半導体装置およびその作製方法、並びにアンテナの作製方法
【課題】スクリーン印刷を用いて微細な形状のアンテナを有する半導体装置について、歩留まりを低下させない半導体装置の作製方法および当該半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、素子群上に第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出してダミーパターンとなる導電膜を形成した後に、続けて第２の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出してトランジスタと電気的に接続するようにアンテナとして機能する導電膜を形成する。そのため、当該半導体装置は、基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、素子群上に設けられ且つトランジスタと電気的に接続したアンテナとして機能する第１の導電膜と、第１の導電膜に隣接して設けられ且つトランジスタと電気的に接続しないダミーパターンとなる第２の導電膜とを有している。
【解決手段】基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、素子群上に第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出してダミーパターンとなる導電膜を形成した後に、続けて第２の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出してトランジスタと電気的に接続するようにアンテナとして機能する導電膜を形成する。そのため、当該半導体装置は、基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、素子群上に設けられ且つトランジスタと電気的に接続したアンテナとして機能する第１の導電膜と、第１の導電膜に隣接して設けられ且つトランジスタと電気的に接続しないダミーパターンとなる第２の導電膜とを有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンテナとして機能する導電膜を備え、非接触でデータの送受信が可能である半導体装置および当該半導体装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、個々の対象物にＩＤ（個体識別番号）を与えることで、その対象物の履歴等の情報を明確にし、生産・管理等に役立てるといった個体認識技術が注目されている。その中でも、非接触でデータの送受信が可能な半導体装置の開発が進められている。このような半導体装置として、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）（ＩＤタグ、ＩＣタグ、ＩＣチップ、ＲＦタグ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）、無線タグ、電子タグ、無線チップともよばれる）等が企業内、市場等で導入され始めている。
【０００３】
現在実用化されているＲＦＩＤ等の半導体装置の多くは、トランジスタ等から構成される回路を有する素子群（ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップとも呼ばれる）とアンテナとして機能する導電膜とを有している。これらの半導体装置は、電磁波によってアンテナを介してリーダ／ライタ間とデータのやりとりを行うことができる。
【０００４】
一般的に上述した半導体装置において、アンテナとして機能する導電膜は、巻き線法、埋め込み法、印刷法、エッチング法またはメッキ法等の方法を用いて形成される。これらの方法の中でも、特にスクリーン印刷法を用いて行う場合には、工程数や必要な装置の数が少なく、製造方法が比較的簡便であるため、製造コストやスループットの面で有利である。
【０００５】
スクリーン印刷法は、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、被印刷物（ここでは、素子群１０２）の上方に、枠８０１内に金網（メッシュ）８０４およびマスク用の乳剤８０３を有し、当該乳剤８０３を選択的に除去して設けられた開口部８０２を有するスクリーン印刷版８１０を用いて、スキージ８０５やローラー等によりペースト８０６を押し出すことによって、被印刷物の表面に所望のパターンを形成する方法である。
【０００６】
このように、スクリーン印刷法は、アンテナとして機能する導電膜はもちろん、これに限られずトランジスタ等に含まれる導電膜や画素電極等の形成工程に広く利用されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開平９−１９７０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、半導体装置の小型化に伴い、アンテナとして機能する導電膜やトランジスタに含まれる導電膜等も微細に設ける必要があるが、スクリーン印刷法により微細な形状の導電膜を形成する場合には、当該導電膜のショートや段切れ等の問題が生じる恐れがある。その問題として様々な原因が考えられるが、その一例として、以下のような原因が考えられる。なお、ここでは、具体例としてアンテナとして機能するコイル状の導電膜を形成する場合の問題点の一例に関して図１４を用いて説明する。
【０００８】
一般的に、スクリーン印刷法を用いて導電膜を設ける場合、図１４（Ｂ）に示すように乳剤８０３に設けられた開口部８０２からペースト８０６がスキージ８０５により押し出されることによって素子群１０２上に所望のパターンの導電膜が形成される。その際、ペースト８０６はスキージ８０５によって特定の方向（ここではＢ→Ａ方向）に沿って移動しながら開口部８０２から押し出されるが、ペースト８０６の移動に伴って当該ペースト８０６の先端に盛り上がる部分８０７（以下、隆起部分８０７と記す）が形成される。
【０００９】
そのため、初めにペースト８０６が押し出される開口部８０２（ここでは図１４における一番右側（Ａ−Ｂ間におけるＢ側）の開口部）においては、隆起部分８０７の存在によりペースト８０６が過剰に押し出されるため、開口部の形状より幅が広い導電膜１０３ａが形成される（図１４（Ｃ））。このように、開口部の形状より幅が広い導電膜が形成された場合には、隣接する導電膜１０３ｂと接触することによりショート等の問題が発生する。一方、導電膜１０３同士の接触を防ぐために開口部同士の間隔を広げて導電膜を設ける場合には、その分だけ微細化が困難となる。また、開口部の幅を狭くしてペーストを押し出した場合には、形成される導電膜の幅が細くなるため段切れ等による断線や通信距離の低下等の問題が発生する。
【００１０】
上記の実情を鑑み、本発明は、スクリーン印刷法等の印刷法を用いて形成された微細な形状のアンテナを有する半導体装置について、歩留まりの低下を抑制した半導体装置の作製方法および当該半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明は以下の手段を講じる。
【００１２】
本発明の半導体装置の作製方法は、基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、素子群の上方に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けてスクリーン印刷版の第２の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第２の導電膜を形成し、第１の導電膜をトランジスタと電気的に絶縁するように形成し、第２の導電膜をトランジスタと電気的に接続するように形成することを特徴としている。つまり、第１の導電膜は、フローティング状態となっており、ダミーパターンとして機能しうるし、素子群との容量を形成することも可能である。
【００１３】
本発明の半導体装置の他の作製方法は、第１の基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、第２の基板の上方に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けてスクリーン印刷版の第２の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第２の導電膜を形成し、第１の導電膜をトランジスタと電気的に絶縁するように形成し、第２の基板上に形成された第２の導電膜とトランジスタとを電気的に接続することを特徴としている。また、トランジスタとアンテナとして機能する第２の導電膜が電気的に接続するように第１の基板と第２の基板とを貼り合わせることも可能である。
【００１４】
また、本発明の半導体装置の他の作製方法は、上記構成において、第１の導電膜およびアンテナとして機能する第２の導電膜を、第１の開口部から押し出されたペーストおよび第２の開口部から押し出されたペーストを焼成することによって形成することを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の半導体装置の他の作製方法は、第１の導電膜の幅をアンテナとして機能する第２の導電膜の幅より広く形成することを特徴としている。
【００１６】
本発明のアンテナの作製方法は、基板上に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けてスクリーン印刷版の第２の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第２の導電膜を形成することを特徴としている。
【００１７】
本発明の半導体装置は、基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、素子群の上方に設けられ且つトランジスタと電気的に絶縁された第１の導電膜と、第１の導電膜に隣接して設けられ且つトランジスタと電気的に接続して設けられたアンテナとして機能する第２の導電膜とを有することを特徴としている。つまり、第１の導電膜は、フローティング状態となっており、ダミーパターンとして機能しうるし、素子群との容量を形成することも可能である。
【００１８】
また、本発明の半導体装置は、基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、素子群の上方に設けられ且つトランジスタと電気的に絶縁された第１の導電膜と、第１の導電膜に隣接して設けられ且つトランジスタと電気的に接続して設けられたアンテナとして機能する第２の導電膜とを有し、第２の導電膜はコイル状に設けられており、第１の導電膜は屈曲して設けられ且つ第１の端部と第２の端部とを有し、第１の端部と第２の端部が接続していないことを特徴としている。
【００１９】
また、本発明の半導体装置は、基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、素子群の上方に設けられ且つトランジスタと電気的に接続したアンテナとして機能するコイル状の導電膜を有し、導電膜のうち、最外周に位置する部分の幅が、内側に位置する部分の幅より広いことを特徴としている。なお、最外周に位置する部分の幅が、内側に位置する部分の幅より広いとは、最外周に位置する導電膜の幅の平均値が、内側に位置する導電膜の幅の平均値より大きいことをいう。
【発明の効果】
【００２０】
微細な形状を有する導電膜等をスクリーン印刷法により形成する際に、ダミーパターンとなる導電膜を形成した後に続けて所望の導電膜を形成することによって、導電膜を均一に形成することができる。その結果、導電膜同士のショートや断線等を防止し、歩留まりを向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。
【００２２】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の半導体装置の一例について図面を参照して説明する。
【００２３】
はじめに、本発明の半導体装置の作製方法の一例に関して図面を参照して以下に説明する。
【００２４】
まず、基板１０１上にトランジスタ等を有する素子群１０２を設ける（図３（Ａ））。
【００２５】
基板１０１は、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板またはステンレスを含む金属基板等を用いることができる。また、Ｓｉ等の半導体基板を用いてもよい。他にも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。可撓性を有する基板を用いることによって、折り曲げが可能である半導体装置を作製することが可能となる。また、このような基板であれば、その面積や形状に大きな制限はないため、基板１０１として、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。このような利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。
【００２６】
素子群１０２は、少なくともトランジスタを含んでおり、当該トランジスタによって、ＣＰＵ、メモリまたはマイクロプロセッサ等のありとあらゆる集積回路を設けることができる。例えば、素子群１０２を構成するトランジスタとしては、ガラスやプラスチック等からなる基板１０１上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成したり、基板１０１としてＳｉ等の半導体基板を用いて当該半導体基板をトランジスタのチャネル領域として用いた電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を形成したりすることによって設けることができる。また、基板１０１としてＳＯＩ基板を用いて当該基板にトランジスタを形成することによって設けることも可能である。なお、ＳＯＩ基板を用いる場合には、Ｓｉウェハの貼り合わせによる方法や酸素イオンをＳｉ基板内に打ち込むことにより内部に絶縁層を形成するＳＩＭＯＸと呼ばれる方法を用いて素子群のトランジスタを形成することができる。
【００２７】
また、薄膜トランジスタを設ける場合には、半導体膜として非晶質半導体または結晶質半導体を用いることができるが、より高い特性を有する薄膜トランジスタを用いる場合には、結晶質半導体を用いた薄膜トランジスタを設けることが好ましい。この場合、スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により非晶質半導体膜を形成し、続いて、非晶質半導体膜を結晶化法（レーザ結晶化、ＲＴＡまたはファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法とレーザ結晶化法を組み合わせた方法等）により結晶化して、結晶質半導体膜を形成する。
【００２８】
また、薄膜トランジスタの構造として、チャネル形成領域が１つ形成されるシングルゲート構造でもよいし、２つ形成されるダブルゲート構造または３つ形成されるトリプルゲート構造等のマルチゲート構造を用いることができる。また、ボトムゲート構造としてもよいし、チャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極を有するデュアルゲート型としてもよい。
【００２９】
次に、素子群１０２上に導電膜１０３および導電膜１０４を形成する。ここでは、スクリーン印刷法を用いて、初めに導電膜１０４を素子群１０２及び導電膜１０３と電気的に絶縁するように形成する（図３（Ｂ））。つまり、導電膜１０４は、フローティング状態となっており、ダミーパターンとして機能しうるし、素子群との容量を形成することも可能である。以下、ダミーパターンとして機能する場合を示す。
【００３０】
具体的には、印刷する方向（スキージ８０５の移動方向（ここではＢ→Ａ））を考慮して、初めにペースト８０６が達する開口部（ここでは開口部８０２ａ）から押し出されて形成される導電膜１０４がダミーパターンとなるように形成する。ペースト８０６としては、導電性のペーストを用いればよい。導電性のペーストとしては、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性粒子を有機樹脂に溶解または分散させたものを用いることができる。導電性粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、珪素樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、導電膜の形成にあたり、ペースト８０６を押し出した後に焼成することが好ましい。例えば、ペーストの材料として、銀を主成分とする微粒子（例えば粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下）を用いる場合、１５０〜３００度の温度範囲で焼成することにより硬化させて導電膜を得ることができる。また、はんだや鉛フリーのはんだを主成分とする微粒子を用いてもよく、この場合は粒径２０μｍ以下の微粒子を用いることが好ましい。はんだや鉛フリーはんだは、低コストであるといった利点を有している。
【００３１】
上述したように、スキージ８０５によって一定の距離を吐出されずに乳剤８０３および金網（メッシュ）８０４上を移動してきたペースト８０６の先端部分には隆起部分８０７が形成されるため、この状態でスクリーン印刷版の開口部から押し出されるペーストは隆起部分８０７の分だけ余分に押し出される。そのため、初めにペースト８０６が到達する開口部８０２ａから押し出されたペーストにより形成される導電膜１０４の幅等は、当該開口部８０２ａの形状より大きく形成される。
【００３２】
そして、ダミーパターンとなる導電膜１０３を形成した後に、続けてスキージ８０５を移動させて開口部８０２ｂからペースト８０６を押し出すことにより導電膜１０３を形成する（図３（Ｃ））。
【００３３】
このように、アンテナとして機能する導電膜１０４を形成する前にダミーパターンとなる導電膜１０４を形成することによって、導電膜１０３を開口部の形状通りに均一に形成することができる。これは、初めにペースト８０６が到達する開口部８０２ａから過剰にペーストが押し出されてペースト８０６の隆起部分８０７が解消または緩和するため、その後に開口部８０２ｂから過剰にペーストが押し出されることを防ぎ開口部８０２ｂの形状通りのパターンを有する導電膜を形成することが可能となるためである。
【００３４】
本実施の形態において、開口部８０２ａの幅ａ１を開口部８０２ｂの幅ａ２より大きくすることによって、ペースト８０６における隆起部分８０７の解消または緩和を向上させることができるため好ましい。この場合、ダミーパターンとなる導電膜１０４の幅ｂ１はアンテナとして機能する導電膜１０３の幅ｂ２より広く形成される。
【００３５】
また、開口部８０２ａと開口部８０２ｂとの間隔をｃ１とし、開口部８０２ｂ同士の間隔をｃ２とした場合、ｃ１をｃ２より大きくすることによりダミーパターンとなる導電膜１０４とアンテナとして機能する導電膜１０３とのショート等を防止することができるため好ましい。この際に、開口部８０２ａの幅ａ１を開口部８０２ｂの幅ａ２より大きくすることによって、より一層ペースト８０６における隆起部分８０７の解消または緩和を向上させ、導電膜１０３と導電膜１０４とのショート等を防止することが可能となる。
【００３６】
半導体装置の小型化及び通信距離の拡大を両立するためには、限られた範囲内でアンテナとして機能する導電膜１０３を形成する必要があり、アンテナをコイル状に設ける場合には、アンテナの巻数を増やすことが有効となる。一方、限られた範囲内でアンテナの巻数を増やすためには、隣接する導電膜１０３同士の間隔を小さくする必要がある。このような場合、上述したようにダミーパターンとなる導電膜１０４を形成した後に導電膜１０３を形成することによって、導電膜１０３を所望の形状に設けることができるため、隣接する導電膜１０３同士の間隔を小さくすることができる。
【００３７】
