【課題】基板の絶縁層の一面側に開口する複数個の微細孔の各々に、所望厚さの金属層が充填できたことを確認して、電解めっきを終了するめっき金属の充填方法を提供する。
【解決手段】基板１４の金属層２０と定電流源２６の陰極とを電気的に接続すると共に、基板１４の微細孔開口面と一面側が対向する陽極板２４と定電流源２６の陽極とを電気的に接続し、且つ基板１４と別体に形成され、一面側が陽極板２４の他面側と対向する位置の陰極板２８を、基板１４の金属層２０と並列接続となるように定電流源２６の陰極に電気的に接続した後、基板１４の金属層２０、陰極板２８及び陽極板２４に定電流源から直流電流を印加して、基板１４の微細孔１８内に電解めっきによってめっき金属を充填しつつ、基板１４側に流れる電流値を検出してモニタし、前記モニタによって得た基板１４側に流れる電流値の経時変化に基づいて、電解めっきを停止する。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法により形成される膜パターンに、断線や短絡等の欠陥の発生を抑止できる配線形成方法を提供する。
【解決手段】導電性微粒子を含有した液体からなる液滴Ｌ１，Ｌ２を、基板１１上の所定の配線形成領域に吐出して配線を形成する配線形成方法であって、液滴Ｌ１，Ｌ２を吐出する前に、基板１１上に表面処理を行う表面処理工程を有し、表面処理された基板１１上に、基板１１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きく且つ、液滴Ｌ１の直径の２倍以下であって、液滴Ｌ１同士がつながらない配置ピッチで、液滴Ｌ１を配置する第１配置工程と、第１配置工程で配置された液滴Ｌ１どうしの間を埋めるように、基板１１上に液滴Ｌ２を着弾させる第２配置工程と、液滴Ｌ１，Ｌ２同士の間が埋められた状態で、熱処理又は光処理によって液滴Ｌ１，Ｌ２を導電膜に変換する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 めっき法にてバンプ電極（突起電極）を形成する際に、バンプ電極の表面に望ましくない凸部が形成されてしまうことを防ぐ。
【解決手段】 めっき処理開始時からの所定時間は、所定電流値の交流電流を印加することにより、下地の金属膜を所定量エッチングし、下地の金属膜の表面の凸部を除去する。続いて、その交流電流の電流波形のうち、バンプ電極となる金属膜を成長させる極性成分のみが所定量上昇した波形を有する交流電流を所定時間印加することによって金属膜を成長させ、バンプ電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハなどに金属フィルムをメッキする場合、メッキ電流の拡散や、流体分布の不均一によって、不均一な電着を生じる問題を解決するために、電界分布や流体フローを制御する方法および装置を提供する。
【解決手段】ワークピースを保持するワークピースホルダの隣に、不均一な振動をしながらワークピースの表面に対して平行に移動し、流体を攪拌する部材２０４’を設置する。さらに、ワークピースの表面に向かう電界の一部を遮断する非導電材料からなるプレートを配置する。 （もっと読む）

【課題】レジスト等のマスクは一般的にパターニングが終了すると、除去され、マスク除去のための工程が必要となり工程数が増えてしまう。そこで、マスクを除去することなく使用した薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】所望の形状にパターニングするためのマスクを除去せずに薄膜トランジスタの一部を構成させる。例えば、ソース・ドレイン電極をパターニングするためのマスクを除去せず、薄膜トランジスタが有する構成とする。ソース・ドレイン電極は、インクジェット法によって作製されるため、薄膜トランジスタの半導体膜は、ソース・ドレイン電極の側面に接する構成となる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を含む組成物を吐出して選択的に光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を形成し、光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を、めっき触媒物質を含む溶液中に浸漬し、光触媒物質、又はアミノ基を有する物質にめっき触媒物質を吸着又は析出させ、めっき触媒物質を、金属材料を含むめっき液に浸漬し、めっき触媒物質を吸着又は析出させた光触媒物質又はアミノ基を有する物質表面に金属膜を形成し半導体装置を作製し、めっき触媒物質を含む溶液はｐＨを３以上６以下に調整して用いる。 （もっと読む）

【課題】段差が無く、且つ、密着性及び平坦性の良い配線層を透明基板上に形成できなかったため、表示装置の大型化が困難な状況にある。
【解決手段】薄膜トランジスタのゲート電極或いはゲート配線を、下地密着層、触媒層、配線金属層、配線金属拡散抑止層の順に積層して４層構造にすることよって、密着性及び平坦性を改善した。この場合、下地密着層は金属に配位可能な構造を有する樹脂により形成され、絶縁基板との密着性を改善できた。また、配線金属層上に配線金属拡散抑止層を設けることにより、配線金属の拡散を防止できるため、薄膜トランジスタの特性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】 微細な配線形成用途に適し、かつ低温焼結性が良好な高分散性の銀粒子粉末を安価かつ高い収率で得る。
【解決手段】 沸点８０℃〜２００℃のアルコール中または沸点１５０〜３００℃のポリオール中で、銀塩を、有機保護剤および還元補助剤の共存下で且つ温度８０℃〜２００℃の範囲で還元処理する、極性の低い液状有機媒体への分散性に優れた銀粒子粉末の製造法を提供する。ここで、有機保護剤としては分子量１００〜１０００で構造内に不飽和結合をもつ１級アミンを使用し、還元補助剤としては２級アミンおよび／または３級アミンを使用する。還元処理で得られる銀粒子粉末は平均粒径Ｄ_TEMが好ましくは５０ｎｍ以下であり、粒子表面には前記の有機保護剤が被着している。このため、ナノ粒子であっても極性の低い液状有機媒体への分散性が良好である。 （もっと読む）

【課題】製造工程を複雑化することなく印刷法を適用した高精度な微細パターンの形成が可能で、これにより素子構成の高集積化を図ることが可能な塗布系の半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】凹凸形状を有するスタンパ３を押し圧するエンボス加工によって基板１の表面に凹状パターン１ａを形成する。次に凹状パターン１ａの両側にソース／ドレイン電極５をパターン形成する。また、凹状パターン１ａ内に、半導体材料からなる塗布系材料を印刷供給し、これを固化させることにより活性層７ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 バンク内のインクの濡れ性を向上し、均一な膜を形成することのできる膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 基体Ｐ上に有機成分を含むバンクＢを形成する工程と、バンクＢが形成された基体Ｐの表面をプラズマ処理する工程と、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する工程とを有し、前記プラズマ処理として、酸素を処理ガスとしたプラズマ処理を行なわずに、フッ素含有ガスを処理ガスとしたプラズマ処理のみを行なうことを特徴とする。 （もっと読む）