【課題】インダクタの下方に位置する素子分離膜に開口を設けてその開口内に半導体基板を残しつつ、インダクタの下方に位置する半導体基板に渦電流が発生することを抑制する。
【解決手段】インダクタ３００は、多層配線層２００に形成されており、素子分離膜１２の上方に位置している。開口１３は、素子分離膜１２のうち少なくとも平面視でインダクタ３００と重なる領域に形成されている。また、素子分離膜１２とインダクタ３００の間に位置するいずれの層にも、インダクタ３００と半導体基板１０の間をシールドするシールド導電部材は形成されていない。 （もっと読む）

【課題】高周波配線と相異なる層に設けられたダミー導体パターンに発生する渦電流を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、高周波配線、およびダミー導体パターン２０（第２のダミー導体パターン）を備えている。ダミー導体パターン２０は、高周波配線と相異なる層中に形成されている。ダミー導体パターン２０は、平面視で、高周波配線と重なる領域を避けるように配置されている。これにより、高周波配線と相異なる層に設けられたダミー導体パターンに発生する渦電流を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の上方にコイルが設けられた半導体装置において、コイル直下の半導体基板に回路を形成することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、一面１１を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の一面１１に形成された絶縁層２０と、絶縁層２０の上方に形成されたコイル３０と、を備えて構成されており、半導体基板１０はコイル３０の直下にスリット１２を備えている。このスリット１２は、コイル３０のうち、半導体基板１０の一面１１に平行な面方向のうちの一方向に沿って形成された部分の直下に位置している。これにより、スリット１２を境界として半導体基板１０の渦電流面積が小さくなるので、半導体基板１０に発生する渦電流による損失が低減し、コイル３０の下部に位置する半導体基板１０に回路を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が有する寄生容量や寄生インダクタンスによる電力の損失を抑えるこ
とが出来る、整流回路の提供を課題とする。
【解決手段】入力された交流電圧の振幅に従い、前段の回路と該整流回路の間におけるイ
ンピーダンスを整合または不整合にする。入力される交流電圧が規定の振幅以下である場
合は、インピーダンスを整合にし、該交流電圧をそのまま整流回路に印加する。逆に入力
される交流電圧が規定の振幅よりも大きい場合は、インピーダンスを不整合にし、反射に
より該交流電圧の振幅を小さくしてから整流回路に印加する。 （もっと読む）

【課題】スパイラルインダクタを有する半導体装置における寄生容量の低減と、Ｑ値の低下を抑制すること。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の表面近傍に設けられた複数個の素子分離領域と、前記素子分離領域間の半導体基板上に設けられた能動素子部と、基板上に積層された複数の配線層と、前記素子分離領域のうち第１の素子分離領域の鉛直上方であって、かつ、前記配線層のうち少なくとも最上の配線層に設けられたスパイラルインダクタとを備え、前記スパイラルインダクタが形成されたインダクタ形成領域の鉛直下方であって、かつ、前記第１の素子分離領域の半導体基板表面上にシリサイド形成防止膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】複雑な配線構造であっても、電極パターン同士を簡単な構造で接続できると共に、配線パターンの強度をも確保できるような配線構造、およびこうした配線構造を製造するための有用な方法を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板上に形成された少なくとも第１の配線パターンと第２の配線パターンを有する配線構造であって、前記第１の配線パターンと第２の配線パターンとの間は、金属ワイヤーによる空中配線部によって接続されると共に、少なくとも金属ワイヤー表面には、金属ワイヤーと同じ若しくは異なる素材からなる金属めっきが施されたものである。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。
【解決手段】薄膜トランジスタ１１９と、薄膜トランジスタ上に第１の層間絶縁膜１５６と、第１の層間絶縁膜上の、ソース領域またはドレイン領域の一方に電気的に接続される第１の電極１１４と、ソース領域またはドレイン領域の他方に電気的に接続される第２の電極１１０と、第１の層間絶縁膜、第１の電極、及び第２の電極上に形成された第２の層間絶縁膜１３５と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の一方に電気的に接続される第１の配線１７７と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の他方に電気的に接続されない第２の配線１７８とを有し、第２の配線と前記第１の電極または第２の電極の他方は、第２の層間絶縁膜中の分断領域１６９によって、電気的に接続されない半導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置においては、配線の伝送特性が不安定となってしまう。
【解決手段】半導体装置１は、配線１０、およびダミー導体パターン２０を備えている。配線１０は、５ＧＨｚ以上の周波数を有する電流が流れる配線である。配線１０の近傍には、ダミー導体パターン２０が配置されている。ダミー導体パターン２０の平面形状は、１８０°を超える内角を有する図形に等しい。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の能動素子を含む回路と低電圧で動作するロジック回路とが同一基板上に混載された半導体装置を低コストで実現する。
【解決手段】半導体装置が、ロジック回路５０と、能動素子回路とを具備している。ロジック回路５０は、半導体基板１に形成された半導体素子２を備えている。該能動素子回路は、半導体基板１の上方に形成された拡散絶縁膜７−１の上に形成された半導体層８−１、８−２を用いて形成されたトランジスタ２１−１、２１−２を備えている。この能動素子回路がロジック回路５０により制御される。 （もっと読む）