例えば、様々な商品に半導体装置を搭載する場合、当該半導体装置を０．３ｃｍ角〜２ｃｍ角で設けることが好ましい。半導体装置をこのようなサイズで設ける場合、図３において、好ましくは、隣接する導電膜１０３同士の間隔ｂ３を導電膜１０３の幅ｂ２の半分の値（ｂ２×０．５）より小さく、より好ましくは、隣接する導電膜１０３同士の間隔ｂ３を導電膜１０３の幅ｂ２の１／４倍した値（ｂ２×０．２５）より小さく設けるとよい。具体的には、導電膜１０３の幅ｂ２を５０μｍ以上４００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以上３００μｍ以下で設ける。また、隣接する導電膜１０３同士の間隔ｂ３は上記した条件を満たすように設ければよく、例えば導電膜の幅ｂ２を２００μｍで設けた場合には、隣接する導電膜１０３同士の間隔ｂ３を１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下に設ける。
【００３８】
また、ペースト８０６を押し出して導電膜１０３を形成した後に、隣接する導電膜１０３同士の接触を防止するため、隣接する導電膜１０３同士の間隔ｂ３は、導電膜１０３の膜厚ｂ４より大きくすることが好ましい。例えば、導電膜１０３の膜厚を２０μｍで設けた場合には、隣接する導電膜１０３同士の間隔ｂ３を２０μｍ以上となるように設けることが好ましい。なお、導電膜１０３の膜厚ｂ４は、当該導電膜１０３の断面における膜厚の平均値をいう。
【００３９】
上述したように設けることによって、限られた範囲内にアンテナとして機能する導電膜１０３を設けることが可能となり、半導体装置の小型化及び通信距離の拡大を達成することができる。
【００４０】
以上のように、初めにダミーパターンとなる導電膜１０４を形成してペースト８０６の隆起部分８０７を意図的に印刷させることによって、アンテナとして機能する導電膜１０３を均一に形成することができる。なお、図３では、導電膜１０４をダミーパターンとして設けた例を示したが、導電膜１０４と素子群１０２との間に容量を形成することも可能である。
【００４１】
次に、本発明の半導体装置の一例に関して図面を参照して以下に説明する。
【００４２】
本発明の半導体装置は、少なくとも基板１０１上に設けられた素子群１０２と当該素子群１０２上に設けられたアンテナとして機能する導電膜１０３とダミーパターンとして設けられた導電膜１０４とを有している（図１（Ａ））。素子群１０２はトランジスタを有しており、アンテナとして機能する導電膜１０３は素子群１０２に含まれるいずれかのトランジスタと電気的に接続している。電気的な接続は、どのように行ってもよく、例えば、トランジスタと電気的に接続した配線を一部露出させ、当該配線上に導電膜１０３を形成することによって行うことができる。一方、ダミーパターンとして設けられた導電膜１０４は、アンテナとして機能する導電膜１０３の周辺に配置されており、素子群１０２に含まれるトランジスタとは電気的に接続しないように設けられている。また、導電膜１０３と導電膜１０４は同一の材料を用いて設けられている。なお、図１（Ａ）に示す構造においては、上述した作製方法において、Ｘ軸上右→左方向に沿って印刷を行うとよい。
【００４３】
導電膜１０３は、アンテナとして機能するのであればどのような形状で設けても構わない。例えば、図１に示すように、導電膜１０３をコイル状に設けることによって、電磁誘導方式を用いて非接触でデータの送受信が可能な半導体装置を得ることができる。
【００４４】
導電膜１０４は、導電膜１０３に隣接するように配置すればどのような形状で設けても構わない。ただし、Ｘ軸方向またはＹ軸方向と平行となるようにダミーパターンとなる導電膜１０４を設ける場合には、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に平行な辺における導電膜１０３の最大長より長くなるように設けることが好ましい。例えば、図１（Ａ）に示すように、導電膜１０３の配置を矩形状に設け、導電膜１０４を４辺のうちの１辺（例えば、図１（Ａ）においては右辺）に隣接するように設けた場合、当該導電膜１０３の１辺の長さより導電膜１０４を長く設けることが好ましい。
【００４５】
また、ダミーパターンとなる導電膜の形状としては、図１（Ａ）に示したように線状に限らず、導電膜１０４ａをコの字形状等の屈曲させた形状（図１（Ｃ））や曲線状等に設けることもできる。また、ダミーパターンとなる導電膜は、単数に限らず複数の導電膜１０４ｂを設けることも可能である（図１（Ｄ））。なお、図１（Ｃ）に示す構造においては、上述した作製方法において、印刷方向がＸ軸上の左→右方向、Ｙ軸上の上→下方向またはＹ軸上の下→上方向のいずれかの方向で行うとよい。図１（Ｄ）に示す構造においては、Ｘ軸上の右→左方向に沿って印刷を行うとよい。
【００４６】
ただし、アンテナとして機能する導電膜１０３をコイル状に設けた場合に、導電膜１０４の形状として環状としない（非環状）ように設けることが好ましい。これはアンテナとして機能する導電膜１０３の周囲に当該導電膜１０３を囲むように導電膜１０４を設けた場合（図２（Ａ））、電磁誘導方式を用いてデータの送受信を行う際に通信距離の低下等の問題が懸念されるためである。非環状に設ける場合、例えば、図１（Ｃ）において、屈曲させた形状の導電膜１０４ａの両端部が接続しないように設ける。
【００４７】
例えば、図２（Ｂ）に示すように、導電膜１０３や導電膜１０４に囲まれた領域で磁界が発生すると（図２（Ｂ）においては紙面上→下方向）、導電膜１０３および導電膜１０４には発生した磁界を打ち消すように電流が生じる。具体的には、図２（Ｂ）に示すように、例えば、半導体装置にリーダ／ライタから電磁波が送られてきた場合（ここでは基板１０１の上方から下方に向かって磁界が発生した場合）、半導体装置はアンテナとして機能する導電膜１０３を介して素子群１０２に含まれるトランジスタ等に電源電圧や信号を供給する。一方、ダミーパターンとなる導電膜１０４にも電流が流れるが、この電流によってリーダ／ライタから送られてきた電磁波を打ち消すように磁界（基板１０１の下方から上方に向かって生じる磁界）が発生する。その結果、リーダ／ライタから送られてくる磁界がダミーパターンとなる導電膜１０４によって発生した磁界に打ち消されることによって、通信距離が低下するといった問題が生じる。そのため、ダミーパターンとなる導電膜１０４は環状としないように設けることが好ましい。
【００４８】
例えば、図１（Ｃ）に示すように、導電膜１０４ａが２つの端部を有するように設け、当該２つの端部が電気的に接続しないように設ける。
【００４９】
なお、本実施の形態では、一つのアンテナとして機能する導電膜１０３を形成する場合を示したが、本実施の形態はこれに限られない。例えば、複数のアンテナのパターンが形成されたスクリーン印刷版の開口部からペーストを連続して押し出して、アンテナとして機能する導電膜１０３を複数連続して形成する場合、複数のアンテナ毎に上述したダミーパターンを設けることができる。また、複数のアンテナのうち、初めにペーストが押し出されるアンテナのパターンの前にダミーパターンを設けてもよいし、複数のアンテナのうち一定の間隔毎にダミーパターンを設けてもよい。また、素子群上にアンテナを複数形成した場合、ダイシング法やスクライビング法等により選択的に分断して、それぞれアンテナを一つ有する複数の半導体装置を得ることができる。他にもレーザ光を照射することによって分断してもよい。この場合、複数のアンテナ毎にダミーパターンを設けた場合には、分断されて形成された複数の半導体装置の各々にダミーパターンが残存する場合がある。
【００５０】
以上のように、アンテナとして機能する導電膜を形成する前にダミーパターンとなる導電膜を設けることによって、均一な導電膜を形成することが可能となる。その結果、半導体装置の作製方法において、歩留まりの向上を達成することができる。なお、本実施の形態では、アンテナとして機能する導電膜に関して説明を行ったが、スクリーン印刷法によりトランジスタの配線パターン等の導電膜を形成する場合には同様に適用することができる。
【００５１】
（実施の形態２）
本実施の形態は、本発明の半導体装置について上記実施の形態とは異なる構造に関して図面を参照して説明する。
【００５２】
本実施の形態で示す半導体装置では、アンテナとして機能する導電膜１０３において、当該導電膜１０３をコイル状に設けた場合に最外周部分（導電膜１０３において最も外側に形成された部分）に位置する導電膜の平均の幅をその内側に形成された導電膜の平均の幅より広くなるように設けた導電膜１０５を形成する（図４（Ａ）、（Ｂ））。なお、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＡ−Ｂ間における断面の模式図を示している。
【００５３】
また、最外周部分に位置する導電膜１０３の全てをその内側に形成された導電膜の幅より大きく設けてもよいし、最外周部分に位置する導電膜１０３の一部をその内側に形成された導電膜の幅より大きく設けてもよい。つまり、導電膜１０３の最外周部分に位置する導電膜の幅の平均値をその内側に形成された導電膜の幅の平均値より大きくなるように設ければよい。ただし、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に平行な辺における導電膜１０３の最大長より長くなるように、導電膜１０５を設けることが好ましい。例えば、図４（Ｃ）に示すように、導電膜１０３の配置を矩形状に設けた場合には、少なくとも４辺のうち１辺における導電膜１０３おいて、内側に形成される導電膜の幅より大きく導電膜１０３ｃを設けることが好ましい。
【００５４】
また、導電膜１０３は、上記実施の形態１で示したようにスクリーン印刷法を用いて形成することができる。スクリーン印刷法を用いて形成する場合には、導電膜１０３の最外周部に位置する導電膜１０４を形成した後に、その内側に位置する導電膜を形成する。これは、あらかじめ導電膜１０４を形成することによって、上記図３におけるペースト８０６の隆起部分８０７を解消または緩和させることが可能となり、その結果内側に設けられた導電膜を均一に形成することができる。
【００５５】
また、アンテナとして機能する導電膜１０３の最外周部分に位置する導電膜１０３ｂをその内側に位置する導電膜から離して設けることも可能である（図４（Ｄ））。具体的には、最外周部分に位置する導電膜の少なくとも一部を内側に設けられた導電膜から間隔をあけて設ける。間隔をどの程度あけるかは実施者が適宜選択して決定すればよいが、最外周部分に位置する導電膜の内側に形成された導電膜同士の間隔よりあけることが好ましい。
【００５６】
なお、図４に示した構造を上記実施の形態１に示した作製方法を用いて形成する場合、図４（Ｃ）に示す構造おいては、Ｘ軸上の左→右方向に沿って印刷を行うとよい。また、図４（Ｄ）に示す構造においては、Ｘ軸上の左→右方向、Ｙ軸上の上→下方向またはＸ軸およびＹ軸上の左斜め上→右斜め下方向に沿って印刷を行うとよい。
【００５７】
このように、スクリーン印刷法を用いてアンテナとして機能する導電膜１０３を形成する際、導電膜１０３の最外周部分に位置する導電膜の少なくとも一部をその内側に位置する導電膜の幅より広く形成するか離して形成することにより、上記実施の形態１で示したダミーパターンと同様の役割をはたすため、導電膜同士の接触によるショート等を抑制し、歩留まりの低下を防止することができる。
【００５８】
なお、本実施の形態は上記実施の形態１と自由に組み合わせて行うことができる。
【００５９】
（実施の形態３）
本実施の形態では、薄膜トランジスタおよびアンテナを含む本発明の半導体装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。
【００６０】
まず、基板７０１の表面に剥離層７０２を形成し、その後当該剥離層７０２上に絶縁膜７０３を介して非晶質半導体膜７０４（例えば非晶質珪素を含む膜）を形成する（図５（Ａ））。
【００６１】
基板７０１は、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板の一表面に絶縁膜を形成したもの、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用いるとよい。このような基板７０１であれば、その面積や形状に大きな制限はないため、基板７０１として、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いることによって、生産性を格段に向上させることができる。このような利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。なお、本工程では、剥離層７０２は、基板７０１の全面に設けているが、必要に応じて、基板７０１の全面に剥離層を設けた後に、フォトリソグラフィ法によりエッチングして、選択的に設けてもよい。また、基板７０１に接するように剥離層７０２を形成しているが、必要に応じて、基板７０１に接するように下地となる絶縁膜を形成し、当該絶縁膜に接するように剥離層７０２を形成してもよい。
【００６２】
剥離層７０２は、金属膜や金属膜と金属酸化膜の積層構造等を用いることができる。金属膜としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる膜を単層又は積層して形成する。また、これらの材料は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ等法を用いて形成することができる。金属膜と金属酸化膜の積層構造としては、上述した金属膜を形成した後に、酸素雰囲気化におけるプラズマ処理、酸素雰囲気化における加熱処理を行うことによって、金属膜表面に当該金属膜の酸化物を設けることができる。例えば、金属膜としてスパッタ法により形成したタングステン膜を設けた場合、タングステン膜にプラズマ処理を行うことによって、タングステン膜表面にタングステン酸化物からなる金属酸化膜を形成することができる。また、この場合、タングステンの酸化物は、ＷＯｘで表され、Ｘは２〜３であり、Ｘが２の場合（ＷＯ２）、Ｘが２．５の場合（Ｗ２Ｏ５）、Ｘが２．７５の場合（Ｗ４Ｏ１１）、Ｘが３の場合（ＷＯ３）などがある。タングステンの酸化物を形成するにあたり、上記に挙げたＸの値に特に制約はなく、エッチングレート等を基に、どの酸化物を形成するかを決めるとよい。また、プラズマ処理の条件として、例えば、高周波（マイクロ波等）を用いて高密度（好ましくは、１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下）、且つ低電子温度（好ましくは０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下）の条件下（以下、「高密度プラズマ」とも記す）で行うことにより、金属膜表面に酸化膜を形成することも可能である。また、金属酸化膜の他にも、金属窒化物や金属酸化窒化物を用いてもよい。この場合、金属膜に窒素雰囲気下または窒素と酸素雰囲気下でプラズマ処理や加熱処理を行えばよい。プラズマ処理の条件としては、上記と同様にして行うことが可能である。
【００６３】
絶縁膜７０３は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等により、珪素の酸化物または珪素の窒化物を含む膜を、単層又は積層で形成する。下地となる絶縁膜が２層構造の場合、例えば、１層目として窒化酸化珪素膜を形成し、２層目として酸化窒化珪素膜を形成するとよい。下地となる絶縁膜が３層構造の場合、１層目の絶縁膜として酸化珪素膜を形成し、２層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を形成し、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成するとよい。または、１層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成し、２層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を形成し、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成するとよい。下地となる絶縁膜は、基板７０１からの不純物の侵入を防止するブロッキング膜として機能する。
【００６４】
非晶質半導体膜７０４は、スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により、２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１５０ｎｍ）の厚さで形成する。
【００６５】
次に、非晶質半導体膜７０４を結晶化法（レーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法とレーザ結晶化法を組み合わせた方法等）により結晶化して、結晶質半導体膜を形成する。その後、得られた結晶質半導体膜を所望の形状にエッチングして、結晶質半導体膜７０６〜７１０を形成する（図５（Ｂ））。
【００６６】
結晶質半導体膜７０６〜７１０の作製工程の一例を以下に簡単に説明すると、まず、プラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚６６ｎｍの非晶質半導体膜を形成する。次に、結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半導体膜上に保持させた後、非晶質半導体膜に脱水素化の処理（５００℃、１時間）と、熱結晶化の処理（５５０℃、４時間）を行って結晶質半導体膜を形成する。その後、必要に応じてレーザ光を照射し、フォトリソグラフィ法を用いることによって結晶質半導体膜７０６〜７１０を選択的に形成する。
【００６７】
連続発振型のレーザビーム（ＣＷレーザビーム）やパルス発振型のレーザビーム（パルスレーザビーム）を用いることができる。ここで用いることができるレーザビームは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザビームの基本波、及びこれらの基本波の第２高調波から第４高調波のレーザビームを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザのエネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。なお、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、Ａｒイオンレーザ、またはＴｉ：サファイアレーザは、連続発振をさせることが可能であり、Ｑスイッチ動作やモード同期などを行うことによって１０ＭＨｚ以上の発振周波数でパルス発振をさせることも可能である。１０ＭＨｚ以上の発振周波数でレーザビームを発振させると、半導体膜がレーザによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射される。従って、発振周波数が低いパルスレーザを用いる場合と異なり、半導体膜中において固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。
【００６８】
また、結晶化を助長する金属元素を用いて非晶質半導体膜の結晶化を行うと、低温で短時間の結晶化が可能となるうえ、結晶の方向が揃うという利点がある一方、金属元素が結晶質半導体膜に残存するためにオフ電流が上昇し、特性が安定しないという欠点がある。そこで、結晶質半導体膜上に、ゲッタリングサイトとして機能する非晶質半導体膜を形成するとよい。ゲッタリングサイトとなる非晶質半導体膜には、リンやアルゴンの不純物元素を含有させる必要があるため、好適には、アルゴンを高濃度に含有させることが可能なスパッタ法で形成するとよい。その後、加熱処理（ＲＴＡ法やファーネスアニール炉を用いた熱アニール等）を行って、非晶質半導体膜中に金属元素を拡散させ、続いて、当該金属元素を含む非晶質半導体膜を除去する。そうすると、結晶質半導体膜中の金属元素の含有量を低減又は除去することができる。
