Dx)が2.0以下、分散液の銀濃度は5〜90wt%であり、その粘度は50mP・s以下、表面張力が80mN/m以下のニュートン流体である。 (もっと読む)


【課題】 アスペクト比が大きく、かつ電気抵抗値が低い表面電極を形成し得る導電性ペースト、及びこの導電性ペーストで形成した表面電極を備えた、受光面積が大きく、かつ光電変換率の高い太陽電池セルを提供すること。
【解決手段】 E型粘度計において3°コーンを使用し、温度25℃、回転数0.5rpmで測定した粘度が200〜500Pa・sであり、かつチクソ指数(0.5rpmで測定した粘度/2.5rpmで測定した粘度)が1.5〜4.5である電極形成用導電性ペースト、及びこの導電性ペーストで形成された表面電極を備えた太陽電池セルである。 (もっと読む)


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