【課題】ガン発振に伴う負性抵抗を抑制し、安定的かつ高効率の電力増幅を得るための安定化回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に配置され、ガン発振である高周波負性抵抗発振の発振周波数において負性抵抗を生ずる能動素子１４０と、基板上に配置され、能動素子のドレイン端子電極と出力端子との間に接続され、負性抵抗の絶対値に等しい抵抗値を有する抵抗Ｒと、抵抗Ｒに並列に接続され、高周波負性抵抗発振の発振周波数に同調するインダクタンスＬとキャパシタンスＣからなるタンク回路とからなる安定化回路１２０とを備え、安定化回路１２０は、発振周波数に、インダクタンスＬとキャパシタンスＣからなる共振周波数を同調することによって、発振周波数において、抵抗Ｒによって負性抵抗をキャンセルする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】従来の横型のダイオード素子は、表面二電極間における電流経路に半導体界面が現れるため、界面状態に起因する雑音が大きいという点を解決するダイオード素子、検出素子等を提供する。
【解決手段】ダイオード素子は、第一の導電型の低濃度キャリア層１０３と、第一の導電型の高濃度キャリア層１０２と、半導体表面上に形成されたショットキー電極１０４及びオーミック電極１０５と、を備える。低濃度キャリア層のキャリア濃度は、高濃度キャリア層のキャリア濃度より低く、オーミック電極の直下に第一の導電型の不純物導入領域１０６が形成される。ショットキー電極及びオーミック電極の間の半導体表面に、ショットキー電極とは電気的に接触しない第二の導電型の不純物導入領域１０７が形成され、第二の導電型の不純物導入領域が第一の導電型の不純物導入領域と接する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な電磁波干渉フィルタを提供すること。
【解決手段】実施形態に係る電磁波干渉フィルタ１０は、半導体基板１１の表面上に形成された抵抗Ｒ、およびこの抵抗Ｒの両端にそれぞれ電気的に接続された一対のキャパシタＣ、をそれぞれ具備する複数の電磁波干渉フィルタ回路１２と、これらの電磁波干渉フィルタ回路１２間の半導体基板１１に埋め込み形成された素子分離層１３と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】昇圧効率を向上させた昇圧回路を提供することを課題の一とする。または、昇圧効率を向上させた昇圧回路を用いたＲＦＩＤタグを提供することを課題の一とする。
【解決手段】単位昇圧回路の出力端子に当たるノード、または当該ノードに接続されたトランジスタのゲート電極をブートストラップ動作により昇圧することで、当該トランジスタにおけるしきい値電位と同等の電位の低下を防ぎ、当該単位昇圧回路の出力電位の低下を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】集積回路インダクターを提供すること。
【解決手段】第１の端子と、第２の端子と、第１の端子と第２の端子との間に連結された伝導性経路とを備え、伝導性経路は、集積回路上に複数の撚り合わされた伝導性線を含む、インダクター。撚り合わされた伝導性線は、集積回路上に少なくとも１つの金属層から形成された少なくとも第１の伝導性線と、集積回路上に少なくとも１つの金属層から形成された少なくとも第２の伝導性線とを含む、インダクター。 （もっと読む）

【課題】 従来のＰＤ製造プロセスと同じ工程で大受光径ＰＤの帯域を拡大して、光受信部の高速化を図る。
【解決手段】 受光デバイスは、半導体基板の上方に形成された第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層上の光吸収層、および前記光吸収層上の第２導電型の第２半導体層の積層構造を有する光検出素子と、前記半導体基板の上方で、前記光検出素子に接続されるインダクタと、前記光検出素子で生成された電流を前記インダクタを介して取り出す出力電極と、前記光検出素子にバイアス電極を印加するバイアス印加用電極と、前記インタダクタの金属配線と交差して、前記光検出素子と、前記出力電極又は前記バイアス印加用電極との間を電気的に接続する交差配線と、を含む。 （もっと読む）

【課題】集積電力段において、入力電圧を集積電力段の一側面（例えば上面）で受け取り、出力電圧を集積電力段の反対側面（例えば底面）から出力する。
【解決手段】集積電力段は負荷段の上に位置する共通ダイを備え、共通ダイはドライバ段１０２及び電力スイッチ１０４を備える。電力スイッチは制御トランジスタ１１０及び同期トランジスタ１１２を含む。制御トランジスタのドレインＤ１が共通ダイの入力電圧を共通ダイの一側面（例えば上面）で受ける。制御トランジスタのソースＳ１が同期トランジスタのドレインＤ２に結合され、前記共通ダイの出力電圧を共通ダイの反対側面（例えば底面）で出力する。電力段の下にインターポーザ１０６を含めることができる。インターポーザは共通ダイの反対側面で共通ダイの出力電圧に結合される出力インダクタ１１８及び必要に応じ出力キャパシタ１２０を含む。 （もっと読む）

【課題】コイル状のアンテナ部の内部に、占有面積が大きい導電層が設けられていると、電源を安定して供給することが困難になっていた。
【解決手段】記憶回路部とコイル状のアンテナ部とを積層して配置することにより、記憶回路部が含む占有面積の大きい導電層に電流が流れてしまうことを防止することができ、省電力化を図ることができる。また、記憶回路部とコイル状のアンテナ部とを積層して配置することにより、スペースを有効に利用することができる。従って、半導体装置の小型化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】高周波配線を含む半導体装置において、エロージョンやディッシングを効果的に防いで半導体装置を安定的に製造するとともに、高周波配線への周囲のダミーメタルからの影響を低減して特性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板上の多層配線層中に設けられた高周波配線１０２と、多層配線層中の半導体基板と高周波配線１０２が設けられた層との間の第２の配線層１２２ｂに設けられたダミーメタル１０４とを含む。ダミーメタル１０４は、平面視で、高周波配線１０２の外縁で囲まれる第１の領域１０６とその周囲の第２の領域１０８とを含む高周波配線近傍領域１１０と、それ以外の外部領域１１２とにそれぞれ分散配置され、高周波配線近傍領域１１０のダミーメタル１０４間の平均間隔が、外部領域１１２のダミーメタル１０４間の平均間隔よりも広い。 （もっと読む）