【００６９】
次に、結晶質半導体膜７０６〜７１０を覆うゲート絶縁膜７０５を形成する。ゲート絶縁膜７０５は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により、珪素の酸化物又は珪素の窒化物を含む膜を、単層又は積層して形成する。具体的には、酸化珪素を含む膜、酸化窒化珪素を含む膜、窒化酸化珪素を含む膜を、単層又は積層して形成する。
【００７０】
また、ゲート絶縁膜７０５は、結晶質半導体膜７０６〜７１０に対し前述の高密度プラズマ処理を行い、表面を酸化又は窒化することで形成しても良い。例えば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスと、酸素、酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア、窒素、水素などの混合ガスを導入したプラズマ処理で形成する。この場合のプラズマの励起は、マイクロ波の導入により行うと、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。この高密度プラズマで生成された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジカル（ＮＨラジカルを含む場合もある）によって、半導体膜の表面を酸化又は窒化することができる。
【００７１】
このような高密度プラズマを用いた処理により、１〜２０ｎｍ、代表的には５〜１０ｎｍの絶縁膜が半導体膜に形成される。この場合の反応は、固相反応であるため、当該絶縁膜と半導体膜との界面準位密度はきわめて低くすることができる。このような、高密度プラズマ処理は、半導体膜（結晶性シリコン、或いは多結晶シリコン）を直接酸化（若しくは窒化）するため、形成される絶縁膜の厚さは理想的には、ばらつきをきわめて小さくすることができる。加えて、結晶性シリコンの結晶粒界でも酸化が強くされることがないため、非常に好ましい状態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で半導体膜の表面を固相酸化することにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、均一性が良く、界面準位密度が低い絶縁膜を形成することができる。
【００７２】
ゲート絶縁膜は、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁膜のみを用いても良いし、それにプラズマや熱反応を利用したＣＶＤ法で酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁膜を堆積し、積層させても良い。いずれにしても、高密度プラズマで形成した絶縁膜をゲート絶縁膜の一部又は全部に含んで形成されるトランジスタは、特性のばらつきを小さくすることができる。
【００７３】
また、半導体膜に対し、連続発振レーザ若しくは１０ＭＨｚ以上の周波数で発振するレーザビームを照射しながら一方向に走査して結晶化させて得られた結晶質半導体膜７０６〜７１０は、そのビームの走査方向に結晶が成長する特性がある。その走査方向をチャネル長方向（チャネル形成領域が形成されたときにキャリアが流れる方向）に合わせてトランジスタを配置し、上記ゲート絶縁層を組み合わせることで、特性ばらつきが小さく、しかも電界効果移動度が高いトランジスタ（ＴＦＴ）を得ることができる。
【００７４】
次に、ゲート絶縁膜７０５上に、第１の導電膜と第２の導電膜とを積層して形成する。第１の導電膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、２０〜１００ｎｍの厚さで形成する。第２の導電膜は、１００〜４００ｎｍの厚さで形成する。第１の導電膜と第２の導電膜は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成する。または、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料により形成する。第１の導電膜と第２の導電膜の組み合わせの例を挙げると、窒化タンタル（ＴａＮ）膜とタングステン（Ｗ）膜、窒化タングステン（ＷＮ）膜とタングステン膜、窒化モリブデン（ＭｏＮ）膜とモリブデン（Ｍｏ）膜等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは、耐熱性が高いため、第１の導電膜と第２の導電膜を形成した後に、熱活性化を目的とした加熱処理を行うことができる。また、２層構造ではなく、３層構造の場合は、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブデン膜の積層構造を採用するとよい。
【００７５】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスクを形成し、ゲート電極とゲート線を形成するためのエッチング処理を行って、ゲート電極として機能する導電膜（ゲート電極とよぶことがある）７１６〜７２５を形成する。
【００７６】
次に、フォトリソグラフィ法により、レジストからなるマスクを形成して、結晶質半導体膜７０６、７０８〜７１０に、イオンドープ法又はイオン注入法により、Ｎ型を付与する不純物元素を低濃度に添加して、Ｎ型不純物領域７１１、７１３〜７１５とチャネル形成領域７８０、７８２〜７８４を形成する。Ｎ型を付与する不純物元素は、１５族に属する元素を用いれば良く、例えばリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）を用いる。
【００７７】
次に、フォトリソグラフィ法によりレジストからなるマスクを形成して、結晶質半導体膜７０７に、Ｐ型を付与する不純物元素を添加して、Ｐ型不純物領域７１２とチャネル形成領域７８１を形成する。Ｐ型を付与する不純物元素は、例えばボロン（Ｂ）を用いる。
【００７８】
次に、ゲート絶縁膜７０５と導電膜７１６〜７２５を覆うように、絶縁膜を形成する。絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により、珪素、珪素の酸化物又は珪素の窒化物の無機材料を含む膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層又は積層して形成する。次に、絶縁膜を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッチングして、導電膜７１６〜７２５の側面に接する絶縁膜（サイドウォールともよばれる）７３９〜７４３を形成する（図５（Ｃ））。また、絶縁膜７３９〜７４３の作製と同時に、ゲート絶縁膜７０５がエッチングされた絶縁膜７３４〜７３８を形成する。絶縁膜７３９〜７４３は、後にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。
【００７９】
次に、フォトリソグラフィ法により形成したレジストからなるマスクと、絶縁膜７３９〜７４３をマスクとして用いて、結晶質半導体膜７０６、７０８〜７１０にＮ型を付与する不純物元素を添加して、第１のＮ型不純物領域（ＬＤＤ領域ともよぶ）７２７、７２９、７３１、７３３と、第２のＮ型不純物領域７２６、７２８、７３０、７３２とを形成する。第１のＮ型不純物領域７２７、７２９、７３１、７３３が含む不純物元素の濃度は、第２のＮ型不純物領域７２６、７２８、７３０、７３２の不純物元素の濃度よりも低い。上記工程を経て、Ｎ型の薄膜トランジスタ７４４、７４６〜７４８と、Ｐ型の薄膜トランジスタ７４５が完成する。
【００８０】
なお、ＬＤＤ領域を形成するためには、サイドウォールの絶縁膜をマスクとして用いる手法がある。サイドウォールの絶縁膜をマスクとして用いることによって、ＬＤＤ領域の幅の制御が容易であり、また、ＬＤＤ領域を確実に形成することができる。
【００８１】
続いて、薄膜トランジスタ７４４〜７４８を覆うように、絶縁膜を単層又は積層して形成する（図６（Ａ））。薄膜トランジスタ７４４〜７４８を覆う絶縁膜は、ＳＯＧ法、液滴吐出法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ、シロキサン等の有機材料等により、単層又は積層で形成する。シロキサン系の材料とは、例えば、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む物質、又は、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基にフッ素、アルキル基、芳香族炭化水素の少なくとも１つを含む物質に相当する。例えば、薄膜トランジスタ７４４〜７４８を覆う絶縁膜が３層構造の場合、１層目の絶縁膜７４９として酸化珪素を含む膜を形成し、２層目の絶縁膜７５０として樹脂を含む膜を形成し、３層目の絶縁膜７５１として窒化珪素を含む膜を形成するとよい。
【００８２】
なお、絶縁膜７４９〜７５１を形成する前、又は絶縁膜７４９〜７５１のうちの１つ又は複数の薄膜を形成した後に、半導体膜の結晶性の回復や半導体膜に添加された不純物元素の活性化、半導体膜の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい。加熱処理には、熱アニール、レーザアニール法又はＲＴＡ法などを適用するとよい。
【００８３】
次に、フォトリソグラフィ法により絶縁膜７４９〜７５１をエッチングして、Ｎ型不純物領域７２６、７２８〜７３２、Ｐ型不純物領域７８５を露出させるコンタクトホールを形成する。続いて、コンタクトホールを充填するように、導電膜を形成し、当該導電膜をパターン加工して、ソース配線又はドレイン配線として機能する導電膜７５２〜７６１を形成する。
【００８４】
導電膜７５２〜７６１は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ネオジウム（Ｎｄ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料に相当する。導電膜７５２〜７６１は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜７５２〜７６１を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとることができる。
【００８５】
次に、導電膜７５２〜７６１を覆うように、絶縁膜７６２を形成する（図６（Ｂ））。絶縁膜７６２は、ＳＯＧ法、液滴吐出法等を用いて、無機材料又は有機材料により、単層又は積層で形成する。また、絶縁膜７６２は、好適には、０．７５μｍ〜３μｍの厚さで形成する。
【００８６】
続いて、フォトリソグラフィ法により絶縁膜７６２をエッチングして、導電膜７５２を露出させるコンタクトホールを形成する。続いて、コンタクトホールを充填するように、導電膜を形成する。導電膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、導電性材料により形成する。次に、導電膜をパターン加工して、導電膜７６５を形成する。なお、導電膜７６５は、アンテナとして機能する導電膜との接続部分となる。従って、好適には、導電膜７６５は、チタン、又はチタンを主成分とする合金材料若しくは化合物材料により、単層又は積層で形成するとよい。また、導電膜７６５を形成するためのフォトリソグラフィ工程においては、下層の薄膜トランジスタ７４４〜７４８にダメージを与えないために、ウエットエッチング加工を行うとよく、エッチング剤にはフッ化水素（ＨＦ）又はアンモニア過水を用いるとよい。
【００８７】
次に、導電膜７６５に接し、アンテナとして機能する導電膜７６６ａ〜７６６ｄおよびダミーパターンとして機能する導電膜７６７を形成する（図７（Ａ））。導電膜７６６ａ〜７６６ｄおよび導電膜７６７は、上記実施の形態で示したようにスクリーン印刷法を用いて形成する。ここでは、銀（Ａｇ）を含むペーストを用いて形成し、その後５０〜３５０度の加熱処理を行って形成する。また、上記工程において導電膜７６５を形成せずに、直接導電膜７５２を露出させるコンタクトホールに導電膜７６６ａを設けることもできる。
【００８８】
次に、アンテナとして機能する導電膜７６６ａ〜７６６ｄおよび導電膜７６７を覆うように、ＳＯＧ法、液滴吐出法等により、保護膜として機能する絶縁膜７７２を形成する（図７（Ｂ））。絶縁膜７７２は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）などの炭素を含む膜、窒化珪素を含む膜、窒化酸化珪素を含む膜、有機材料により形成し、好ましくはエポキシ樹脂により形成する。
【００８９】
次に、基板７０１から素子形成層７９１の剥離を行う。素子形成層７９１の剥離は、素子形成層７９１に選択的にレーザ光を照射して開口部７７３、７７４を形成後（図８（Ａ））、物理的な力を用いて行う。また、他の方法として開口部７７３、７７４を形成して剥離層７０２を露出させた後エッチング剤を導入することによって、剥離層７０２を除去した後に剥離を行ってもよい（図８（Ｂ））。エッチング剤は、フッ化ハロゲンまたはハロゲン間化合物を含む気体又は液体を使用する。例えば、フッ化ハロゲンを含む気体として三フッ化塩素（ＣｌＦ３）を使用する。そうすると、素子形成層７９１は、基板７０１から剥離された状態となる。なお、素子形成層７９１とは、ここでは、薄膜トランジスタ７４４〜７４８、記憶素子部７８９、７９０の素子群と、アンテナとして機能する導電膜７８６を合わせたものとする。なお、剥離層７０２は、全て除去せず一部分を残存させてもよい。こうすることによって、エッチング剤の消費量を抑え剥離層の除去に要する処理時間を短縮することが可能となる。また、剥離層７０２の除去を行った後にも、基板７０１上に素子形成層７９１を保持しておくことが可能となる。
【００９０】
素子形成層７９１が剥離された基板７０１は、コストの削減のために、再利用するとよい。また、絶縁膜７７２は、剥離層７０２を除去した後に、素子形成層７９１が飛散しないように形成したものである。素子形成層７９１は小さく薄く軽いために、剥離層７０２を除去した後は、基板７０１に密着していないために飛散しやすい。しかしながら、素子形成層７９１上に絶縁膜７７２を形成することで、素子形成層７９１に重みが付き、基板７０１からの飛散を防止することができる。また、素子形成層７９１単体では薄くて軽いが、絶縁膜７７２を形成することで、基板７０１から剥離した素子形成層７９１が応力等により巻かれた形状になることがなく、ある程度の強度を確保することができる。
【００９１】
次に、素子形成層７９１の一方の面を、第１のシート材７７５に接着させて基板７０１から完全に剥離する（図９（Ａ））。剥離層７０２を全て除去せず一部を残した場合には、物理的手段を用いて基板７０１から素子形成層を剥離する。続いて、素子形成層７９１の他方の面に、第２のシート材７７６を設け、その後加熱処理と加圧処理の一方または両方を行って、第２のシート材７７６を貼り合わせる。また、第２のシート材７７６を設けると同時または設けた後に第１のシート材７７５を剥離し、代わりに第３のシート材７７７を設ける。そして、加熱処理と加圧処理の一方または両方を行って、第３のシート材７７７を貼り合わせる。そうすると、第２のシート材７７６と第３のシート材７７７により封止された半導体装置が完成する（図９（Ｂ））。
【００９２】
なお、第１のシート材７７５と第２のシート材７７６によって封止を行っても良いが、基板７０１から素子形成層７９１を剥離するためのシート材と素子形成層７９１を封止するためのシート材に異なるシート材を用いる場合には、上述したように、第２のシート材７７６と第３のシート材７７７で素子形成層７９１を封止する。これは、例えば、基板７０１から素子形成層７９１を剥離する際に、第１のシート材７７５が素子形成層７９１のみならず基板７０１への接着が懸念される場合等、粘着力が弱いシート材を利用したいときに有効となる。
【００９３】
封止に用いる第２のシート材７７６、第３のシート材７７７として、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなるフィルム、繊維質な材料からなる紙、基材フィルム（ポリエステル、ポリアミド、無機蒸着フィルム、紙類等）と接着性合成樹脂フィルム（アクリル系合成樹脂、エポキシ系合成樹脂等）との積層フィルム等を利用することができる。また、フィルムは、被処理体と加熱処理と加圧処理が行われるものであり、加熱処理と加圧処理を行う際には、フィルムの最表面に設けられた接着層か、又は最外層に設けられた層（接着層ではない）を加熱処理によって溶かし、加圧により接着する。また、第２のシート材７７６と第３のシート材７７７の表面には接着層が設けられていてもよいし、接着層が設けられていなくてもよい。接着層は、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤、樹脂添加剤等の接着剤を含む層に相当する。また、封止後に内部への水分等の侵入を防ぐために封止するシート材にシリカコートを行うことが好ましく、例えば、接着層とポリエステル等のフィルムとシリカコートを積層させたシート材を利用することができる。
【００９４】
なお、本実施の形態は、上記実施の形態１〜２と自由に組み合わせて行うことができる。つまり、上記実施の形態で示した材料や形成方法は、本実施の形態でも利用することができるし、本実施の形態で示した材料や形成方法は上記実施の形態でも利用することができる。
【００９５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる半導体装置に関して図面を用いて説明する。具体的には、素子群とアンテナ形成層を別途作製し、素子群とアンテナ形成層とを接続して設ける場合に関して説明する。
【００９６】
アンテナ形成層２０２は、上記実施の形態で示した方法を用いて、基板２０１上にスクリーン印刷法によりアンテナとして機能する導電膜２０３およびダミーパターンとなる導電膜２０４を形成する（図１０（Ａ））。なお、ここでは、ダミーパターンとなる導電膜２０４を設ける例を示したが、上記実施の形態２に示したように、アンテナとして機能する導電膜２０３の最外周の導電膜を選択的に太く形成して設けることも可能である。一方、素子群２１０は、上記実施の形態で示した方法を用いて、基板２１１上に絶縁膜２１２を介して薄膜トランジスタ２１３を設けることによって形成することができる。
【００９７】
次に、基板２１１上に設けられた薄膜トランジスタ２１３と基板２０１上に設けられたアンテナとして機能する導電膜２０３とを電気的に接続するように、基板２０１と基板２１１を貼り合わせる（図１０（Ｂ））。ここでは、接着性を有する樹脂２１５に含まれた導電性粒子２１６を用いることによって、薄膜トランジスタ２１３とアンテナとして機能する導電膜２０３との接続を行う（図１０（Ｃ））。ここでは、導電性微粒子を用いて素子群２１０とアンテナ形成層２０２とを電気的に接続した例を示しているが、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）等の異方性導電性接着剤や半田接合等を用いて接続することも可能である。
【００９８】
基板２０１、２１１としては、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板の一表面に絶縁膜を形成したもの、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板のような可撓性を有する基板を用いるとよい。このような基板であれば、その面積や形状に大きな制限はないため、基板として、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いることによって、生産性を格段に向上させることができる。
【００９９】
以上の工程により、別々に形成された素子群とアンテナ形成層とを貼り合わせることによって形成された半導体装置を得ることができる。なお、図１０では、素子群に薄膜トランジスタを設けた例を示したが、これに限られず素子群にＳｉ等の半導体基板を用いた電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を用いることもできる。この場合に関して、図１１（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。
【０１００】
まず、基板２０１上にスクリーン印刷法を用いて、アンテナとして機能する導電膜２０３およびダミーパターンとなる導電膜２０４を設けることによってアンテナ形成層２０２を形成する。アンテナとして機能する導電膜２０３の形状は、どのように設けてもよく、例えば電磁誘導方式を用いる場合には上記実施の形態で示したようにコイル状に設け、電波方式を用いる場合には適用する電磁波の波長を考慮して導電膜２０３の長さを適宜設定する。また、ダミーパターンとなる導電膜２０４を設けるかわりに、上記実施の形態２で示したように最外周部の導電膜の幅を選択的に広く形成して設けてもよい。
【０１０１】
素子群２１０としては、ここでは基板２１１としてＳｉの単結晶からなる半導体基板を用い、当該半導体基板をチャネル領域として用いた電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）（以下、トランジスタ２２３と記す）を形成することによって設ける。
【０１０２】
アンテナ形成層２０２、素子群２１０をそれぞれ別々に設けた後、基板２１１上に形成されたトランジスタ２２３と基板２１１上に形成されたアンテナとして機能する導電膜２０３とを電気的に接続するように、基板２０１に基板２１１を貼り合わせる（図１１（Ａ））。ここでは、接着性を有する樹脂２１５に含まれた導電性粒子２１６を用いることによって、トランジスタ２２３とアンテナとして機能する導電膜２０３との接続を行う（図１１（Ｂ））。ここでは、導電性微粒子を用いて素子群２１０とアンテナ形成層２０２とを電気的に接続した例を示しているが、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）等の導電性接着剤や半田接合等を用いて接続することも可能である。
【０１０３】
また、可撓性を有する半導体装置を設ける場合には、トランジスタ２２３の基板２１１を研削または研磨することにより薄膜化するとよい。また、図１０において、基板２１１としてガラス基板を用いた場合には、当該ガラス基板２１１を研削または研磨することによって薄膜化するとよい。
【０１０４】
本実施の形態は、上記実施の形態１〜３と自由に組み合わせて行うことができる。例えば、アンテナとして機能する導電膜２０３やダミーパターンとなる導電膜２０４の形状として上記実施の形態１〜３で示したいずれかの構成を組み合わせて用いることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の半導体装置を非接触でデータの送受信が可能であるＲＦＩＤとして利用した場合に関して図１２を用いて説明する。
【０１０５】
ＲＦＩＤ８０は、非接触でデータを交信する機能を有し、電源回路８１、クロック発生回路８２、データ復調回路８３、データ変調回路８４、他の回路を制御する制御回路８５、記憶回路８６およびアンテナ８７を有している（図１２（Ａ））。なお、記憶回路は１つに限定されず、複数であっても良く、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＲＯＭまたはＦｅＲＡＭ等や有機化合物層を記憶素子部に用いたものを用いることができる。
【０１０６】
リーダ／ライタ８８から電波として送られてきた信号は、アンテナ８７において電磁誘導により交流の電気信号に変換される。電源回路８１では、交流の電気信号を用いて電源電圧を生成し、電源配線を用いて各回路へ電源電圧を供給する。クロック発生回路８２は、アンテナ８７から入力された交流信号を基に、各種クロック信号を生成し、制御回路８５に供給する。復調回路８３では、当該交流の電気信号を復調し、制御回路８５に供給する。制御回路８５では、入力された信号に従って各種演算処理を行う。記憶回路８６では、制御回路８５において用いられるプログラムやデータ等が記憶されている他、演算処理時の作業エリアとしても用いることができる。そして、制御回路８５から変調回路８４にデータが送られ、変調回路８４から当該データに従ってアンテナ８７に負荷変調を加えることができる。リーダ／ライタ８８は、アンテナ８７に加えられた負荷変調を電波で受け取ることにより、結果的にデータを読み取ることが可能となる。
【０１０７】
また、ＲＦＩＤは、各回路への電源電圧の供給を電源（バッテリ）を搭載せず電波により行うタイプとしてもよいし、電源（バッテリ）を搭載して電波と電源（バッテリ）により各回路に電源電圧を供給するタイプとしてもよい。
【０１０８】
本発明の半導体装置をＲＦＩＤ等に利用した場合、非接触で通信を行う点、複数読取りが可能である点、データの書き込みが可能である点、様々な形状に加工可能である点、選択する周波数によっては、指向性が広く、認識範囲が広い点等の利点を有する。ＲＦＩＤは、非接触による無線通信で人や物の個々の情報を識別可能なＩＣタグ、ラベル加工を施して目標物への貼り付けを可能としたラベル、イベントやアミューズメント向けのリストバンド等に適用することができる。また、ＲＦＩＤを樹脂材料により成型加工してもよいし、無線通信を阻害する金属に直接固定してもよい。さらに、ＲＦＩＤは、入退室管理システムや精算システムといった、システムの運用に活用することができる。
【０１０９】
次に、半導体装置をＲＦＩＤとして実際に使用するときの一形態について説明する。表示部３２１を含む携帯端末の側面には、リーダ／ライタ３２０が設けられ、品物３２２の側面にはＲＦＩＤ３２３が設けられる（図１２（Ｂ））。品物３２２が含むＲＦＩＤ３２３にリーダ／ライタ３２０をかざすと、表示部３２１に品物の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴等、更に商品の説明等の商品に関する情報が表示される。また、商品３２６をベルトコンベアにより搬送する際に、リーダ／ライタ３２０と、商品３２６に設けられたＲＦＩＤ３２５を用いて、該商品３２６の検品を行うことができる（図１２（Ｃ））。このように、システムにＲＦＩＤを活用することで、情報の取得を簡単に行うことができ、高機能化と高付加価値化を実現する。
【０１１０】
なお、本実施の形態は、上記実施の形態１〜４と自由に組み合わせて行うことができる。
【０１１１】
（実施の形態６）
本発明の半導体装置の用途は広範にわたり、非接触で対象物の履歴等の情報を明確にし、生産・管理等に役立てる商品であればどのようなものにも適用することができる。例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類、包装用容器類、書籍類、記録媒体、身の回り品、乗物類、食品類、衣類、保健用品類、生活用品類、薬品類及び電子機器等に設けて使用することができる。これらの例に関して図１３を用いて説明する。
【０１１２】
紙幣、硬貨とは、市場に流通する金銭であり、特定の地域で貨幣と同じように通用するもの（金券）、記念コイン等を含む。有価証券類とは、小切手、証券、約束手形等を指す（図１３（Ａ）参照）。証書類とは、運転免許証、住民票等を指す（図１３（Ｂ）参照）。無記名債券類とは、切手、おこめ券、各種ギフト券等を指す（図１３（Ｃ）参照）。包装用容器類とは、お弁当等の包装紙、ペットボトル等を指す（図１３（Ｄ）参照）。書籍類とは、書物、本等を指す（図１３（Ｅ）参照）。記録媒体とは、ＤＶＤソフト、ビデオテープ等を指す（図１３（Ｆ）参照）。乗物類とは、自転車等の車両、船舶等を指す（図１３（Ｇ）参照）。身の回り品とは、鞄、眼鏡等を指す（図１３（Ｈ）参照）。食品類とは、食料品、飲料等を指す。衣類とは、衣服、履物等を指す。保健用品類とは、医療器具、健康器具等を指す。生活用品類とは、家具、照明器具等を指す。薬品類とは、医薬品、農薬等を指す。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（テレビ受像機、薄型テレビ受像機）、携帯電話等を指す。
【０１１３】
紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類等にＲＦＩＤを設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、書籍類、記録媒体等、身の回り品、食品類、生活用品類、電子機器等にＲＦＩＤを設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。乗物類、保健用品類、薬品類等にＲＦＩＤを設けることにより、偽造や盗難の防止、薬品類ならば、薬の服用の間違いを防止することができる。ＲＦＩＤの設け方としては、物品の表面に貼ったり、物品に埋め込んだりして設ける。例えば、本ならば紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりするとよい。また、後に光学的作用を加えて書き込み（追記）をする場合には、チップに設けられた記憶素子の部分に光が照射できるように透明な材料で形成しておくことが好ましい。さらに、一度書き込んだデータの書き換えが不可能である記憶素子を用いることによって、効果的に偽造を防止することが可能となる。また、ユーザーが商品を購入した後のプライバシー等の問題についても、ＲＦＩＤに設けられた記憶素子のデータを消去するシステムを設けておくことによって解決することができる。
【０１１４】
このように、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等にＲＦＩＤを設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。また乗物類にＲＦＩＤを設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。また、動物等の生き物に埋め込むことによって、個々の生き物の識別を容易に行うことができる。例えば、家畜等の生き物にセンサを備えたＲＦＩＤを埋め込むことによって、生まれた年や性別または種類等はもちろん現在の体温等の健康状態を容易に管理することが可能となる。
【０１１５】
以上のように、本発明の半導体装置はどのようなものにでも設けて使用することができる。なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。
【０１１６】
なお、本実施の形態は上記実施の形態１〜５と自由に組み合わせて行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の半導体装置の一例を示す図。
【図２】本発明の半導体装置の一例を示す図。
【図３】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図４】本発明の半導体装置の一例を示す図。
【図５】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図６】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図７】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図８】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図９】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１０】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１１】本発明の半導体装置の一例を示す図。
【図１２】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１３】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１４】従来のスクリーン印刷法を用いた半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【符号の説明】
【０１１８】
８０ ＲＦＩＤ
８１ 電源回路
８２ クロック発生回路
８３ 復調回路
８４ 変調回路
８５ 制御回路
８６ 記憶回路
８７ アンテナ
８８ リーダ／ライタ
１０１ 基板
１０２ 素子群
１０３ 導電膜
１０４ 導電膜
１０５ 導電膜
２０１ 基板
２０２ アンテナ形成層
２０３ 導電膜
２０４ 導電膜
２１０ 素子群
２１１ 基板
２１２ 絶縁膜
２１３ 薄膜トランジスタ
２１５ 樹脂
２１６ 導電性粒子
２２３ トランジスタ
３２０ リーダ／ライタ
３２１ 表示部
３２２ 品物
３２３ ＲＦＩＤ
３２５ ＲＦＩＤ
３２６ 商品
７０１ 基板
７０２ 剥離層
７０３ 絶縁膜
７０４ 非晶質半導体膜
７０５ ゲート絶縁膜
７０６ 結晶質半導体膜
７０７ 結晶質半導体膜
７１１ Ｎ型不純物領域
７１２ Ｐ型不純物領域
７１６ 導電膜
７２６ Ｎ型不純物領域
７２７ Ｎ型不純物領域
７３４ 絶縁膜
７３９ 絶縁膜
７４４ 薄膜トランジスタ
７４５ 薄膜トランジスタ
７４９ 絶縁膜
７５０ 絶縁膜
７５１ 絶縁膜
７５２ 導電膜
７６２ 絶縁膜
７６５ 導電膜
７６７ 導電膜
７７２ 絶縁膜
７７３ 開口部
７７５ シート材
７７６ シート材
７７７ シート材
７８０ チャネル形成領域
７８１ チャネル形成領域
７８５ Ｐ型不純物領域
７８６ 導電膜
７８９ 記憶素子部
７９１ 素子形成層
８０１ 枠
８０２ 開口部
８０３ 乳剤
８０４ 金網（メッシュ）
８０５ スキージ
８０６ ペースト
８０７ 部分
８１０ スクリーン印刷版
１０３ａ 導電膜
１０３ｂ 導電膜
１０３ｃ 導電膜
１０４ａ 導電膜
１０４ｂ 導電膜
１０４ｄ 導電膜
７６６ａ 導電膜
８０２ａ 開口部
８０２ｂ 開口部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンテナとして機能する導電膜を備え、非接触でデータの送受信が可能である半導体装置および当該半導体装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、個々の対象物にＩＤ（個体識別番号）を与えることで、その対象物の履歴等の情報を明確にし、生産・管理等に役立てるといった個体認識技術が注目されている。その中でも、非接触でデータの送受信が可能な半導体装置の開発が進められている。このような半導体装置として、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）（ＩＤタグ、ＩＣタグ、ＩＣチップ、ＲＦタグ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）、無線タグ、電子タグ、無線チップともよばれる）等が企業内、市場等で導入され始めている。
【０００３】
現在実用化されているＲＦＩＤ等の半導体装置の多くは、トランジスタ等から構成される回路を有する素子群（ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップとも呼ばれる）とアンテナとして機能する導電膜とを有している。これらの半導体装置は、電磁波によってアンテナを介してリーダ／ライタ間とデータのやりとりを行うことができる。
【０００４】
一般的に上述した半導体装置において、アンテナとして機能する導電膜は、巻き線法、埋め込み法、印刷法、エッチング法またはメッキ法等の方法を用いて形成される。これらの方法の中でも、特にスクリーン印刷法を用いて行う場合には、工程数や必要な装置の数が少なく、製造方法が比較的簡便であるため、製造コストやスループットの面で有利である。
【０００５】
スクリーン印刷法は、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、被印刷物（ここでは、素子群１０２）の上方に、枠８０１内に金網（メッシュ）８０４およびマスク用の乳剤８０３を有し、当該乳剤８０３を選択的に除去して設けられた開口部８０２を有するスクリーン印刷版８１０を用いて、スキージ８０５やローラー等によりペースト８０６を押し出すことによって、被印刷物の表面に所望のパターンを形成する方法である。
【０００６】
このように、スクリーン印刷法は、アンテナとして機能する導電膜はもちろん、これに限られずトランジスタ等に含まれる導電膜や画素電極等の形成工程に広く利用されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開平９−１９７０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、半導体装置の小型化に伴い、アンテナとして機能する導電膜やトランジスタに含まれる導電膜等も微細に設ける必要があるが、スクリーン印刷法により微細な形状の導電膜を形成する場合には、当該導電膜のショートや段切れ等の問題が生じる恐れがある。その問題として様々な原因が考えられるが、その一例として、以下のような原因が考えられる。なお、ここでは、具体例としてアンテナとして機能するコイル状の導電膜を形成する場合の問題点の一例に関して図１４を用いて説明する。
【０００８】
一般的に、スクリーン印刷法を用いて導電膜を設ける場合、図１４（Ｂ）に示すように乳剤８０３に設けられた開口部８０２からペースト８０６がスキージ８０５により押し出されることによって素子群１０２上に所望のパターンの導電膜が形成される。その際、ペースト８０６はスキージ８０５によって特定の方向（ここではＢ→Ａ方向）に沿って移動しながら開口部８０２から押し出されるが、ペースト８０６の移動に伴って当該ペースト８０６の先端に盛り上がる部分８０７（以下、隆起部分８０７と記す）が形成される。
【０００９】
そのため、初めにペースト８０６が押し出される開口部８０２（ここでは図１４における一番右側（Ａ−Ｂ間におけるＢ側）の開口部）においては、隆起部分８０７の存在によりペースト８０６が過剰に押し出されるため、開口部の形状より幅が広い導電膜１０３ａが形成される（図１４（Ｃ））。このように、開口部の形状より幅が広い導電膜が形成された場合には、隣接する導電膜１０３ｂと接触することによりショート等の問題が発生する。一方、導電膜１０３同士の接触を防ぐために開口部同士の間隔を広げて導電膜を設ける場合には、その分だけ微細化が困難となる。また、開口部の幅を狭くしてペーストを押し出した場合には、形成される導電膜の幅が細くなるため段切れ等による断線や通信距離の低下等の問題が発生する。
【００１０】
上記の実情を鑑み、本発明は、スクリーン印刷法等の印刷法を用いて形成された微細な形状のアンテナを有する半導体装置について、歩留まりの低下を抑制した半導体装置の作製方法および当該半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明は以下の手段を講じる。
【００１２】
本発明の半導体装置の作製方法は、基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、素子群の上方に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けてスクリーン印刷版の第２の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第２の導電膜を形成し、第１の導電膜をトランジスタと電気的に絶縁するように形成し、第２の導電膜をトランジスタと電気的に接続するように形成することを特徴としている。つまり、第１の導電膜は、フローティング状態となっており、ダミーパターンとして機能しうるし、素子群との容量を形成することも可能である。
【００１３】
本発明の半導体装置の他の作製方法は、第１の基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、第２の基板の上方に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けてスクリーン印刷版の第２の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第２の導電膜を形成し、第１の導電膜をトランジスタと電気的に絶縁するように形成し、第２の基板上に形成された第２の導電膜とトランジスタとを電気的に接続することを特徴としている。また、トランジスタとアンテナとして機能する第２の導電膜が電気的に接続するように第１の基板と第２の基板とを貼り合わせることも可能である。
【００１４】
また、本発明の半導体装置の他の作製方法は、上記構成において、第１の導電膜およびアンテナとして機能する第２の導電膜を、第１の開口部から押し出されたペーストおよび第２の開口部から押し出されたペーストを焼成することによって形成することを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の半導体装置の他の作製方法は、第１の導電膜の幅をアンテナとして機能する第２の導電膜の幅より広く形成することを特徴としている。
【００１６】
本発明のアンテナの作製方法は、基板上に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けてスクリーン印刷版の第２の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第２の導電膜を形成することを特徴としている。
【００１７】
本発明の半導体装置は、基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、素子群の上方に設けられ且つトランジスタと電気的に絶縁された第１の導電膜と、第１の導電膜に隣接して設けられ且つトランジスタと電気的に接続して設けられたアンテナとして機能する第２の導電膜とを有することを特徴としている。つまり、第１の導電膜は、フローティング状態となっており、ダミーパターンとして機能しうるし、素子群との容量を形成することも可能である。
【００１８】
また、本発明の半導体装置は、基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、素子群の上方に設けられ且つトランジスタと電気的に絶縁された第１の導電膜と、第１の導電膜に隣接して設けられ且つトランジスタと電気的に接続して設けられたアンテナとして機能する第２の導電膜とを有し、第２の導電膜はコイル状に設けられており、第１の導電膜は屈曲して設けられ且つ第１の端部と第２の端部とを有し、第１の端部と第２の端部が接続していないことを特徴としている。
【００１９】
また、本発明の半導体装置は、基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、素子群の上方に設けられ且つトランジスタと電気的に接続したアンテナとして機能するコイル状の導電膜を有し、導電膜のうち、最外周に位置する部分の幅が、内側に位置する部分の幅より広いことを特徴としている。なお、最外周に位置する部分の幅が、内側に位置する部分の幅より広いとは、最外周に位置する導電膜の幅の平均値が、内側に位置する導電膜の幅の平均値より大きいことをいう。
【発明の効果】
【００２０】
微細な形状を有する導電膜等をスクリーン印刷法により形成する際に、ダミーパターンとなる導電膜を形成した後に続けて所望の導電膜を形成することによって、導電膜を均一に形成することができる。その結果、導電膜同士のショートや断線等を防止し、歩留まりを向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。
【００２２】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の半導体装置の一例について図面を参照して説明する。
【００２３】
はじめに、本発明の半導体装置の作製方法の一例に関して図面を参照して以下に説明する。
【００２４】
まず、基板１０１上にトランジスタ等を有する素子群１０２を設ける（図３（Ａ））。
【００２５】
基板１０１は、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板またはステンレスを含む金属基板等を用いることができる。また、Ｓｉ等の半導体基板を用いてもよい。他にも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。可撓性を有する基板を用いることによって、折り曲げが可能である半導体装置を作製することが可能となる。また、このような基板であれば、その面積や形状に大きな制限はないため、基板１０１として、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。このような利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。
【００２６】
素子群１０２は、少なくともトランジスタを含んでおり、当該トランジスタによって、ＣＰＵ、メモリまたはマイクロプロセッサ等のありとあらゆる集積回路を設けることができる。例えば、素子群１０２を構成するトランジスタとしては、ガラスやプラスチック等からなる基板１０１上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成したり、基板１０１としてＳｉ等の半導体基板を用いて当該半導体基板をトランジスタのチャネル領域として用いた電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を形成したりすることによって設けることができる。また、基板１０１としてＳＯＩ基板を用いて当該基板にトランジスタを形成することによって設けることも可能である。なお、ＳＯＩ基板を用いる場合には、Ｓｉウェハの貼り合わせによる方法や酸素イオンをＳｉ基板内に打ち込むことにより内部に絶縁層を形成するＳＩＭＯＸと呼ばれる方法を用いて素子群のトランジスタを形成することができる。
【００２７】
また、薄膜トランジスタを設ける場合には、半導体膜として非晶質半導体または結晶質半導体を用いることができるが、より高い特性を有する薄膜トランジスタを用いる場合には、結晶質半導体を用いた薄膜トランジスタを設けることが好ましい。この場合、スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により非晶質半導体膜を形成し、続いて、非晶質半導体膜を結晶化法（レーザ結晶化、ＲＴＡまたはファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法とレーザ結晶化法を組み合わせた方法等）により結晶化して、結晶質半導体膜を形成する。
【００２８】
また、薄膜トランジスタの構造として、チャネル形成領域が１つ形成されるシングルゲート構造でもよいし、２つ形成されるダブルゲート構造または３つ形成されるトリプルゲート構造等のマルチゲート構造を用いることができる。また、ボトムゲート構造としてもよいし、チャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極を有するデュアルゲート型としてもよい。
【００２９】
次に、素子群１０２上に導電膜１０３および導電膜１０４を形成する。ここでは、スクリーン印刷法を用いて、初めに導電膜１０４を素子群１０２及び導電膜１０３と電気的に絶縁するように形成する（図３（Ｂ））。つまり、導電膜１０４は、フローティング状態となっており、ダミーパターンとして機能しうるし、素子群との容量を形成することも可能である。以下、ダミーパターンとして機能する場合を示す。
【００３０】
具体的には、印刷する方向（スキージ８０５の移動方向（ここではＢ→Ａ））を考慮して、初めにペースト８０６が達する開口部（ここでは開口部８０２ａ）から押し出されて形成される導電膜１０４がダミーパターンとなるように形成する。ペースト８０６としては、導電性のペーストを用いればよい。導電性のペーストとしては、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性粒子を有機樹脂に溶解または分散させたものを用いることができる。導電性粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、珪素樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、導電膜の形成にあたり、ペースト８０６を押し出した後に焼成することが好ましい。例えば、ペーストの材料として、銀を主成分とする微粒子（例えば粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下）を用いる場合、１５０〜３００度の温度範囲で焼成することにより硬化させて導電膜を得ることができる。また、はんだや鉛フリーのはんだを主成分とする微粒子を用いてもよく、この場合は粒径２０μｍ以下の微粒子を用いることが好ましい。はんだや鉛フリーはんだは、低コストであるといった利点を有している。
【００３１】
上述したように、スキージ８０５によって一定の距離を吐出されずに乳剤８０３および金網（メッシュ）８０４上を移動してきたペースト８０６の先端部分には隆起部分８０７が形成されるため、この状態でスクリーン印刷版の開口部から押し出されるペーストは隆起部分８０７の分だけ余分に押し出される。そのため、初めにペースト８０６が到達する開口部８０２ａから押し出されたペーストにより形成される導電膜１０４の幅等は、当該開口部８０２ａの形状より大きく形成される。
【００３２】
そして、ダミーパターンとなる導電膜１０３を形成した後に、続けてスキージ８０５を移動させて開口部８０２ｂからペースト８０６を押し出すことにより導電膜１０３を形成する（図３（Ｃ））。
【００３３】
このように、アンテナとして機能する導電膜１０４を形成する前にダミーパターンとなる導電膜１０４を形成することによって、導電膜１０３を開口部の形状通りに均一に形成することができる。これは、初めにペースト８０６が到達する開口部８０２ａから過剰にペーストが押し出されてペースト８０６の隆起部分８０７が解消または緩和するため、その後に開口部８０２ｂから過剰にペーストが押し出されることを防ぎ開口部８０２ｂの形状通りのパターンを有する導電膜を形成することが可能となるためである。
【００３４】
本実施の形態において、開口部８０２ａの幅ａ１を開口部８０２ｂの幅ａ２より大きくすることによって、ペースト８０６における隆起部分８０７の解消または緩和を向上させることができるため好ましい。この場合、ダミーパターンとなる導電膜１０４の幅ｂ１はアンテナとして機能する導電膜１０３の幅ｂ２より広く形成される。
【００３５】
また、開口部８０２ａと開口部８０２ｂとの間隔をｃ１とし、開口部８０２ｂ同士の間隔をｃ２とした場合、ｃ１をｃ２より大きくすることによりダミーパターンとなる導電膜１０４とアンテナとして機能する導電膜１０３とのショート等を防止することができるため好ましい。この際に、開口部８０２ａの幅ａ１を開口部８０２ｂの幅ａ２より大きくすることによって、より一層ペースト８０６における隆起部分８０７の解消または緩和を向上させ、導電膜１０３と導電膜１０４とのショート等を防止することが可能となる。
【００３６】
半導体装置の小型化及び通信距離の拡大を両立するためには、限られた範囲内でアンテナとして機能する導電膜１０３を形成する必要があり、アンテナをコイル状に設ける場合には、アンテナの巻数を増やすことが有効となる。一方、限られた範囲内でアンテナの巻数を増やすためには、隣接する導電膜１０３同士の間隔を小さくする必要がある。このような場合、上述したようにダミーパターンとなる導電膜１０４を形成した後に導電膜１０３を形成することによって、導電膜１０３を所望の形状に設けることができるため、隣接する導電膜１０３同士の間隔を小さくすることができる。
【００３７】
例えば、様々な商品に半導体装置を搭載する場合、当該半導体装置を０．３ｃｍ角〜２ｃｍ角で設けることが好ましい。半導体装置をこのようなサイズで設ける場合、図３において、好ましくは、隣接する導電膜１０３同士の間隔ｂ３を導電膜１０３の幅ｂ２の半分の値（ｂ２×０．５）より小さく、より好ましくは、隣接する導電膜１０３同士の間隔ｂ３を導電膜１０３の幅ｂ２の１／４倍した値（ｂ２×０．２５）より小さく設けるとよい。具体的には、導電膜１０３の幅ｂ２を５０μｍ以上４００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以上３００μｍ以下で設ける。また、隣接する導電膜１０３同士の間隔ｂ３は上記した条件を満たすように設ければよく、例えば導電膜の幅ｂ２を２００μｍで設けた場合には、隣接する導電膜１０３同士の間隔ｂ３を１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下に設ける。
【００３８】
また、ペースト８０６を押し出して導電膜１０３を形成した後に、隣接する導電膜１０３同士の接触を防止するため、隣接する導電膜１０３同士の間隔ｂ３は、導電膜１０３の膜厚ｂ４より大きくすることが好ましい。例えば、導電膜１０３の膜厚を２０μｍで設けた場合には、隣接する導電膜１０３同士の間隔ｂ３を２０μｍ以上となるように設けることが好ましい。なお、導電膜１０３の膜厚ｂ４は、当該導電膜１０３の断面における膜厚の平均値をいう。
【００３９】
上述したように設けることによって、限られた範囲内にアンテナとして機能する導電膜１０３を設けることが可能となり、半導体装置の小型化及び通信距離の拡大を達成することができる。
【００４０】
以上のように、初めにダミーパターンとなる導電膜１０４を形成してペースト８０６の隆起部分８０７を意図的に印刷させることによって、アンテナとして機能する導電膜１０３を均一に形成することができる。なお、図３では、導電膜１０４をダミーパターンとして設けた例を示したが、導電膜１０４と素子群１０２との間に容量を形成することも可能である。
【００４１】
次に、本発明の半導体装置の一例に関して図面を参照して以下に説明する。
【００４２】
本発明の半導体装置は、少なくとも基板１０１上に設けられた素子群１０２と当該素子群１０２上に設けられたアンテナとして機能する導電膜１０３とダミーパターンとして設けられた導電膜１０４とを有している（図１（Ａ））。素子群１０２はトランジスタを有しており、アンテナとして機能する導電膜１０３は素子群１０２に含まれるいずれかのトランジスタと電気的に接続している。電気的な接続は、どのように行ってもよく、例えば、トランジスタと電気的に接続した配線を一部露出させ、当該配線上に導電膜１０３を形成することによって行うことができる。一方、ダミーパターンとして設けられた導電膜１０４は、アンテナとして機能する導電膜１０３の周辺に配置されており、素子群１０２に含まれるトランジスタとは電気的に接続しないように設けられている。また、導電膜１０３と導電膜１０４は同一の材料を用いて設けられている。なお、図１（Ａ）に示す構造においては、上述した作製方法において、Ｘ軸上右→左方向に沿って印刷を行うとよい。
【００４３】
導電膜１０３は、アンテナとして機能するのであればどのような形状で設けても構わない。例えば、図１に示すように、導電膜１０３をコイル状に設けることによって、電磁誘導方式を用いて非接触でデータの送受信が可能な半導体装置を得ることができる。
【００４４】
導電膜１０４は、導電膜１０３に隣接するように配置すればどのような形状で設けても構わない。ただし、Ｘ軸方向またはＹ軸方向と平行となるようにダミーパターンとなる導電膜１０４を設ける場合には、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に平行な辺における導電膜１０３の最大長より長くなるように設けることが好ましい。例えば、図１（Ａ）に示すように、導電膜１０３の配置を矩形状に設け、導電膜１０４を４辺のうちの１辺（例えば、図１（Ａ）においては右辺）に隣接するように設けた場合、当該導電膜１０３の１辺の長さより導電膜１０４を長く設けることが好ましい。
【００４５】
また、ダミーパターンとなる導電膜の形状としては、図１（Ａ）に示したように線状に限らず、導電膜１０４ａをコの字形状等の屈曲させた形状（図１（Ｃ））や曲線状等に設けることもできる。また、ダミーパターンとなる導電膜は、単数に限らず複数の導電膜１０４ｂを設けることも可能である（図１（Ｄ））。なお、図１（Ｃ）に示す構造においては、上述した作製方法において、印刷方向がＸ軸上の左→右方向、Ｙ軸上の上→下方向またはＹ軸上の下→上方向のいずれかの方向で行うとよい。図１（Ｄ）に示す構造においては、Ｘ軸上の右→左方向に沿って印刷を行うとよい。
【００４６】
ただし、アンテナとして機能する導電膜１０３をコイル状に設けた場合に、導電膜１０４の形状として環状としない（非環状）ように設けることが好ましい。これはアンテナとして機能する導電膜１０３の周囲に当該導電膜１０３を囲むように導電膜１０４を設けた場合（図２（Ａ））、電磁誘導方式を用いてデータの送受信を行う際に通信距離の低下等の問題が懸念されるためである。非環状に設ける場合、例えば、図１（Ｃ）において、屈曲させた形状の導電膜１０４ａの両端部が接続しないように設ける。
【００４７】
例えば、図２（Ｂ）に示すように、導電膜１０３や導電膜１０４に囲まれた領域で磁界が発生すると（図２（Ｂ）においては紙面上→下方向）、導電膜１０３および導電膜１０４には発生した磁界を打ち消すように電流が生じる。具体的には、図２（Ｂ）に示すように、例えば、半導体装置にリーダ／ライタから電磁波が送られてきた場合（ここでは基板１０１の上方から下方に向かって磁界が発生した場合）、半導体装置はアンテナとして機能する導電膜１０３を介して素子群１０２に含まれるトランジスタ等に電源電圧や信号を供給する。一方、ダミーパターンとなる導電膜１０４にも電流が流れるが、この電流によってリーダ／ライタから送られてきた電磁波を打ち消すように磁界（基板１０１の下方から上方に向かって生じる磁界）が発生する。その結果、リーダ／ライタから送られてくる磁界がダミーパターンとなる導電膜１０４によって発生した磁界に打ち消されることによって、通信距離が低下するといった問題が生じる。そのため、ダミーパターンとなる導電膜１０４は環状としないように設けることが好ましい。
【００４８】
例えば、図１（Ｃ）に示すように、導電膜１０４ａが２つの端部を有するように設け、当該２つの端部が電気的に接続しないように設ける。
【００４９】
なお、本実施の形態では、一つのアンテナとして機能する導電膜１０３を形成する場合を示したが、本実施の形態はこれに限られない。例えば、複数のアンテナのパターンが形成されたスクリーン印刷版の開口部からペーストを連続して押し出して、アンテナとして機能する導電膜１０３を複数連続して形成する場合、複数のアンテナ毎に上述したダミーパターンを設けることができる。また、複数のアンテナのうち、初めにペーストが押し出されるアンテナのパターンの前にダミーパターンを設けてもよいし、複数のアンテナのうち一定の間隔毎にダミーパターンを設けてもよい。また、素子群上にアンテナを複数形成した場合、ダイシング法やスクライビング法等により選択的に分断して、それぞれアンテナを一つ有する複数の半導体装置を得ることができる。他にもレーザ光を照射することによって分断してもよい。この場合、複数のアンテナ毎にダミーパターンを設けた場合には、分断されて形成された複数の半導体装置の各々にダミーパターンが残存する場合がある。
【００５０】
以上のように、アンテナとして機能する導電膜を形成する前にダミーパターンとなる導電膜を設けることによって、均一な導電膜を形成することが可能となる。その結果、半導体装置の作製方法において、歩留まりの向上を達成することができる。なお、本実施の形態では、アンテナとして機能する導電膜に関して説明を行ったが、スクリーン印刷法によりトランジスタの配線パターン等の導電膜を形成する場合には同様に適用することができる。
【００５１】
（実施の形態２）
本実施の形態は、本発明の半導体装置について上記実施の形態とは異なる構造に関して図面を参照して説明する。
【００５２】
本実施の形態で示す半導体装置では、アンテナとして機能する導電膜１０３において、当該導電膜１０３をコイル状に設けた場合に最外周部分（導電膜１０３において最も外側に形成された部分）に位置する導電膜の平均の幅をその内側に形成された導電膜の平均の幅より広くなるように設けた導電膜１０５を形成する（図４（Ａ）、（Ｂ））。なお、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＡ−Ｂ間における断面の模式図を示している。
【００５３】
また、最外周部分に位置する導電膜１０３の全てをその内側に形成された導電膜の幅より大きく設けてもよいし、最外周部分に位置する導電膜１０３の一部をその内側に形成された導電膜の幅より大きく設けてもよい。つまり、導電膜１０３の最外周部分に位置する導電膜の幅の平均値をその内側に形成された導電膜の幅の平均値より大きくなるように設ければよい。ただし、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に平行な辺における導電膜１０３の最大長より長くなるように、導電膜１０５を設けることが好ましい。例えば、図４（Ｃ）に示すように、導電膜１０３の配置を矩形状に設けた場合には、少なくとも４辺のうち１辺における導電膜１０３おいて、内側に形成される導電膜の幅より大きく導電膜１０３ｃを設けることが好ましい。
【００５４】
また、導電膜１０３は、上記実施の形態１で示したようにスクリーン印刷法を用いて形成することができる。スクリーン印刷法を用いて形成する場合には、導電膜１０３の最外周部に位置する導電膜１０４を形成した後に、その内側に位置する導電膜を形成する。これは、あらかじめ導電膜１０４を形成することによって、上記図３におけるペースト８０６の隆起部分８０７を解消または緩和させることが可能となり、その結果内側に設けられた導電膜を均一に形成することができる。
【００５５】
また、アンテナとして機能する導電膜１０３の最外周部分に位置する導電膜１０３ｂをその内側に位置する導電膜から離して設けることも可能である（図４（Ｄ））。具体的には、最外周部分に位置する導電膜の少なくとも一部を内側に設けられた導電膜から間隔をあけて設ける。間隔をどの程度あけるかは実施者が適宜選択して決定すればよいが、最外周部分に位置する導電膜の内側に形成された導電膜同士の間隔よりあけることが好ましい。
【００５６】
なお、図４に示した構造を上記実施の形態１に示した作製方法を用いて形成する場合、図４（Ｃ）に示す構造おいては、Ｘ軸上の左→右方向に沿って印刷を行うとよい。また、図４（Ｄ）に示す構造においては、Ｘ軸上の左→右方向、Ｙ軸上の上→下方向またはＸ軸およびＹ軸上の左斜め上→右斜め下方向に沿って印刷を行うとよい。
【００５７】
このように、スクリーン印刷法を用いてアンテナとして機能する導電膜１０３を形成する際、導電膜１０３の最外周部分に位置する導電膜の少なくとも一部をその内側に位置する導電膜の幅より広く形成するか離して形成することにより、上記実施の形態１で示したダミーパターンと同様の役割をはたすため、導電膜同士の接触によるショート等を抑制し、歩留まりの低下を防止することができる。
【００５８】
なお、本実施の形態は上記実施の形態１と自由に組み合わせて行うことができる。
【００５９】
（実施の形態３）
本実施の形態では、薄膜トランジスタおよびアンテナを含む本発明の半導体装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。
【００６０】
まず、基板７０１の表面に剥離層７０２を形成し、その後当該剥離層７０２上に絶縁膜７０３を介して非晶質半導体膜７０４（例えば非晶質珪素を含む膜）を形成する（図５（Ａ））。
【００６１】
基板７０１は、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板の一表面に絶縁膜を形成したもの、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用いるとよい。このような基板７０１であれば、その面積や形状に大きな制限はないため、基板７０１として、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いることによって、生産性を格段に向上させることができる。このような利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。なお、本工程では、剥離層７０２は、基板７０１の全面に設けているが、必要に応じて、基板７０１の全面に剥離層を設けた後に、フォトリソグラフィ法によりエッチングして、選択的に設けてもよい。また、基板７０１に接するように剥離層７０２を形成しているが、必要に応じて、基板７０１に接するように下地となる絶縁膜を形成し、当該絶縁膜に接するように剥離層７０２を形成してもよい。
【００６２】
剥離層７０２は、金属膜や金属膜と金属酸化膜の積層構造等を用いることができる。金属膜としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる膜を単層又は積層して形成する。また、これらの材料は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ等法を用いて形成することができる。金属膜と金属酸化膜の積層構造としては、上述した金属膜を形成した後に、酸素雰囲気化におけるプラズマ処理、酸素雰囲気化における加熱処理を行うことによって、金属膜表面に当該金属膜の酸化物を設けることができる。例えば、金属膜としてスパッタ法により形成したタングステン膜を設けた場合、タングステン膜にプラズマ処理を行うことによって、タングステン膜表面にタングステン酸化物からなる金属酸化膜を形成することができる。また、この場合、タングステンの酸化物は、ＷＯｘで表され、Ｘは２〜３であり、Ｘが２の場合（ＷＯ２）、Ｘが２．５の場合（Ｗ２Ｏ５）、Ｘが２．７５の場合（Ｗ４Ｏ１１）、Ｘが３の場合（ＷＯ３）などがある。タングステンの酸化物を形成するにあたり、上記に挙げたＸの値に特に制約はなく、エッチングレート等を基に、どの酸化物を形成するかを決めるとよい。また、プラズマ処理の条件として、例えば、高周波（マイクロ波等）を用いて高密度（好ましくは、１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下）、且つ低電子温度（好ましくは０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下）の条件下（以下、「高密度プラズマ」とも記す）で行うことにより、金属膜表面に酸化膜を形成することも可能である。また、金属酸化膜の他にも、金属窒化物や金属酸化窒化物を用いてもよい。この場合、金属膜に窒素雰囲気下または窒素と酸素雰囲気下でプラズマ処理や加熱処理を行えばよい。プラズマ処理の条件としては、上記と同様にして行うことが可能である。
【００６３】
絶縁膜７０３は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等により、珪素の酸化物または珪素の窒化物を含む膜を、単層又は積層で形成する。下地となる絶縁膜が２層構造の場合、例えば、１層目として窒化酸化珪素膜を形成し、２層目として酸化窒化珪素膜を形成するとよい。下地となる絶縁膜が３層構造の場合、１層目の絶縁膜として酸化珪素膜を形成し、２層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を形成し、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成するとよい。または、１層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成し、２層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を形成し、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成するとよい。下地となる絶縁膜は、基板７０１からの不純物の侵入を防止するブロッキング膜として機能する。
【００６４】
非晶質半導体膜７０４は、スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により、２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１５０ｎｍ）の厚さで形成する。
【００６５】
次に、非晶質半導体膜７０４を結晶化法（レーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法とレーザ結晶化法を組み合わせた方法等）により結晶化して、結晶質半導体膜を形成する。その後、得られた結晶質半導体膜を所望の形状にエッチングして、結晶質半導体膜７０６〜７１０を形成する（図５（Ｂ））。
【００６６】
結晶質半導体膜７０６〜７１０の作製工程の一例を以下に簡単に説明すると、まず、プラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚６６ｎｍの非晶質半導体膜を形成する。次に、結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半導体膜上に保持させた後、非晶質半導体膜に脱水素化の処理（５００℃、１時間）と、熱結晶化の処理（５５０℃、４時間）を行って結晶質半導体膜を形成する。その後、必要に応じてレーザ光を照射し、フォトリソグラフィ法を用いることによって結晶質半導体膜７０６〜７１０を選択的に形成する。
【００６７】
連続発振型のレーザビーム（ＣＷレーザビーム）やパルス発振型のレーザビーム（パルスレーザビーム）を用いることができる。ここで用いることができるレーザビームは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザビームの基本波、及びこれらの基本波の第２高調波から第４高調波のレーザビームを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザのエネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。なお、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、Ａｒイオンレーザ、またはＴｉ：サファイアレーザは、連続発振をさせることが可能であり、Ｑスイッチ動作やモード同期などを行うことによって１０ＭＨｚ以上の発振周波数でパルス発振をさせることも可能である。１０ＭＨｚ以上の発振周波数でレーザビームを発振させると、半導体膜がレーザによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射される。従って、発振周波数が低いパルスレーザを用いる場合と異なり、半導体膜中において固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。
【００６８】
また、結晶化を助長する金属元素を用いて非晶質半導体膜の結晶化を行うと、低温で短時間の結晶化が可能となるうえ、結晶の方向が揃うという利点がある一方、金属元素が結晶質半導体膜に残存するためにオフ電流が上昇し、特性が安定しないという欠点がある。そこで、結晶質半導体膜上に、ゲッタリングサイトとして機能する非晶質半導体膜を形成するとよい。ゲッタリングサイトとなる非晶質半導体膜には、リンやアルゴンの不純物元素を含有させる必要があるため、好適には、アルゴンを高濃度に含有させることが可能なスパッタ法で形成するとよい。その後、加熱処理（ＲＴＡ法やファーネスアニール炉を用いた熱アニール等）を行って、非晶質半導体膜中に金属元素を拡散させ、続いて、当該金属元素を含む非晶質半導体膜を除去する。そうすると、結晶質半導体膜中の金属元素の含有量を低減又は除去することができる。
【００６９】
次に、結晶質半導体膜７０６〜７１０を覆うゲート絶縁膜７０５を形成する。ゲート絶縁膜７０５は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により、珪素の酸化物又は珪素の窒化物を含む膜を、単層又は積層して形成する。具体的には、酸化珪素を含む膜、酸化窒化珪素を含む膜、窒化酸化珪素を含む膜を、単層又は積層して形成する。
【００７０】
また、ゲート絶縁膜７０５は、結晶質半導体膜７０６〜７１０に対し前述の高密度プラズマ処理を行い、表面を酸化又は窒化することで形成しても良い。例えば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスと、酸素、酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア、窒素、水素などの混合ガスを導入したプラズマ処理で形成する。この場合のプラズマの励起は、マイクロ波の導入により行うと、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。この高密度プラズマで生成された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジカル（ＮＨラジカルを含む場合もある）によって、半導体膜の表面を酸化又は窒化することができる。
【００７１】
このような高密度プラズマを用いた処理により、１〜２０ｎｍ、代表的には５〜１０ｎｍの絶縁膜が半導体膜に形成される。この場合の反応は、固相反応であるため、当該絶縁膜と半導体膜との界面準位密度はきわめて低くすることができる。このような、高密度プラズマ処理は、半導体膜（結晶性シリコン、或いは多結晶シリコン）を直接酸化（若しくは窒化）するため、形成される絶縁膜の厚さは理想的には、ばらつきをきわめて小さくすることができる。加えて、結晶性シリコンの結晶粒界でも酸化が強くされることがないため、非常に好ましい状態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で半導体膜の表面を固相酸化することにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、均一性が良く、界面準位密度が低い絶縁膜を形成することができる。
【００７２】
ゲート絶縁膜は、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁膜のみを用いても良いし、それにプラズマや熱反応を利用したＣＶＤ法で酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁膜を堆積し、積層させても良い。いずれにしても、高密度プラズマで形成した絶縁膜をゲート絶縁膜の一部又は全部に含んで形成されるトランジスタは、特性のばらつきを小さくすることができる。
【００７３】
また、半導体膜に対し、連続発振レーザ若しくは１０ＭＨｚ以上の周波数で発振するレーザビームを照射しながら一方向に走査して結晶化させて得られた結晶質半導体膜７０６〜７１０は、そのビームの走査方向に結晶が成長する特性がある。その走査方向をチャネル長方向（チャネル形成領域が形成されたときにキャリアが流れる方向）に合わせてトランジスタを配置し、上記ゲート絶縁層を組み合わせることで、特性ばらつきが小さく、しかも電界効果移動度が高いトランジスタ（ＴＦＴ）を得ることができる。
【００７４】
次に、ゲート絶縁膜７０５上に、第１の導電膜と第２の導電膜とを積層して形成する。第１の導電膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、２０〜１００ｎｍの厚さで形成する。第２の導電膜は、１００〜４００ｎｍの厚さで形成する。第１の導電膜と第２の導電膜は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成する。または、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料により形成する。第１の導電膜と第２の導電膜の組み合わせの例を挙げると、窒化タンタル（ＴａＮ）膜とタングステン（Ｗ）膜、窒化タングステン（ＷＮ）膜とタングステン膜、窒化モリブデン（ＭｏＮ）膜とモリブデン（Ｍｏ）膜等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは、耐熱性が高いため、第１の導電膜と第２の導電膜を形成した後に、熱活性化を目的とした加熱処理を行うことができる。また、２層構造ではなく、３層構造の場合は、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブデン膜の積層構造を採用するとよい。
【００７５】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスクを形成し、ゲート電極とゲート線を形成するためのエッチング処理を行って、ゲート電極として機能する導電膜（ゲート電極とよぶことがある）７１６〜７２５を形成する。
【００７６】
次に、フォトリソグラフィ法により、レジストからなるマスクを形成して、結晶質半導体膜７０６、７０８〜７１０に、イオンドープ法又はイオン注入法により、Ｎ型を付与する不純物元素を低濃度に添加して、Ｎ型不純物領域７１１、７１３〜７１５とチャネル形成領域７８０、７８２〜７８４を形成する。Ｎ型を付与する不純物元素は、１５族に属する元素を用いれば良く、例えばリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）を用いる。
【００７７】
次に、フォトリソグラフィ法によりレジストからなるマスクを形成して、結晶質半導体膜７０７に、Ｐ型を付与する不純物元素を添加して、Ｐ型不純物領域７１２とチャネル形成領域７８１を形成する。Ｐ型を付与する不純物元素は、例えばボロン（Ｂ）を用いる。
【００７８】
次に、ゲート絶縁膜７０５と導電膜７１６〜７２５を覆うように、絶縁膜を形成する。絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により、珪素、珪素の酸化物又は珪素の窒化物の無機材料を含む膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層又は積層して形成する。次に、絶縁膜を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッチングして、導電膜７１６〜７２５の側面に接する絶縁膜（サイドウォールともよばれる）７３９〜７４３を形成する（図５（Ｃ））。また、絶縁膜７３９〜７４３の作製と同時に、ゲート絶縁膜７０５がエッチングされた絶縁膜７３４〜７３８を形成する。絶縁膜７３９〜７４３は、後にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。
【００７９】
次に、フォトリソグラフィ法により形成したレジストからなるマスクと、絶縁膜７３９〜７４３をマスクとして用いて、結晶質半導体膜７０６、７０８〜７１０にＮ型を付与する不純物元素を添加して、第１のＮ型不純物領域（ＬＤＤ領域ともよぶ）７２７、７２９、７３１、７３３と、第２のＮ型不純物領域７２６、７２８、７３０、７３２とを形成する。第１のＮ型不純物領域７２７、７２９、７３１、７３３が含む不純物元素の濃度は、第２のＮ型不純物領域７２６、７２８、７３０、７３２の不純物元素の濃度よりも低い。上記工程を経て、Ｎ型の薄膜トランジスタ７４４、７４６〜７４８と、Ｐ型の薄膜トランジスタ７４５が完成する。
【００８０】
なお、ＬＤＤ領域を形成するためには、サイドウォールの絶縁膜をマスクとして用いる手法がある。サイドウォールの絶縁膜をマスクとして用いることによって、ＬＤＤ領域の幅の制御が容易であり、また、ＬＤＤ領域を確実に形成することができる。
【００８１】
続いて、薄膜トランジスタ７４４〜７４８を覆うように、絶縁膜を単層又は積層して形成する（図６（Ａ））。薄膜トランジスタ７４４〜７４８を覆う絶縁膜は、ＳＯＧ法、液滴吐出法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ、シロキサン等の有機材料等により、単層又は積層で形成する。シロキサン系の材料とは、例えば、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む物質、又は、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基にフッ素、アルキル基、芳香族炭化水素の少なくとも１つを含む物質に相当する。例えば、薄膜トランジスタ７４４〜７４８を覆う絶縁膜が３層構造の場合、１層目の絶縁膜７４９として酸化珪素を含む膜を形成し、２層目の絶縁膜７５０として樹脂を含む膜を形成し、３層目の絶縁膜７５１として窒化珪素を含む膜を形成するとよい。
【００８２】
なお、絶縁膜７４９〜７５１を形成する前、又は絶縁膜７４９〜７５１のうちの１つ又は複数の薄膜を形成した後に、半導体膜の結晶性の回復や半導体膜に添加された不純物元素の活性化、半導体膜の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい。加熱処理には、熱アニール、レーザアニール法又はＲＴＡ法などを適用するとよい。
【００８３】
次に、フォトリソグラフィ法により絶縁膜７４９〜７５１をエッチングして、Ｎ型不純物領域７２６、７２８〜７３２、Ｐ型不純物領域７８５を露出させるコンタクトホールを形成する。続いて、コンタクトホールを充填するように、導電膜を形成し、当該導電膜をパターン加工して、ソース配線又はドレイン配線として機能する導電膜７５２〜７６１を形成する。
【００８４】
導電膜７５２〜７６１は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ネオジウム（Ｎｄ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料に相当する。導電膜７５２〜７６１は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜７５２〜７６１を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとることができる。
【００８５】
次に、導電膜７５２〜７６１を覆うように、絶縁膜７６２を形成する（図６（Ｂ））。絶縁膜７６２は、ＳＯＧ法、液滴吐出法等を用いて、無機材料又は有機材料により、単層又は積層で形成する。また、絶縁膜７６２は、好適には、０．７５μｍ〜３μｍの厚さで形成する。
【００８６】
続いて、フォトリソグラフィ法により絶縁膜７６２をエッチングして、導電膜７５２を露出させるコンタクトホールを形成する。続いて、コンタクトホールを充填するように、導電膜を形成する。導電膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、導電性材料により形成する。次に、導電膜をパターン加工して、導電膜７６５を形成する。なお、導電膜７６５は、アンテナとして機能する導電膜との接続部分となる。従って、好適には、導電膜７６５は、チタン、又はチタンを主成分とする合金材料若しくは化合物材料により、単層又は積層で形成するとよい。また、導電膜７６５を形成するためのフォトリソグラフィ工程においては、下層の薄膜トランジスタ７４４〜７４８にダメージを与えないために、ウエットエッチング加工を行うとよく、エッチング剤にはフッ化水素（ＨＦ）又はアンモニア過水を用いるとよい。
【００８７】
次に、導電膜７６５に接し、アンテナとして機能する導電膜７６６ａ〜７６６ｄおよびダミーパターンとして機能する導電膜７６７を形成する（図７（Ａ））。導電膜７６６ａ〜７６６ｄおよび導電膜７６７は、上記実施の形態で示したようにスクリーン印刷法を用いて形成する。ここでは、銀（Ａｇ）を含むペーストを用いて形成し、その後５０〜３５０度の加熱処理を行って形成する。また、上記工程において導電膜７６５を形成せずに、直接導電膜７５２を露出させるコンタクトホールに導電膜７６６ａを設けることもできる。
【００８８】
次に、アンテナとして機能する導電膜７６６ａ〜７６６ｄおよび導電膜７６７を覆うように、ＳＯＧ法、液滴吐出法等により、保護膜として機能する絶縁膜７７２を形成する（図７（Ｂ））。絶縁膜７７２は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）などの炭素を含む膜、窒化珪素を含む膜、窒化酸化珪素を含む膜、有機材料により形成し、好ましくはエポキシ樹脂により形成する。
【００８９】
次に、基板７０１から素子形成層７９１の剥離を行う。素子形成層７９１の剥離は、素子形成層７９１に選択的にレーザ光を照射して開口部７７３、７７４を形成後（図８（Ａ））、物理的な力を用いて行う。また、他の方法として開口部７７３、７７４を形成して剥離層７０２を露出させた後エッチング剤を導入することによって、剥離層７０２を除去した後に剥離を行ってもよい（図８（Ｂ））。エッチング剤は、フッ化ハロゲンまたはハロゲン間化合物を含む気体又は液体を使用する。例えば、フッ化ハロゲンを含む気体として三フッ化塩素（ＣｌＦ３）を使用する。そうすると、素子形成層７９１は、基板７０１から剥離された状態となる。なお、素子形成層７９１とは、ここでは、薄膜トランジスタ７４４〜７４８、記憶素子部７８９、７９０の素子群と、アンテナとして機能する導電膜７８６を合わせたものとする。なお、剥離層７０２は、全て除去せず一部分を残存させてもよい。こうすることによって、エッチング剤の消費量を抑え剥離層の除去に要する処理時間を短縮することが可能となる。また、剥離層７０２の除去を行った後にも、基板７０１上に素子形成層７９１を保持しておくことが可能となる。
【００９０】
素子形成層７９１が剥離された基板７０１は、コストの削減のために、再利用するとよい。また、絶縁膜７７２は、剥離層７０２を除去した後に、素子形成層７９１が飛散しないように形成したものである。素子形成層７９１は小さく薄く軽いために、剥離層７０２を除去した後は、基板７０１に密着していないために飛散しやすい。しかしながら、素子形成層７９１上に絶縁膜７７２を形成することで、素子形成層７９１に重みが付き、基板７０１からの飛散を防止することができる。また、素子形成層７９１単体では薄くて軽いが、絶縁膜７７２を形成することで、基板７０１から剥離した素子形成層７９１が応力等により巻かれた形状になることがなく、ある程度の強度を確保することができる。
【００９１】
次に、素子形成層７９１の一方の面を、第１のシート材７７５に接着させて基板７０１から完全に剥離する（図９（Ａ））。剥離層７０２を全て除去せず一部を残した場合には、物理的手段を用いて基板７０１から素子形成層を剥離する。続いて、素子形成層７９１の他方の面に、第２のシート材７７６を設け、その後加熱処理と加圧処理の一方または両方を行って、第２のシート材７７６を貼り合わせる。また、第２のシート材７７６を設けると同時または設けた後に第１のシート材７７５を剥離し、代わりに第３のシート材７７７を設ける。そして、加熱処理と加圧処理の一方または両方を行って、第３のシート材７７７を貼り合わせる。そうすると、第２のシート材７７６と第３のシート材７７７により封止された半導体装置が完成する（図９（Ｂ））。
【００９２】
なお、第１のシート材７７５と第２のシート材７７６によって封止を行っても良いが、基板７０１から素子形成層７９１を剥離するためのシート材と素子形成層７９１を封止するためのシート材に異なるシート材を用いる場合には、上述したように、第２のシート材７７６と第３のシート材７７７で素子形成層７９１を封止する。これは、例えば、基板７０１から素子形成層７９１を剥離する際に、第１のシート材７７５が素子形成層７９１のみならず基板７０１への接着が懸念される場合等、粘着力が弱いシート材を利用したいときに有効となる。
【００９３】
封止に用いる第２のシート材７７６、第３のシート材７７７として、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなるフィルム、繊維質な材料からなる紙、基材フィルム（ポリエステル、ポリアミド、無機蒸着フィルム、紙類等）と接着性合成樹脂フィルム（アクリル系合成樹脂、エポキシ系合成樹脂等）との積層フィルム等を利用することができる。また、フィルムは、被処理体と加熱処理と加圧処理が行われるものであり、加熱処理と加圧処理を行う際には、フィルムの最表面に設けられた接着層か、又は最外層に設けられた層（接着層ではない）を加熱処理によって溶かし、加圧により接着する。また、第２のシート材７７６と第３のシート材７７７の表面には接着層が設けられていてもよいし、接着層が設けられていなくてもよい。接着層は、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤、樹脂添加剤等の接着剤を含む層に相当する。また、封止後に内部への水分等の侵入を防ぐために封止するシート材にシリカコートを行うことが好ましく、例えば、接着層とポリエステル等のフィルムとシリカコートを積層させたシート材を利用することができる。
【００９４】
なお、本実施の形態は、上記実施の形態１〜２と自由に組み合わせて行うことができる。つまり、上記実施の形態で示した材料や形成方法は、本実施の形態でも利用することができるし、本実施の形態で示した材料や形成方法は上記実施の形態でも利用することができる。
【００９５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる半導体装置に関して図面を用いて説明する。具体的には、素子群とアンテナ形成層を別途作製し、素子群とアンテナ形成層とを接続して設ける場合に関して説明する。
【００９６】
アンテナ形成層２０２は、上記実施の形態で示した方法を用いて、基板２０１上にスクリーン印刷法によりアンテナとして機能する導電膜２０３およびダミーパターンとなる導電膜２０４を形成する（図１０（Ａ））。なお、ここでは、ダミーパターンとなる導電膜２０４を設ける例を示したが、上記実施の形態２に示したように、アンテナとして機能する導電膜２０３の最外周の導電膜を選択的に太く形成して設けることも可能である。一方、素子群２１０は、上記実施の形態で示した方法を用いて、基板２１１上に絶縁膜２１２を介して薄膜トランジスタ２１３を設けることによって形成することができる。
【００９７】
次に、基板２１１上に設けられた薄膜トランジスタ２１３と基板２０１上に設けられたアンテナとして機能する導電膜２０３とを電気的に接続するように、基板２０１と基板２１１を貼り合わせる（図１０（Ｂ））。ここでは、接着性を有する樹脂２１５に含まれた導電性粒子２１６を用いることによって、薄膜トランジスタ２１３とアンテナとして機能する導電膜２０３との接続を行う（図１０（Ｃ））。ここでは、導電性微粒子を用いて素子群２１０とアンテナ形成層２０２とを電気的に接続した例を示しているが、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）等の異方性導電性接着剤や半田接合等を用いて接続することも可能である。
【００９８】
基板２０１、２１１としては、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板の一表面に絶縁膜を形成したもの、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板のような可撓性を有する基板を用いるとよい。このような基板であれば、その面積や形状に大きな制限はないため、基板として、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いることによって、生産性を格段に向上させることができる。
【００９９】
以上の工程により、別々に形成された素子群とアンテナ形成層とを貼り合わせることによって形成された半導体装置を得ることができる。なお、図１０では、素子群に薄膜トランジスタを設けた例を示したが、これに限られず素子群にＳｉ等の半導体基板を用いた電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を用いることもできる。この場合に関して、図１１（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。
【０１００】
まず、基板２０１上にスクリーン印刷法を用いて、アンテナとして機能する導電膜２０３およびダミーパターンとなる導電膜２０４を設けることによってアンテナ形成層２０２を形成する。アンテナとして機能する導電膜２０３の形状は、どのように設けてもよく、例えば電磁誘導方式を用いる場合には上記実施の形態で示したようにコイル状に設け、電波方式を用いる場合には適用する電磁波の波長を考慮して導電膜２０３の長さを適宜設定する。また、ダミーパターンとなる導電膜２０４を設けるかわりに、上記実施の形態２で示したように最外周部の導電膜の幅を選択的に広く形成して設けてもよい。
【０１０１】
素子群２１０としては、ここでは基板２１１としてＳｉの単結晶からなる半導体基板を用い、当該半導体基板をチャネル領域として用いた電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）（以下、トランジスタ２２３と記す）を形成することによって設ける。
【０１０２】
アンテナ形成層２０２、素子群２１０をそれぞれ別々に設けた後、基板２１１上に形成されたトランジスタ２２３と基板２１１上に形成されたアンテナとして機能する導電膜２０３とを電気的に接続するように、基板２０１に基板２１１を貼り合わせる（図１１（Ａ））。ここでは、接着性を有する樹脂２１５に含まれた導電性粒子２１６を用いることによって、トランジスタ２２３とアンテナとして機能する導電膜２０３との接続を行う（図１１（Ｂ））。ここでは、導電性微粒子を用いて素子群２１０とアンテナ形成層２０２とを電気的に接続した例を示しているが、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）等の導電性接着剤や半田接合等を用いて接続することも可能である。
【０１０３】
また、可撓性を有する半導体装置を設ける場合には、トランジスタ２２３の基板２１１を研削または研磨することにより薄膜化するとよい。また、図１０において、基板２１１としてガラス基板を用いた場合には、当該ガラス基板２１１を研削または研磨することによって薄膜化するとよい。
【０１０４】
本実施の形態は、上記実施の形態１〜３と自由に組み合わせて行うことができる。例えば、アンテナとして機能する導電膜２０３やダミーパターンとなる導電膜２０４の形状として上記実施の形態１〜３で示したいずれかの構成を組み合わせて用いることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の半導体装置を非接触でデータの送受信が可能であるＲＦＩＤとして利用した場合に関して図１２を用いて説明する。
【０１０５】
ＲＦＩＤ８０は、非接触でデータを交信する機能を有し、電源回路８１、クロック発生回路８２、データ復調回路８３、データ変調回路８４、他の回路を制御する制御回路８５、記憶回路８６およびアンテナ８７を有している（図１２（Ａ））。なお、記憶回路は１つに限定されず、複数であっても良く、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＲＯＭまたはＦｅＲＡＭ等や有機化合物層を記憶素子部に用いたものを用いることができる。
【０１０６】
リーダ／ライタ８８から電波として送られてきた信号は、アンテナ８７において電磁誘導により交流の電気信号に変換される。電源回路８１では、交流の電気信号を用いて電源電圧を生成し、電源配線を用いて各回路へ電源電圧を供給する。クロック発生回路８２は、アンテナ８７から入力された交流信号を基に、各種クロック信号を生成し、制御回路８５に供給する。復調回路８３では、当該交流の電気信号を復調し、制御回路８５に供給する。制御回路８５では、入力された信号に従って各種演算処理を行う。記憶回路８６では、制御回路８５において用いられるプログラムやデータ等が記憶されている他、演算処理時の作業エリアとしても用いることができる。そして、制御回路８５から変調回路８４にデータが送られ、変調回路８４から当該データに従ってアンテナ８７に負荷変調を加えることができる。リーダ／ライタ８８は、アンテナ８７に加えられた負荷変調を電波で受け取ることにより、結果的にデータを読み取ることが可能となる。
【０１０７】
また、ＲＦＩＤは、各回路への電源電圧の供給を電源（バッテリ）を搭載せず電波により行うタイプとしてもよいし、電源（バッテリ）を搭載して電波と電源（バッテリ）により各回路に電源電圧を供給するタイプとしてもよい。
【０１０８】
本発明の半導体装置をＲＦＩＤ等に利用した場合、非接触で通信を行う点、複数読取りが可能である点、データの書き込みが可能である点、様々な形状に加工可能である点、選択する周波数によっては、指向性が広く、認識範囲が広い点等の利点を有する。ＲＦＩＤは、非接触による無線通信で人や物の個々の情報を識別可能なＩＣタグ、ラベル加工を施して目標物への貼り付けを可能としたラベル、イベントやアミューズメント向けのリストバンド等に適用することができる。また、ＲＦＩＤを樹脂材料により成型加工してもよいし、無線通信を阻害する金属に直接固定してもよい。さらに、ＲＦＩＤは、入退室管理システムや精算システムといった、システムの運用に活用することができる。
【０１０９】
次に、半導体装置をＲＦＩＤとして実際に使用するときの一形態について説明する。表示部３２１を含む携帯端末の側面には、リーダ／ライタ３２０が設けられ、品物３２２の側面にはＲＦＩＤ３２３が設けられる（図１２（Ｂ））。品物３２２が含むＲＦＩＤ３２３にリーダ／ライタ３２０をかざすと、表示部３２１に品物の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴等、更に商品の説明等の商品に関する情報が表示される。また、商品３２６をベルトコンベアにより搬送する際に、リーダ／ライタ３２０と、商品３２６に設けられたＲＦＩＤ３２５を用いて、該商品３２６の検品を行うことができる（図１２（Ｃ））。このように、システムにＲＦＩＤを活用することで、情報の取得を簡単に行うことができ、高機能化と高付加価値化を実現する。
【０１１０】
なお、本実施の形態は、上記実施の形態１〜４と自由に組み合わせて行うことができる。
【０１１１】
（実施の形態６）
本発明の半導体装置の用途は広範にわたり、非接触で対象物の履歴等の情報を明確にし、生産・管理等に役立てる商品であればどのようなものにも適用することができる。例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類、包装用容器類、書籍類、記録媒体、身の回り品、乗物類、食品類、衣類、保健用品類、生活用品類、薬品類及び電子機器等に設けて使用することができる。これらの例に関して図１３を用いて説明する。
【０１１２】
紙幣、硬貨とは、市場に流通する金銭であり、特定の地域で貨幣と同じように通用するもの（金券）、記念コイン等を含む。有価証券類とは、小切手、証券、約束手形等を指す（図１３（Ａ）参照）。証書類とは、運転免許証、住民票等を指す（図１３（Ｂ）参照）。無記名債券類とは、切手、おこめ券、各種ギフト券等を指す（図１３（Ｃ）参照）。包装用容器類とは、お弁当等の包装紙、ペットボトル等を指す（図１３（Ｄ）参照）。書籍類とは、書物、本等を指す（図１３（Ｅ）参照）。記録媒体とは、ＤＶＤソフト、ビデオテープ等を指す（図１３（Ｆ）参照）。乗物類とは、自転車等の車両、船舶等を指す（図１３（Ｇ）参照）。身の回り品とは、鞄、眼鏡等を指す（図１３（Ｈ）参照）。食品類とは、食料品、飲料等を指す。衣類とは、衣服、履物等を指す。保健用品類とは、医療器具、健康器具等を指す。生活用品類とは、家具、照明器具等を指す。薬品類とは、医薬品、農薬等を指す。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（テレビ受像機、薄型テレビ受像機）、携帯電話等を指す。
【０１１３】
紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類等にＲＦＩＤを設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、書籍類、記録媒体等、身の回り品、食品類、生活用品類、電子機器等にＲＦＩＤを設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。乗物類、保健用品類、薬品類等にＲＦＩＤを設けることにより、偽造や盗難の防止、薬品類ならば、薬の服用の間違いを防止することができる。ＲＦＩＤの設け方としては、物品の表面に貼ったり、物品に埋め込んだりして設ける。例えば、本ならば紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりするとよい。また、後に光学的作用を加えて書き込み（追記）をする場合には、チップに設けられた記憶素子の部分に光が照射できるように透明な材料で形成しておくことが好ましい。さらに、一度書き込んだデータの書き換えが不可能である記憶素子を用いることによって、効果的に偽造を防止することが可能となる。また、ユーザーが商品を購入した後のプライバシー等の問題についても、ＲＦＩＤに設けられた記憶素子のデータを消去するシステムを設けておくことによって解決することができる。
【０１１４】
このように、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等にＲＦＩＤを設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。また乗物類にＲＦＩＤを設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。また、動物等の生き物に埋め込むことによって、個々の生き物の識別を容易に行うことができる。例えば、家畜等の生き物にセンサを備えたＲＦＩＤを埋め込むことによって、生まれた年や性別または種類等はもちろん現在の体温等の健康状態を容易に管理することが可能となる。
【０１１５】
以上のように、本発明の半導体装置はどのようなものにでも設けて使用することができる。なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。
【０１１６】
なお、本実施の形態は上記実施の形態１〜５と自由に組み合わせて行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の半導体装置の一例を示す図。
【図２】本発明の半導体装置の一例を示す図。
【図３】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図４】本発明の半導体装置の一例を示す図。
【図５】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図６】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図７】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図８】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図９】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１０】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図１１】本発明の半導体装置の一例を示す図。
【図１２】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１３】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１４】従来のスクリーン印刷法を用いた半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【符号の説明】
【０１１８】
８０ ＲＦＩＤ
８１ 電源回路
８２ クロック発生回路
８３ 復調回路
８４ 変調回路
８５ 制御回路
８６ 記憶回路
８７ アンテナ
８８ リーダ／ライタ
１０１ 基板
１０２ 素子群
１０３ 導電膜
１０４ 導電膜
１０５ 導電膜
２０１ 基板
２０２ アンテナ形成層
２０３ 導電膜
２０４ 導電膜
２１０ 素子群
２１１ 基板
２１２ 絶縁膜
２１３ 薄膜トランジスタ
２１５ 樹脂
２１６ 導電性粒子
２２３ トランジスタ
３２０ リーダ／ライタ
３２１ 表示部
３２２ 品物
３２３ ＲＦＩＤ
３２５ ＲＦＩＤ
３２６ 商品
７０１ 基板
７０２ 剥離層
７０３ 絶縁膜
７０４ 非晶質半導体膜
７０５ ゲート絶縁膜
７０６ 結晶質半導体膜
７０７ 結晶質半導体膜
７１１ Ｎ型不純物領域
７１２ Ｐ型不純物領域
７１６ 導電膜
７２６ Ｎ型不純物領域
７２７ Ｎ型不純物領域
７３４ 絶縁膜
７３９ 絶縁膜
７４４ 薄膜トランジスタ
７４５ 薄膜トランジスタ
７４９ 絶縁膜
７５０ 絶縁膜
７５１ 絶縁膜
７５２ 導電膜
７６２ 絶縁膜
７６５ 導電膜
７６７ 導電膜
７７２ 絶縁膜
７７３ 開口部
７７５ シート材
７７６ シート材
７７７ シート材
７８０ チャネル形成領域
７８１ チャネル形成領域
７８５ Ｐ型不純物領域
７８６ 導電膜
７８９ 記憶素子部
７９１ 素子形成層
８０１ 枠
８０２ 開口部
８０３ 乳剤
８０４ 金網（メッシュ）
８０５ スキージ
８０６ ペースト
８０７ 部分
８１０ スクリーン印刷版
１０３ａ 導電膜
１０３ｂ 導電膜
１０３ｃ 導電膜
１０４ａ 導電膜
１０４ｂ 導電膜
１０４ｄ 導電膜
７６６ａ 導電膜
８０２ａ 開口部
８０２ｂ 開口部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、
前記素子群の上方に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けて前記スクリーン印刷版の第２の開口部から前記導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を前記トランジスタと電気的に絶縁するように形成し、
前記第２の導電膜を前記トランジスタと電気的に接続するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、
第２の基板の上方に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けて前記スクリーン印刷版の第２の開口部から前記導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を前記トランジスタと電気的に絶縁するように形成し、
前記第２の基板上に形成された前記第２の導電膜と前記トランジスタとを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、
第２の基板の上方に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けて前記スクリーン印刷版の第２の開口部から前記導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を前記トランジスタと電気的に絶縁するように形成し、
前記トランジスタと前記アンテナとして機能する第２の導電膜が電気的に接続するように前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記トランジスタと前記アンテナとして機能する第２の導電膜の接続を、導電性微粒子を用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の導電膜をコイル状に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記スクリーン印刷版として、前記第１の開口部の幅を前記第２の開口部の幅より大きいものを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の導電膜の幅を前記アンテナとして機能する第２の導電膜の幅より広く形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の導電膜および前記アンテナとして機能する第２の導電膜は、前記第１の開口部から押し出されたペーストおよび前記第２の開口部から押し出されたペーストを焼成することによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、
前記素子群の上方に設けられ且つ前記トランジスタと電気的に絶縁された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜に隣接して設けられ且つ前記トランジスタと電気的に接続して設けられたアンテナとして機能する第２の導電膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、
前記素子群の上方に設けられ且つ前記トランジスタと電気的に絶縁された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜に隣接して設けられ且つ前記トランジスタと電気的に接続して設けられたアンテナとして機能する第２の導電膜とを有し、
前記第２の導電膜はコイル状に設けられており、
前記第１の導電膜は屈曲して設けられ且つ第１の端部と第２の端部とを有し、
前記第１の端部と前記第２の端部が接続していないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜の位置する領域の外側に設けられ且つ非環状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１の導電膜は、前記第２の導電膜より幅が広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記トランジスタと前記第１の導電膜が導電性微粒子を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、
前記素子群の上方に設けられ且つ前記トランジスタと電気的に接続したアンテナとして機能するコイル状の導電膜を有し、
前記導電膜うち、最外周に位置する部分の幅が、内側に位置する部分の幅より広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
基板上に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けて前記スクリーン印刷版の第２の開口部から前記導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第２の導電膜を形成することを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記第２の導電膜をコイル状に形成することを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１７】
請求項１５乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記スクリーン印刷版として、前記第１の開口部の幅を前記第２の開口部の幅より大きいものを用いることを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１８】
請求項１５乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記第１の導電膜の幅を前記アンテナとして機能する第２の導電膜の幅より広く形成することを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１９】
請求項１５乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記第１の導電膜およびアンテナとして機能する第２の導電膜は、前記第１の開口部から押し出されたペーストおよび前記第２の開口部から押し出されたペーストを焼成することによって形成されることを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１】
基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、
前記素子群の上方に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けて前記スクリーン印刷版の第２の開口部から前記導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を前記トランジスタと電気的に絶縁するように形成し、
前記第２の導電膜を前記トランジスタと電気的に接続するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、
第２の基板の上方に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けて前記スクリーン印刷版の第２の開口部から前記導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を前記トランジスタと電気的に絶縁するように形成し、
前記第２の基板上に形成された前記第２の導電膜と前記トランジスタとを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、
第２の基板の上方に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けて前記スクリーン印刷版の第２の開口部から前記導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を前記トランジスタと電気的に絶縁するように形成し、
前記トランジスタと前記アンテナとして機能する第２の導電膜が電気的に接続するように前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記トランジスタと前記アンテナとして機能する第２の導電膜の接続を、導電性微粒子を用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の導電膜をコイル状に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記スクリーン印刷版として、前記第１の開口部の幅を前記第２の開口部の幅より大きいものを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の導電膜の幅を前記アンテナとして機能する第２の導電膜の幅より広く形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の導電膜および前記アンテナとして機能する第２の導電膜は、前記第１の開口部から押し出されたペーストおよび前記第２の開口部から押し出されたペーストを焼成することによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、
前記素子群の上方に設けられ且つ前記トランジスタと電気的に絶縁された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜に隣接して設けられ且つ前記トランジスタと電気的に接続して設けられたアンテナとして機能する第２の導電膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、
前記素子群の上方に設けられ且つ前記トランジスタと電気的に絶縁された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜に隣接して設けられ且つ前記トランジスタと電気的に接続して設けられたアンテナとして機能する第２の導電膜とを有し、
前記第２の導電膜はコイル状に設けられており、
前記第１の導電膜は屈曲して設けられ且つ第１の端部と第２の端部とを有し、
前記第１の端部と前記第２の端部が接続していないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜の位置する領域の外側に設けられ且つ非環状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１の導電膜は、前記第２の導電膜より幅が広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記トランジスタと前記第１の導電膜が導電性微粒子を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、
前記素子群の上方に設けられ且つ前記トランジスタと電気的に接続したアンテナとして機能するコイル状の導電膜を有し、
前記導電膜うち、最外周に位置する部分の幅が、内側に位置する部分の幅より広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
基板上に、スクリーン印刷版の第１の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けて前記スクリーン印刷版の第２の開口部から前記導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第２の導電膜を形成することを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記第２の導電膜をコイル状に形成することを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１７】
請求項１５乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記スクリーン印刷版として、前記第１の開口部の幅を前記第２の開口部の幅より大きいものを用いることを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１８】
請求項１５乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記第１の導電膜の幅を前記アンテナとして機能する第２の導電膜の幅より広く形成することを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１９】
請求項１５乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記第１の導電膜およびアンテナとして機能する第２の導電膜は、前記第１の開口部から押し出されたペーストおよび前記第２の開口部から押し出されたペーストを焼成することによって形成されることを特徴とするアンテナの作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００７−１２０４２（Ｐ２００７−１２０４２Ａ）
【公開日】平成１９年１月１８日（２００７．１．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１４９７８２（Ｐ２００６−１４９７８２）
【出願日】平成１８年５月３０日（２００６．５．３０）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１月１８日（２００７．１．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年５月３０日（２００６．５．３０）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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